Физика низких температур, 2000, № 06

Свойства динамических солитонов нелинейных систем, определяемые линеаризованным уравнением

Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT

Свойства динамических солитонов нелинейных систем, определяемые линеаризованным уравнением Косевич, А.М. Обсуждены особенности динамических солитонов в нелинейных системах разной размерности, описываемых дифференциальными уравнениями с пространственными производными четвертого порядка. Сформулированы условия существования безызлучательного солитона в случае, когда его внутренняя частота попадает в сплошной спектр гармонических колебаний изучаемой системы. Эти условия определяются видом закона дисперсии линейных колебаний. Продемонстрировано использование сформулированных условий для определения параметров 1D солитонов.; The features of dynamic solitons in nonlinear systems described by differential equations with fourth-order spatial derivatives are discussed for systems of different dimensionalities. The existence conditions for a nonradiative soliton are formulated for the case when the internal frequency of the soliton lies in the continuous spectrum of harmonic oscillations of the system under study. These conditions are determined by the form of the dispersion relation of the linear oscillations. The use of the stated conditions for determining the parameters of two-dimensional solitons is demonstrated.

Волноводные свойства двух параллельных дефектов в условиях двухканального рассеяния

Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT

Волноводные свойства двух параллельных дефектов в условиях двухканального рассеяния Косевич, А.М.; Мацокин, Д.В. Показано, что пара параллельных плоских дефектов в кристалле может играть роль волновода для квантовой частицы или волны, имеющей две ветви закона дисперсии. Определены энергии (или частоты), при которых возбуждения локализованы между дефектами и свободно распространяются вдоль них. В двумерной системе существует дискретный набор энергий, при которых между двумя параллельными линейными дефектами могут быть <зажаты> 2D возбуждения.; It is shown that a pair of parallel planar defects in a crystal can act as a waveguide for a quantum particle or wave having two branches of the dispersion relation. The energies (or frequencies) for which the excitations are localized between the defects and propagate freely along them are determined. In a two-dimensional system there exists a discrete set of energies at which two-dimensional excitations can be “held in” between two parallel linear defects.

Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов

Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT

Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов Гончарук, Н.А.; Тарасова, Е.И. Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокристаллах Ar, Kr, Xe. Представлены результаты численного расчета кривых энергетической зависимости затухания Г(E,T=const ) пpи нескольких температурах во всей области существования свободных экситонов каждого кристалла. Получены аналитические выражения для Г(Е,Т) при T=0 и при T > 2ℏks. Сравнение с данными численного pасчета приводит к выводу о спpаведливости линейной температурной зависимости Г(E = const,T) в широком диапазоне температур, за исключением очень низких. Показано, что при температуре выше критической существует область энергий в окрестности ET , в котоpой преобладают процессы с поглощением фононов, препятствующие релаксации поляритонов вниз по дисперсионной кривой. Ширина этого участка сравнима с максимальной энергией фононов и увеличивается с pостом температуры.; The single-phonon damping of polaritons governs the most important characteristics of the relaxation processes of excitations in the region of the resonance energy ET. Here the single-phonon damping of polaritons by acoustical phonons is calculated in the deformation-potential approximation for the lowest excitons Γ(3/2) in Ar, Kr, and Xe cryocrystals. The results of a numerical calculation of the curves of the energy dependence of the damping Γ(E,T=const) at several temperatures spanning the free exciton existence region for each crystal are presented. Analytical expressions are obtained for Γ(E,T) at T=0 and T>2ℏks. A comparison with the data from the numerical calculation indicates that a linear temperature dependence Γ(E=const,T) holds over a wide temperature range, except at very low temperatures. It is shown that at temperatures above the critical point there exists a region of energies in the neighborhood of ET in which processes involving the absorption of phonons are dominant and prevent the relaxation of the polaritons down the dispersion curve. The width of this region is comparable to the maximum phonon energy and increases with increasing temperature.

Горячие электроны в наноконтактах

Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT

Горячие электроны в наноконтактах Кулинич, С.И.; Шехтер, Р.И.; Кривe, И.В. Теоретически исследован вопрос о температуре электронной подсистемы в микроконтакте как функции приложенного напряжения. Показано, что в микроконтактах, характерный размер которых порядка нескольких постоянных решетки (наноконтакты), при достаточно больших приложенных напряжениях наpушается теpмодинамическое pавновесие между электpонами и фононами; при этом температура электронной подсистемы - линейная функция приложенного напряжения и по абсолютной величине может достигать значений порядка фермиевской энергии. Эти результаты согласуются с недавно полученными экспериментальными данными.; A theoretical study is made of the temperature of the electron subsystem in a microcontact as a function of the applied voltage. It is shown that in microcontacts whose characteristic linear dimension is of the order of several lattice constants (nanocontacts) a breakdown of thermodynamic equilibrium between the electrons and phonons occurs at high applied voltages. Then the temperature of the electron subsystem is a linear function of the applied voltage, and its absolute magnitude can reach values of the order of the Fermi energy. These results agree with recent experimental data.