http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/167949 Sat, 11 Apr 2026 18:01:43 GMT 2026-04-11T18:01:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/502184/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/167949 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168076 Устройство для дифференциальной записи кинетических кривых при индентировании Барбашов, В.И.; Чайка, Э.В.; Комыса, Ю.А.; Ткаченко, Ю.Б. Рассмотрены особенности методики изучения физико-механических свойств керамики на основе частично стабилизированного диоксида циркония методом индентирования. Показана необходимость точного измерения истинного перемещения индентора относительно образца. Описано устройство для дифференциальной записи кривых при индентировании.; Peculiarities of studying physico-mechanical properties of ceramic materials based on partially stabilized zirconia by using the indentation method have been considered. It is shown that true travel of the indenter relative to the sample need be measured accurately. A device for differential recording of curves during the indentation has been described. Thu, 01 Jan 2004 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168076 2004-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168075 Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов Надточий, В.А.; Нечволод, Н.К.; Москаль, Д.С. Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов.; An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current. Thu, 01 Jan 2004 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168075 2004-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168074 Особенности поведения внутреннего трения в меди волокнистого строения с наноразмерными волокнами Дацко, О.И.; Абрамов, В.С.; Дугадко, А.Б.; Матросов, Н.И.; Чишко, В.В.; Шевченко, Б.А. Показано, что в деформированной медной проволоке, полученной методом многопереходной пакетной гидроэкструзии с волочением и содержащей волокна и элементы субмикро- и нанокристаллической структур, амплитудная и температурная зависимости низкочастотного внутреннего трения (ВТ) обнаруживают резкий и существенный рост при ε > 2·10⁻⁵ и Т > 80°С. Это означает, что такая структура в условиях микропластической деформации (МПД) обладает способностью интенсивно увеличивать плотность подвижных дислокаций, обусловливает высокую степень микропластичности материала.; It is shown that in deformed copper wire produced by multiple-stage packet hydroextrusion followed by drawing and containing fibres and elements of submicro- and nanocrystalline structures, the amplitude and temperature dependences of the low-frequency internal friction (IF) show an abrupt and considerable growth for ε > 2·10⁻⁵ and T > 80°C. This means that under the microplastic deformation such structure is able to intensively increase the density of mobile dislocations, thus conditioning the high microplasticity of the material. Thu, 01 Jan 2004 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168074 2004-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168073 Анализ условий развития атермических превращений в углероде и нитриде бора Бритун, В.Ф.; Курдюмов, А.В. На основе результатов опубликованных работ по экспериментальному и теоретическому изучению мартенситных превращений (МП) графита и графитоподобного нитрида бора в плотные фазы проведена оценка давлений ра, необходимых для развития фазовых переходов без их термической активации (атермических). Получены значения ра для условий одноосного и всестороннего гидростатического сжатия при реализации различных механизмов мартенситной перестройки решетки. При этом рассмотрены варианты беззародышевого образования новой фазы, ее гомогенного зарождения, а также гетерогенного зародышеобразования.; The results of theoretical and experimental study of martensitic transformations in carbon and boron nitride published at long period are analyzed. The value of athermic transformations pressure pa has been estimated for hydrostatic and uniaxial compression. The influence of different mechanisms of dense phase formation (deformation transformation without nucleation, homogeneous nucleation, and heterogeneous nucleation) on pa value is discussed. Thu, 01 Jan 2004 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168073 2004-01-01T00:00:00Z