<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Доповіді НАН України, 2008, № 07</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/4739</link>
<description/>
<pubDate>Sun, 05 Apr 2026 16:20:00 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-05T16:20:00Z</dc:date>
<image>
<title>Доповіді НАН України, 2008, № 07</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/427847/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/4739</link>
</image>
<item>
<title>Електронна структура 3R-полiтипiв диселенiдiв нiобiю та молiбдену</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5733</link>
<description>Електронна структура 3R-полiтипiв диселенiдiв нiобiю та молiбдену
Синельниченко, О.К.; Тишковець, Ж. I.; Карпець, М.В.; Хижун, О.Ю.
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to investigate the electronic structure of 3R−Nb1.14Se2 and 3R−MoSe2 compounds. For the mentioned compounds, the XPS valence-band and Nb(Mo)3d and Se3p core-level spectra are derived. For comparison, the similar spectra are obtained for the usual 2H polymorphous forms of niobium and molybdenum diselenides, 2H(a)−NbSe2 and 2H(c)−MoSe2, respectively. The half-width of the XPS valence-band spectrum decreases when going from niobium diselenides to molybdenum diselenides under consideration. The charge transfer occurring in the direction from the metal atoms to selenium atoms decreases in the above sequence of compounds.
</description>
<pubDate>Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5733</guid>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5732</link>
<description>Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату
Остафійчук, Б.К.; Ткачук, В.М.; Ткачук, О.М.; Пилипiв, В.М.; Григорук, О.О.
The mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms up to a thermodynamical equilibrium state are studied.
</description>
<pubDate>Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5732</guid>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>К теории аналого-дискретного счетчика электроэнергии</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5682</link>
<description>К теории аналого-дискретного счетчика электроэнергии
Божко, А.Е.; Белых, В.И.; Полищук, О.Ф.; Попов, С. Г.
A theory of the construction an analog-digital meter of electroenergy is given.
</description>
<pubDate>Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5682</guid>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Особливості тензорезистивного ефекту аморфних металевих сплавів при різних типах деформації</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5681</link>
<description>Особливості тензорезистивного ефекту аморфних металевих сплавів при різних типах деформації
Семенько, М.П.; Захаренко, М.І.; Макара, В.А.
The formulas for tensoresistance coefficients in the cases of uniaxial tension and compression, as well as of uniform compression, are obtained using the Faber–Ziman theory in the assumption that changes of the electric resistance R under external stress σ mainly arise due to changes of the structural factor. The estimations by the proposed relations are in good agreement with the experimental results for uniaxial tension and compression and with the reference data for uniform pressure.
</description>
<pubDate>Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5681</guid>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
