http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51631 Fri, 17 Apr 2026 00:21:22 GMT 2026-04-17T00:21:22Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/153137/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51631 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98497 Возбуждение атомов свинца в ридберговские состояния Дюбко, С.Ф.; Погребняк, Н.Л.; Куценко, А.С.; Перепечай, М.П. Исследуются методы селективного возбуждения атомов свинца в ридберговские состояния лазерным излучением. Возбуждения в nP состояния с разрешением тонкой структуры переходов осуществлены в две ступени: 6p2 → 6p7s[1/2,1/2]₁ → nP{ [1/2,1/2]₁, [1/2,1/2]₀ , [1/2,3/2]₁, [1/2,3/2]₂} в диапазоне изменений главного квантового числа n = 30÷75. Впервые предложена и реализована схема получения атомов Pb1 в nS и nD ридберговских состояниях путем трехступенчатого возбуждения, базирующаяся на случайном совпадении частоты перехода второй ступени возбуждения 6p7s[1/2,1/2]₁ → 6p7p[1/2,3/2]₁ с частотой основного излучения YAG : Nd³⁺ лазера.; Досліджуються методи селективного збудження атомів свинцю в рідбергівські стани лазерним випромінюванням. Збудження в nP стани з розрізненням тонкої структури переходів здійснено двома ступенями: 6p2 → 6p7s[1/2,1/2]₁ → nP{ [1/2,1/2]₁, [1/2,1/2]₀ , [1/2,3/2]₁, [1/2,3/2]₂} в діапазоні зміни головного квантового числа n = 30÷75. Вперше запропоновано і реалізовано схему отримання атомів Pb1 в nS та nD рідбергівських станах шляхом триступінчатого збудження, яка базується на випадковому збігові частоти переходу другого ступеня збудження p7s[1/2,1/2]₁ → 6p7p[1/2,3/2]₁ з частотою основного випромінювання YAG : Nd³⁺ лазера.; The techniques of selective laser excitation of lead atoms to Rydberg states are investigated experimentally. In the principle quantum number range n = ÷ 30 75, an excitation to nP states with fine structure resolution was performed in two steps: 6p2 → 6p7s[1/2,1/2]₁ → nP{ [1/2,1/2]₁, [1/2,1/2]₀ , [1/2,3/2]₁, [1/2,3/2]₂} A three step scheme of PbI atom excitation to nS and nD Rydberg states has been first proposed and implemented, the scheme being based on an accidental coincidence of the second excitation step 6p7s[1/2,1/2]₁ → 6p7p[1/2,3/2]₁ with the YAG: Nd³⁺ laser radiation basic frequency. Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98497 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98242 Алфавитный указатель тома 16 за 2011 г Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98242 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98241 К восьмидесятилетию со дня рождения В. М. Конторовича 27 ноября 2011 года исполняется 80 лет известному украинскому ученому в области теоретической астрофизики и радиоастрономии, физики плазмы, квантовой радиофизики, физики твердого тела, профессору, доктору физико-математических наук Виктору Моисеевичу Конторовичу. Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98241 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98240 Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах Королев, А.М.; Шульга, В.М. Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов; Пропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів.; The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98240 2011-01-01T00:00:00Z