<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Украинский химический журнал, 2007, № 09</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185622</link>
<description/>
<pubDate>Fri, 17 Apr 2026 05:54:19 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-17T05:54:19Z</dc:date>
<image>
<title>Украинский химический журнал, 2007, № 09</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/555840/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185622</link>
</image>
<item>
<title>Пам’яті Юрія Сергійовича Ліпатова</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185782</link>
<description>Пам’яті Юрія Сергійовича Ліпатова
31 серпня на 81 році пішов з життя Юрій Сергійович Ліпатов — видатний вчений у галузі високомолекулярних сполук, академік Національної академії наук України і Міжнародної академії творчості, доктор хімічних наук, професор, заслужений діяч науки і техніки України, лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, іменних премій Л.В. Писаржевського та А.І. Кіпріанова Національної академії наук України, а також премії ім. Поля Флорі Міжнародної академії творчості — радник при  дирекції Інституту хімії високомолекулярних сполук НАН України, колишній його директор.
</description>
<pubDate>Mon, 01 Jan 2007 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185782</guid>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>До питання про гістерезис, вертикальний злам вольт-амперної кривої поблизу активаційно-пасиваційного переходу та осциляційну поведінку в електрохімічних системах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185781</link>
<description>До питання про гістерезис, вертикальний злам вольт-амперної кривої поблизу активаційно-пасиваційного переходу та осциляційну поведінку в електрохімічних системах
Юзькова, В.Д.; Нечипорук, В.В.; Ткачук, М.М.
Запропоновано математичну модель анодного розчинення металу в потенціостатичному режимі при наявності процесу пасивації, яка успішно пояснює такі експерементальні факти як гістерезис, вертикальний злам i—E-кривої в області активно-пасивного переходу та осциляційну поведінку на основі адекватної кінетики процесу активації—пасивації металу. Знайдено умови виникнення множинності стаціонарних станів та осциляторних розв’язків і побудовано відповідні біфуркаційні діаграми в площині параметрів системи.; Построена математическая модель анодного растворения металла в потенциостатическом режиме, при наличии процесса пассивации успешно объясняющая такие экспериментальные факты как гистерезис, вертикальный излом i—E-кривой в области активно–пассивного перехода и осцилляционное поведение на основе адекватной кинетики процесса активации—пассивации металла. Найдены условия возникновения множественности стационарных состояний и осцилляторных решений и построены соответствующие бифуркационные диаграммы в плоскости параметров системы. Нелинейная система уравнений решена с помощью программы MathCAD и определен вид автоколебаний степени запассивированной поверхности и концентрации ионов водорода.; A mathematical model of a metal anodic dissolution under potentiostatic condition and passivation mode has been proposed. The model can successfully explain occurrence of such experimentally registered phenomena as: hysteresis, vertical fracture of i—E curve at active—passive transition region and oscillatory modes. This explanation is based on the adequate kinetics of the metal activation-passivation processes. Conditions of the stationary states multiplicity and oscillation modes have been determined and corresponding bifurcation diagrams were built in the parametric plane. MathCAD was engaged to resolve the system of non-linear equations and the patterns of auto-oscillations of the passivated area ratio and concentration of hydrogen ions have been determined.
</description>
<pubDate>Mon, 01 Jan 2007 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185781</guid>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Электрохимическое окисление бинарного сплава InSb в кислых и щелочных электролитах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185780</link>
<description>Электрохимическое окисление бинарного сплава InSb в кислых и щелочных электролитах
Ускова, Н.Н.; Близнюк, А.В.; Рудковская, Л.М.; Омельчук, А.А.
Методом циклической вольтамперометрии, химического и рентгенофазового анализа исследовано анодное окисление интерметаллического соединения InSb в щелочном и кислых электролитах. Показано, что при электрохимическом окислении интерметаллического соединения InSb в щелочном электролите на его поверхности формируется слой сложного состава In₂O₃, SbxOy, тогда как в кислых электролитах образуется слой In₂O₃ (свыше 80 %), Sb₂O₃ и чем выше концентрация кислот, тем больше содержание оксида сурьмы в пленке.; Проаналізовано експериментальні дані з електрохімічного окиснення InSb в лужному та кислих електролітах. Показано, що при електрохімічному окисненні інтерметалічної сполуки InSb у лужному електроліті на її поверхні формується шар складного складу In₂O₃, SbxOy, тоді як у кислих електролітах утворюється шар In₂O₃ (понад 80 %), Sb₂O₃ і чим вище концентрація кислот, тим більший вміст оксиду сурми в плівці.; Experimental data on the electrooxidation of InSb in the acid electolyte and alkaline electrolyte have been analyzed. It is shown, that at electrochemical oxidation of intermetallic compound InSb in alkaline electrolyte on its surface is formed the layer of complex composition In₂O₃, SbxOy, whereas in the acid electrolytes — the layer In₂O₃, Sb₂O₃ (In₂O₃ more than 80 %) and the above concentration of acids, the it is more contents of antimony in a film.
</description>
<pubDate>Mon, 01 Jan 2007 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185780</guid>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Получение высокочистого марганца электрохимическим рафинированием в галогенидно-аммонийных растворах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185779</link>
<description>Получение высокочистого марганца электрохимическим рафинированием в галогенидно-аммонийных растворах
Манилевич, Ф.Д.; Машкова, Н.В.; Данильцев, Б.И.; Козин, Л.Ф.
Приведены результаты разработки способа электрохимического рафинирования марганца до высокой чистоты. Для повышения чистоты марганца, получаемого электрохимическим рафинированием, предложено применять реакционный и барьерный электролиз в галогенидно-аммонийных марганцевых электролитах. Особое внимание уделено созданию перспективных сорбционных материалов для проведения непрерывной, глубокой очистки раствора электролита от примесей.; Приведено результати розробки способу електрохімічного рафінування марганцю до високої чистоти. Для підвищення чистоти марганцю, одержуваного електрохімічним рафінуванням, запропоновано застосовувати реакційний та бар’єрний електроліз в галогенідно-амонійних марганцевих електролітах. Особливу увагу приділено створенню перспективних сорбційних матеріалів для проведення безперервної глибокої очистки розчину електроліту від домішок.; The article presents results of the development of a method for the electrorefining of manganese up to high purity. To increase the purity of manganese produced by electrorefining, it is proposed to employ reaction and barrier electrolysis in halide-ammonium manganese electrolytes. Special attention is given to the creation of advanced sorbents for the continuous deep purification of electrolytic solutions.
</description>
<pubDate>Mon, 01 Jan 2007 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/185779</guid>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
