Физика низких температур, 1996, № 01

Об аномалии низкотемпературной зависимости времени электрон-фононной релаксации в тонких пленках, находящихся на подложке

Mon, 01 Jan 1996 00:00:00 GMT

Об аномалии низкотемпературной зависимости времени электрон-фононной релаксации в тонких пленках, находящихся на подложке Сыркин, Е.С.; Комник, Ю.Ф.; Беляев, Е.Ю. Предложен механизм, объясняющий уменьшение (по сравнению с теорией) показателя степени в температурной зависимости частоты электрон-фононной релаксации в тонких пленках металлов, находящихся на подложке. Механизм основан на предположении, что в рассматриваемых системах может распространяться волна Лява с необычным для акустики законом дисперсии ω~q1/2, характерным для двумерных плазмонов в электронной системе.; Запропоновано механізм, що пояснює зниження (в порівнянні з теоретичним значенням) показника степеня в температурній залежності часу електрон-фононної релаксації в тонких плівках металів, які знаходяться на підкладках. Механізм побудовано на припущенні, що в системах, які вивчаются, може розповсюджуватися хвиля Лява з особливим в акустиці законом дисперсії ω~q1/2 який відомий для двовимірних плазмонів у електронній системі.; A new suggestion is offerred to explain the occurrence of a lowered exponent of power in the temperature dependence of electron-phonon relaxation time in thin films of heavy metals deposited onto substrates. The assumption implies that the Love waves propagate through the systems under consideration by the dispersion law ω~q1/2 typical of two-dimensional plasmons in electron systems but unusual for acoustics.

О наблюдении высокотемпературного "спайка" в экситонных спектрах отражения CdSe

Mon, 01 Jan 1996 00:00:00 GMT

О наблюдении высокотемпературного "спайка" в экситонных спектрах отражения CdSe Кособуцкий, П.С.; Прокопчук, А.Л. Впервые сообщается о наблюдении высокотемпературного (Т = 77 К) «спайка» в экситониом спектре отражения CdSe. Высказано предположение о том, что возможными причинами наблюдаемой аномалии могут быть влияние экситон-фононного взаимодействия на трансляционную массу экситона, а также координатная зависимость фактора затухания в системе экситонов.; Вперше повідомляється про експериментальне спостереження високотемпературного (Т = 77 К) «спайку» в екситонном спектрі відбивання CdSe. Висловлено припущення, що можливими причинами спостережуваної аномалії можуть бути вплив екситон-фононної взаємодії на трансляційну масу екситона, а також координатна залежність фактора згасання в системі екситонів.; A high-temperature (T = 77 K) «spike» was first observed in the exciton reflection spectrum of CdSe. The spike phenomenon is assumed to be due to the influence of the exciton-phonon interaction on the translation exciton mass as well as to the coordinate dependence of the damping factor in the exciton system.

Низкотемпературный предел текучести сплавов алюминий-литий

Mon, 01 Jan 1996 00:00:00 GMT

Низкотемпературный предел текучести сплавов алюминий-литий Исаев, Н.В.; Пустовалов, В.В.; Фоменко, В.С.; Шумилин, С.Э. Изучена зависимость предела текучести бинарных сплавов А1—Li от температуры деформации в интервале 0,5-295 К. Показано, что в процессе старения сплава она становится очень слабой. Полученная температурная зависимость рассматривается как результат суперпозиции механизмов взаимодействия дислокаций с атомами примеси и когерентными, упорядоченными δ'-преципитатами.; Вивчено залежність границі плинності бінарних сплавів А1—Li від температури деформації в інтервалі 0,5-295 К. Показано, що в процесі старіння сплава вона стає дуже слабкою. Одержана температурна залежність розглянута як результат суперпозиції механізмів взаємодії дислокацій з атомами домішки та когерентними, упорядкованими δ'-преципітатами.; The dependence of yield stress of Al—Li binary alloys on deformation temperature is studied at temperatures ranged between 0.5 and 295 K. The dependence is shown to become very weak during the ageing of the alloys. It may be assumed that the temperature dependence is resulted from the superposition of interaction mechanisms of dislocations with impurity atoms and coherent ordered δ'-precipitates.

Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах

Mon, 01 Jan 1996 00:00:00 GMT

Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах Войтенко, А.И.; Габович, А.М.; Розенбаум, В.М. С учетом пространственной и временной дисперсий диэлектрических проницаемостей электродов рассчитаны динамические силы изображения в симметричных трехслойных М-I-М-структурах в первом порядке теории возмущений по параметру неадиабатичности. Показано, что в случае тонкого диэлектрического слоя толщиной 2l << к⁻¹ где к⁻¹ — длина экранирования в электродах, координатная зависимость энергии сил изображения W(z) (-l < z < l) коренным образом отличается от известных классических выражений. А именно, статическое слагаемое Wst(z) является медленно меняющейся функцией z и в пределе кl → 0 равно —е²к/2 (е — заряд электрона). В том же пределе динамическая поправка ΔW(z) к Wst(z) линейна по z и имеет разные знаки вблизи разных электродов. Указанные закономерности позволили получить простые аналитические зависимости туннельного тока от напряжения на электродах, которые сводятся к квазиклассическим выражениям для треугольного (трапецеидального) потенциального барьера с нетривиальными перенормировками значений работы выхода и электрического поля. Подробно обсуждаются вопросы применимости предложенной теории к различным экспериментальным ситуациям.; З урахуванням просторової та часової дисперсій діелектричних проникностей електродів розраховано динамічні сили зображення в симетричних тришарових M—I—M-структурах у першому порядку теорії збурень за параметром неадіабатичності. Показано, що у випадку тонкого діелектричного прошарку товщиною 2l << к⁻¹ де к⁻¹ — довжина екранування в електродах, координатна залежність енергії сил зображення W(z)(-l < z < l) докорінно відрізняється від відо:^ х класичних виразів. А саме, статичний доданок Wst(z) повільно змінюється як функція z і в граничному випадку кl → 0 дорівнює —е²к/2 (е — заряд електрона). В тому ж граничному випадку динамічний доданонок ΔW(z) до Wst(z) є лінійною функцією z та має різні знаки поблизу різних електродів. Вказані закономірності дозволили отримати прості аналітичні залежності тунельного струму від напруги на електродах, які зводяться до квазікласичних виразів для трикутного (або трапеціїдального) потенціального бар’єру з нетривіальними перенормуваннями роботи виходу та електричного поля. Детально обговорюються питання застосовності запропонованої теорії до різних експериментальних ситуацій.; The dynamic image forces in symmetrical three-layer M—I—M structures are calculated to the first order of the perturbation theory in non-adiabaticity parameter with taking into account the spatial and temporal dispersions of the electrode dielectric functions. For a thin insulating interlayer 2l << к⁻¹ thick, where к⁻¹ is the electrode screening length, the co-ordinate dependence of image force energy W(z) (-l < z < l) is shown to be drastically different from the conventional classical expressions. Namely, the static contribution Wst(z) is a slowly varying function of z and in the limit кl → 0 equals —е²к/2 (e is the electron charge). In the same limit the dynamic correction ΔW(z) to Wst(z) is linear in z and has different signs near various electrodes. The above results made it possible to derive simple analytic bias dependences of tunnel currents. The formal expressions look like the quasi-classical ones for triangular (or trapezoidal) potential barriers but with non-trivial renormalization of the work function and electrostatic field. The applicability of the proposed theory to various experimental situations is discussed in detail.