http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130079 Thu, 30 Apr 2026 09:00:19 GMT 2026-04-30T09:00:19Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/387119/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130079 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130092 Рецензенты номера Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130092 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130091 Новые книги Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130091 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130090 Применение энтропийного коэффициента для оптимизации числа интервалов при интервальных оценках Тыныныка, А.Н. Показано, что в качестве критерия выбора числа интервалов группирования опытных данных при интервальных оценках может использоваться энтропийный коэффициент. В соответствии с описанной процедурой быстрого определения числа интервалов на массиве данных исследована точность имеющихся в литературе и предложенных новых формул. Проведен анализ в сравнении с ранее опубликованными результатами применения для этих целей критерия согласия Пирсона. Сделаны расчеты с целью сравнения эффективности применения одних и тех же формул при распределении выборочных данных по нормальному закону и по закону Рэлея.; Показано, що як критерій вибору числа інтервалів групування досліджених даних при інтервальних оцінках можна використовувати ентропійний коефіцієнт. Відповідно до описаної процедури швидкого визначення числа інтервалів на масиві даних досліджено точність наявних в літературі і запропонованих нових формул. Проведено аналіз в порівнянні з раніше опублікованими результатами застосування для цих цілей критерію згоди Пірсона. Зроблено розрахунки з метою порівняння ефективності застосування одних і тих самих формул при розподілі вибіркових даних за нормальним законом і за законом Релея.; In solving many statistical problems, the most precise choice of the distribution law of a random variable is required, the sample of which the authors observe. This choice requires the construction of an interval series. Therefore, the problem arises of assigning an optimal number of intervals, and this study proposes a number of formulas for solving it. Which of these formulas solves the problem more accurately? In [9], this question is investigated using the Pearson criterion. This article describes the procedure and on its basis gives formulas available in literature and proposed new formulas using the entropy coefficient. A comparison is made with the previously published results of applying Pearson's concord criterion for these purposes. Differences in the estimates of the accuracy of the formulas are found. The proposed new formulas for calculating the number of intervals showed the best results. Calculations have been made to compare the work of the same formulas for the distribution of sample data according to the normal law and the Rayleigh law. Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130090 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130089 Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ Семенов, A.В.; Лопин, A.В.; Борискин, В.Н. Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь проявляются в УФ-области спектра поглощения, обусловленной межзонными переходами. Показано, что вслед за начальной разупорядоченностью пленок nc-SiC, полученной при флюенсе 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻², происходит упорядочение структуры при дозах облучения (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Установлено, что начало отжига дефектов в облученных пленках наблюдается уже при 200°C. Существенные изменения оптических свойств в сапфире начинаются при флюенсе 5∙10¹⁷ см⁻², что следует учитывать при использовании этих материалов для оптоэлектронных приборов в условиях интенсивных радиационных воздействий.; Досліджено стійкість до радіації плівок нанокристалічного карбіду кремнію на підкладці з монокристала сапфіра в умовах опромінення високоенергетичними (10 МеВ) електронами в діапазоні 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Встановлено, що радіаційні зміни в плівках nc-SiC в першу чергу проявляються в УФ-області спектра поглинання, яка пов'язана з міжзонними переходами. Показано, що слідом за початковою разупорядкованістю плівок nc-SiC при флюенсі 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻² відбувається впорядкування структури при дозах опромінення (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Встановлено, що початок відпалу дефектів в опромінених плівках спостерігається вже за температури 200°C. Істотні зміни оптичних властивостей в сапфірі починаються при флюенсі 5∙10¹⁷ см⁻², що слід враховувати при використанні цих матеріалів для оптоелектронних приладів і сенсорів в умовах інтенсивного радіаційного впливу.; It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5∙10¹⁴ to 9∙1019 cm⁻² and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc-SiC films is primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5∙10¹⁷ cm⁻², which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact. Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/130089 2017-01-01T00:00:00Z