Физика низких температур, 1998, № 04

Ориентационный эффект при поглощении звука слоистыми проводниками

Thu, 01 Jan 1998 00:00:00 GMT

Ориентационный эффект при поглощении звука слоистыми проводниками Кириченко, О.В.; Крстовска, Д.; Песчанский, В.Г. Показано, что декремент затухания акустических волн в слоистом проводнике с квазидвумерным электронным энергетическим спектром существенно зависит от ориентации магнитного поля относительно слоев в широкой области полей, если возможен дрейф носителей заряда вдоль волнового вектора звука. Положения экстремумов угловой зависимости декремента затухания звука представляют детальную информацию о поверхности Ферми.; Показано, що декремент згасання акустиних хвиль во шаруватому провіднику з квазідвовимірним електронним енергетичним спектром суттево залежить від оріситації магнітного поля відносно шарів, якщо дрейф носіїв заряду вздовж хвильового вектора звуку є можливим. Положення екстромунів кутової залежності декромента згасання звуку надають детальну інформацію про поверхню Фермі.; It is shown that the damping decrement for acoustic waves in a layered conductor with a quasi-two-dimensional electron energy spectrum depends considerably on the orientation of the magnetic field relative to the layers in a wide range of magnetic fields if charge carriers can drift along the sound wave vector. The positions of extrema on the angular dependence of the sound damping decrement contain detailed information on the Fermi surface.

Изучение матричной изоляции атомов азота в твердом N₂

Thu, 01 Jan 1998 00:00:00 GMT

Изучение матричной изоляции атомов азота в твердом N₂ Дмитриев, Ю.А.; Житников, Р.А. Исследован процесс матричной изоляции методом конденсации из газовой фазы атомов азота в твердом N₂. Для изменения в широких пределах потоков атомов и молекул азота на поверхность образца были использованы смеси N₂-He различного состава, пропускавшиеся через зону газового разряда. Обнаружен рост ширины линий ЭПР атомов N в N₂ при уменьшении потока азота из разряда на холодную подложку. Показано, что этот рост связан с увеличением концентрации атомарного азота в матрице, приводящим к увеличению диполь-дипольного взаимодействия между атомами. Установлено, что определяющее влияние на увеличение концентрации матрично изолированных атомов в наших экспериментах оказывает уменьшение рекомбинации атомов при диффузии на поверхности образца вследствие уменьшения поверхностной плотности этих атомов. Обнаружено, что при постоянном потоке атомов из разряда концентрация их в матрице увеличивается с увеличением интенсивности разряда, достигая насыщения. Зависимость концентрации от интенсивности разряда объяснена изменением степени диссоциации молекулярного азота в разряде.; Досліджено процес матричної ізоляції методом конденсації із газової фази атомів азоту в твердому N₂, . Для змінювання у широких границях потоків атомів та молекул азоту та поверхню зразка було використано суміші N₂,-Не різного складу, які пропускалися крізь зону тазового розряду. Виявлено зростання ширини ліній СЛР атомів N в N₂, при зменшенні потоку азоту із розряду на холодиу підкладку. Показано, що це зростання пов'язано із збільшенням концентрації атомарного азоту в матриці, що приводить до збільшення диполь-дипольної взаємодії між атомами. Установлено, що визначальний вплив на збільшення концентрації матрично ізольованих атомів в наших експериментах виявляє зменшення рекомбінації атомів при дифузії на поверхні зразка внаслідок зменшення поверхневої густини цих атомів. Виявлено, що при постійному потоці атомів із розряду концентрація їх в матриці збільшується із збільшенням інтенсивності розряду, досягаючи насичення. Залежність концентрації від інтенсивності розряду пояснено зміненням ступені дисоціації молекулярного азоту в розряді.; The process of matrix isolation of nitrogen atoms in solid N₂ is studied by the method of condensation from the gaseous phase. In order to vary the flow rates of nitrogen atoms and molecules at the sample surface over a wide range, N₂–He mixtures of various compositions have been passed through the gas discharge zone. It is found that the EPR line width for N atoms in N₂ increases upon a decrease in the nitrogen flow rate from the discharge zone to a cold substrate. It is shown that this increase is due to an increase in the concentration of atomic nitrogen in the matrix leading to an enhancement of the dipole–dipole interaction between atoms. It is established that a decrease in the intensity of recombination of atoms in the course of diffusion at the sample surface due to a decrease in the surface density of these atoms plays a decisive role in the growth of the concentration of matrix-isolated atoms in the experiments. It is found that for a constant flow rate of atoms from the discharge, their concentration in the matrix increases and attains saturation upon an increase in the discharge intensity. The dependence of concentration on the discharge intensity is attributed to a change in the degree of dissociation of molecular nitrogen in the discharge.

Высокочастотный импеданс органических металлов в сильном магнитном поле

Thu, 01 Jan 1998 00:00:00 GMT

Высокочастотный импеданс органических металлов в сильном магнитном поле Гохфельд, В.М.; Песчанский, В.Г.; Торяник, Д.А. Теоретически исследовано распространение электромагнитных волн в слоистых проводниках органического происхождения с металлическим типом проводимости, в которых a priori поверхность Ферми, помимо слабо гофрированного цилиндра, содержит также два листа, представляющие собой слабо гофрированные плоскости. Показано, что наличие последней группы носителей заряда существенным образом влияет на величину затухания волн.; Теоретично досліджено розповсюдження електромагнітних хвиль в шаруватих провідниках органічного походження з металевим типом провідності, в яких а ріогі поверхня Ферні, крім слабко гофрованого циліндра, має також два листи, які є слабко гофрованими площинами. Показано, що наявність останньої групи носіїв заряду істотно впливає на величину згасання хвиль.; Propagation of electromagnetic waves is studied theoretically in layered organic conductors with metal-type conductivity, whose Fermi surface (apart from a slightly corrugated cylinder) a priori contains two sheets in the form of weakly corrugated planes. It is shown that the presence of such a group of charge carriers significantly affects the magnitude of wave attenuation.

Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂

Thu, 01 Jan 1998 00:00:00 GMT

Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ Белецкий, В.И.; Гавренко, О.А.; Мерисов, Б.А.; Оболенский, М.А.; Сологубенко, А.В.; Хаджай, Г.Я.; Чашка, Х.Б. Экспериментально исследована теплопроводность λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) и электросопротивления ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) слоистых кристаллов Nb₁-xSnxSe₂ в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей ρ(T). Отсутствие такого роста λ (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости ρ (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей λ (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты.; Експериментально досліджено теплопровідність λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K)та електроопір ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) шаруватих кристалів Nb₁-xSnxSe₂ у площині ab. При x ~ 0,5 виявлено перехід типу метал —напівпровідник. Величина особливості електроопору при 33 К, яка пов’язана з переходом в фазу хвилі зарядової густини, збільшується із зростанням х > 0,15. Теплопровідність зразків з металевою провідністю (х < 0,5) збільшується із зростанням температури при Т > 90 К, що корелює з нелінійністю залежностей ρ (T). Відсутність такого зросту λ (T) для напівпровідникового зразка свідчить, що ця особливість пов’язана з електронною підсистемою. Спостерігаєма немонотонність залежності ρ (x) може бути пояснена існуванням гострого піка електронної густини станів поблизу рівня Фермі. Апроксимація залежностей λ (T) виявляє наявність механізму розсіяння фононів із швидкістю релаксації, пропорційної квадрату частоти.; The thermal conductivity λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) and electrical resistivity ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) of layered crystals Nb₁-xSnxSe₂ are measured in the ab plane. The metal– semiconductor transition is observed at x≈0.5. The magnitude of the resistivity anomaly observed at 33 K and associated with a transition to the charge density wave phase increases with increasing x for x>0.15. The thermal conductivity of the metallic samples (x<0.5) increases with temperature at T>90K, which is in accord with the nonlinearity of the ρ(T) dependence. The absence of such an increase in λ(T) for a semiconducting sample indicates that this singularity is connected with the electronic subsystem. The observed nonmonotonicity of the ρ(x) dependence may be associated with the existence of a sharp peak in the electron density of states near the Fermi level. Approximation of the λ(T) dependence reveals the existence of a phonon scattering mechanism with a relaxation rate proportional to the square of the frequency.