http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129569 Sun, 05 Apr 2026 22:14:10 GMT 2026-04-05T22:14:10Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/385626/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129569 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129983 Влияние локальных дефектов на колебательные характеристики полубесконечных и бесконечных одномерных структур в периодическом внешнем поле Мамалуй, М.А.; Сыркин, Е.С.; Феодосьев, С.Б. Точные аналитические выражения для функций Грина структур цепного типа с дефектами во внешнем периодическом поле получены методом матриц Якоби. Рассмотрена двухатомная примесная молекула в одноатомной цепи, а также адсорбированные цепи с одноатомной и двухатомной элементарной ячейкой. Исследуются условия образования и характеристики локальных и щелевых колебаний. Проанализирована эволюция пороговых значений массы дефекта, необходимого для формирования локализованных колебаний двумя изотопными примесями при изменении разделения между ними.; Exact analytic expressions for Green’s functions of the chain type structures with defects in an external periodic field are obtained by the method of Jacobi matrices. A diatomic impurity molecule in a monatomic chain as well as adsorbed chains with a monatomic and a diatomic unit cell are considered. The conditions for the formation and the characteristics of local and gap vibrations are investigated. The evolution of the threshold values of mass of the defect required for the formation of localized vibrations by two isotopic impurities upon a change in the separation between them is analyzed. Fri, 01 Jan 1999 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129983 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129982 Особенности pезонансного pассеяния фононов плоским дефектом в ГЦК кpисталле Косевич, А.М.; Савотченко, С.Е.; Мацокин, Д.В. Исследованы резонансные особенности рассеяния фононов от плоского дефекта в ГЦК-кристалле с центральным взаимодействием между ближайшими соседями. Показано, что резонансные эффекты связаны с взаимодействием фононов двух объемных ветвей на плоском дефекте. Получены дисперсионные кривые для частот резонансной передачи и отражения. Для выяснения физической природы исследуемых резонансов дисперсионные соотношения локализованных на дефекте колебаний вычисляются в широком диапазоне длин волн. Частотные кривые локализованных симметричных колебаний продолжаются в объемном спектре в виде дисперсионных кривых частот резонансных фононов, прошедших через дефект.; Resonant peculiarities of phonon scattering from a plane defect in an fcc crystal with the central interaction between nearest neighbors are investigated. It is shown that resonance effects are associated with the interaction of phonons of two bulk branches on a plane defect. Dispersion curves for the frequencies of resonance transmission and reflection are derived. To clarify the physical nature of resonances under investigation, the dispersion relations of vibrations localized at the defect are calculated in a wide range of wavelengths. The frequency curves of localized symmetric vibrations continue in the bulk spectrum in the form of dispersion curves of the frequencies of resonant phonons transmitted through the defect. Fri, 01 Jan 1999 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129982 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129981 Рекомбинация зарядовых носителей в криокристаллах неона с примесью кислорода Белов, А.Г. Экспериментально исследована рекомбинация электронов и дырок в неоновых кристаллах, содержащих глубокие ловушки электронов из-за примесного кислорода вместе со слабо локализованными электронными состояниями матрицы. Измерения проводятся методом спектроскопии катодной люминесценции в диапазонах ВУФ, УФ и видимых длин волн при температурах от 2 до 8К. Обнаружено, что температурные зависимости интегральных интенсивностей собственной и внешней люминесценции в твердых растворах кислорода в неоне сходны и немонотонны по своей природе. Наблюдаемый эффект анализируется в модели двух сосуществующих каналов энергетической релаксации электронных возбуждений: через подсистему экситона Γ (1/2,3/2) и через рекомбинацию автолокализованных двухцентровых дырок и электронов. Показано, что изменения температуры интегральных параметров люминесценции обусловлены в основном особенностями рекомбинационного канала, эффективность которого определяется вероятностью локализации электронов в решетке матрицы в низкотемпературных областях (2,5-5К) и вероятностью улавливание примесных центров в температурном интервале 6-8К. Получены дополнительные доказательства возможности электронного автолокализации в решетке Ne с образованием неглубоких локализованных состояний.; The recombination of electrons and holes in neon crystals containing deep electron traps due to impurity oxygen along with weakly localized electron states of the matrix is investigated experimentally. Measurements are made by the method of cathode-luminescence spectroscopy in VUV, UV, and visible wavelength ranges at temperatures varying from 2 to 8K. It is found that the temperature dependences of integral intensities of intrinsic and extrinsic luminescence in solid solutions of oxygen in neon are similar and nonmonotonic by nature. The observed effect is analyzed in the model of two coexisting channels of energy relaxation of electron excitations: through the Γ(1/2,3/2) exciton subsystem and through the recombination of self-trapped two-center holes and electrons. It is shown that temperature variations of integral parameters of luminescence are mainly due to peculiarities of the recombination channel whose efficiency is determined by the probability of electron localization in the matrix lattice in the low-temperature regions (2.5–5K) and by the probability of trapping at impurity centers in the temperature range 6–8K. Additional proofs are obtained for the possibility of electron self-trapping in the Ne lattice with the formation of shallow localized states. Fri, 01 Jan 1999 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129981 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129888 Низкотемпературная люминесценция тонких пленок C₆₀ различной структуры Авдеенко, А.А.; Еременко, В.В.; Зиновьев, П.В.; Силаева, Н.Б.; Тиунов, Ю.А.; Горбенко, Н.И.; Пугачев, А.Т.; Чуракова, Н.П. Приводятся результаты исследования низкотемпературной (5 К) фотолюминесценции тонких пленок фуллерита C₆₀ различных структур, полученных на монокристаллических подложках NaCl вакуумным осаждением при температурах в интервале 290-400 К. В зависимости от условий осаждения, пленочная структура, которая контролировалась методом стандартной дифракции электронов с высокой степенью передачи (ТЕЕД), варьируется от дезориентированной структуры до ориентированной структуры с различными средними размерами микрокристаллов. Влияние структуры пленки на спектральную полосу фотолюминесценции фуллерита, связанное с люминесценцией структурных дефектов (X-traps), объясняется особенностями переноса и захвата когерентных синглетных экситонов в монокристаллах разных размеров.; We present the results of investigation of low-temperature (5 K) photoluminescence of thin fullerite C₆₀ films of various structures obtained on monocrystalline NaCl substrates by vacuum deposition at temperatures in the interval 290–400 K. Depending on the conditions of deposition, the film structure, which was controlled by the standard transmission high-energy electron diffraction (THEED) technique, varies from a disoriented structure to an oriented structure with different average sizes of microcrystals. The effect of the film structure on the photoluminescence spectral band of fullerite, associated with the luminescence of structural defects (X -traps), is attributed to the peculiarities of transport and capture of coherent singlet excitons in single crystals of various sizes. Fri, 01 Jan 1999 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129888 1999-01-01T00:00:00Z