http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132688 Sun, 05 Apr 2026 16:48:43 GMT 2026-04-05T16:48:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/394666/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132688 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140084 Growth of long-length sapphire rods of optical quality Andreev, Yu.P.; Kryvonosov, Yu.V.; Lytvynov, L.A.; Vyshnevskiy, S.D. The technological possibilities of the growth of optical-quality sapphire rods with a diameter of 12...20 mm and a length of 500...1000 mm by the Stepanov method. The influence of crystallization rate and crystallographic growth direction on the optical quality of the crystals was investigated. The technological procedure of "cold" narrowing of the growing crystal at the beginning stage of seeding was proposed to improve crystals structure. It was shown that heat treatment of the grown crystal in a gas environment with neutral chemical potential leads to destruction of optical color centers and scattering foreign-phase inclusions in its volume. It was shown that the main reason of color and scattering centers foundation in sapphire is anionic stoichiometry violation and the presence of uncontrollable impurities in the melt._To obtain long sapphire rods of optical quality the crystallographic oriented growth [1120] is preferred. In the process of growing a rod with a diameter of 14 mm, the depth of the surface-adjacent defective layer does not exceed 0.4 mm and the small-angle optical scattering doesn’t have to be greater than 0.01 cm⁻¹.; Рассмотрены технологические возможности выращивания стержней сапфира оптического качества диаметром 12...20 мм и длиной 500...1000 мм методом Степанова. Исследовано влияние кристаллографического направления роста и скорости кристаллизации на оптическое качество кристаллов. Предложен технологический метод "холодной перетяжки" растущего кристалла на этапе затравления для улучшения его структурного совершенства. Показано, что термообработка выращенного кристалла при нейтральном химическом потенциале среды отжига позволяет разрушить оптические центры окраски и рассеивающие инофазные включения в его объёме. Установлено, что основной причиной образования центров окраски и рассеивающих центров в сапфире является анионная расстехиометрия расплава и наличие в нём сопутствующих неконтролируемых примесей. Для получения длинномерных сапфировых стержней оптического качества предпочтительным кристаллографическим направлением роста является [1120]. При выращивании стержня диаметром 14 мм толщина приповерхностного дефектного слоя не превышает 0,4 мм, а малоугловое оптическое рассеяние не более 0,01 см⁻¹.; Розглянуто технологічні можливості вирощування стержнів сапфіру оптичної якості діаметром 12...20 мм і довжиною 500...1000 мм методом Степанова. Досліджено вплив кристалографічного напрямку росту і швидкості кристалізації на оптичну якість кристалів. Запропоновано технологічний метод "холодного перетягнення" кристала, що росте, на етапі затравлення для поліпшення його структурної довершеності. Показано, що термообробка кристала при нейтральному хімічному потенціалі середовища відпалу дозволяє зруйнувати оптичні центри забарвлення і розсіюючі інофазні включення в його об’ємі. Встановлено, що основною причиною утворення центрів забарвлення і розсіюваю-чих центрів у сапфірі є аніонна розстехіометрія розсплаву та присутність в ньому некон-трольованих домішок. Для отримання довгомірних сапфірових стержнів оптичної якості необхідно віддавати перевагу кристалографічному напрямку росту [1120]. При вирощуванні стержня діаметром 14 мм товщина приповерхневого шару не перебільшує 0,4 малокутове оптичне розсіювання не більш ніж 0,01 см⁻¹. Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140084 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140068 Features of exciton transport in J-aggregates of amphi-PIC Malyukin, Yu.V.; Sorokin, A.V.; Lebedenko, A.N.; Efimova, S.L.; Guralchuk, G.Ya. The experimental results concerning the efficiency of exciton migration under the exciton selective excitation within the amphi-PIC -J-aggregate absorption band at different temperatures are presented. To detect the exciton migration, the luminescence of exciton traps, which are molecules capable of energy capturing as an exciton approaches has been used. Exciton states have been shown to exhibit different mobility within the -J-aggregate absorption band. Excitons in the J-band absorption maximum provide an effective energy transfer to the trap. The efficiency does not change within 20-70 К temperature range and decreases monotonously in the 70-300 К one. At the longer-wavelength edge of the absorption -J-band, excitons are strongly localized. In the 70-300 К range, energy transfer to traps reveals a complicated temperature dependence and activation character.; Представлены экспериментальные результаты исследования эффективности миграции экситонов при их селективном возбуждении в пределах полосы поглощения J-агрегатов amphi-PIC при разных температурах. Для детектирования миграции экситонов использовалась люминесценция экситонных ловушек-молекул, способных перехватывать энергию при приближении экситона. Показано, что экситонные состояния в пределах полосы поглощения J-агрегатов обладают разной подвижностью. Экситоны в максимуме полосы поглощения обеспечивают эффективный перенос энергии, который остается неизменным в диапазоне температур 20—70 К и монотонно спадает при изменении температуры в диапазоне 70-300 К. На длинноволновом краю полосы поглощения экситоны сильно локализованы, в диапазоне температур 70-300 К перенос энергии к ловушкам носит активационный характер и имеет сложную немонотонную темпера-; Представлено експериментальні результати дослідження ефективності міграції екситонів при їх селективному збудженні у межах смуги поглинання -J-агрегатів amphi-PIC при різних температурах. Для детектування міграції екситонів використовувалася люмінесценція екситонних пасток — молекул, що здатні перехоплювати енергію при наближенні екситону. Показано, що екситонні стани у межах смуги поглинання J-агрегатів мають різну рухливість. Екситони у максимумі смуги поглинання забезпечують ефективний перенос енергії, який залишається незмінним у діапазоні температур 2070 К та монотонно спадає при зміні температури у діапазоні 70-300 К. На довгохвильовому краї смуги поглинання екситони сильно локалізовані, у діапазоні температур 70-300 К перенос енергії на пастки носить активаційний характер та має складну немонотонну температурну залежність. Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140068 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140064 Optical properties of TiAISiN based thin films Nakonechna, O.I.; Poperenko, L.V.; Yurgelevych, I.V. Spectroellipsometric investigations of optical properties of TiAISiN based thin films have been performed. The dispersive dependences of the film optical conductivity о have been obtained in the 1-5 eV spectral range. The observed intense absorption in the near ultraviolet range and some low intensity peculiarities in the near infrared one against a background of intraband absorption in the о curves are related to the interband electron transitions. The character differences in о curves for various coatings could be explained by different chemical composition and the deposition techniques.; Проведены спектроэллипсометрические исследования оптических свойств тонких пленок на основе TiAISiN. Получены дисперсионные зависимости оптической проводимости о покрытий в спектральном интервале 1—5 эВ. Интенсивное поглощение в ближней ультрафиолетовой спектральной области и малоинтенсивные особенности в ближней инфракрасной области на фоне внутризонного поглощения, которые наблюдаются на кривых о, связаны с междузонными переходами электронов. Отличия в характере кривых о для различных покрытий можно объяснить различными химическими составами, а также способами их напыления.; Проведено спектроеліпсометричні дослідження оптичних властивостей тонких плівок на основі TiAISiN. Отримано дисперсійні залежності оптичної провідності ст покриттів у спектральному інтервалі 1—5 еВ. Інтенсивне поглинання у ближній ультрафіолетовій спектральній області та малоінтенсивні особливості у ближній інфрачервоній області на фоні внутрішньозонного поглинання, які спостерігаються на кривих ст, пов’язані з міжзонними переходами електронів. Відмінності у характері кривих ст для різних покриттів можна пояснити різними хімічними складами, а також способами їх напилення. Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140064 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140063 A small-sized spectrometric detection block of the scintillator-photodiode system for determination of radionuclide localization sites Nekrasov, V.V.; Belogub, V.V.; Borodenko, Yu.A.; Gektin, A.V.; Grinyov, B.V.; Selegenev, E.M. A new small-sized spectrometric gamma-radiation detection block of scintillator-photodiode system has been developed. The block is of θ10x60 mm² size and consists of a Csl(TI)-Si PD detector, charge-sensitive amplifier, shaper and an output matching channel. The sensitivity at E = 60 keV is 0.2 pulse·s⁻¹/μR•h⁻¹; Разработан новый малогабаритный спектрометрический блок детектирования у-излучения системы сцинтиллятор-фотодиод. Блок имеет размеры 010x60 мм2 и состоит из детектора Csl(TI)-Si ФД зарядочувствительного усилителя, формирователя и выходного согласующего каскада. Чувствительность блока при Е = 60 кэВ составляет 0,2 имп.-сек⁻¹/мкР-час⁻¹.; Розроблено новий малогабаритний спектрометричний блок детектування у-випромі-нювання системи сцинтилятор-фотодіод. Блок має розміри θ10x60 мм² і складається з детектора Csl(TI)-Si ФД, зарядочутливого підсилювача, формувача та вихідного узгоджуючого каскаду. Чутливість блока при Е = 60 кеВ складає 0,2 імп.-сек⁻¹/мкР-год⁻¹. Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140063 2005-01-01T00:00:00Z