http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126015 Sat, 11 Apr 2026 16:56:43 GMT 2026-04-11T16:56:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/374992/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126015 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126038 Влияние рН смазочно-охлаждающей технологической среды на производительность механической обработки сапфира Волошин, А.В.; Долженкова, Е.Ф.; Литвинов, Л.А.; Петухов, А.А.; Слюнин, Е.В. Изучено проявление эффекта Ребиндера при абразивной обработке сапфира в зависимости от рН смазочно-охлаждающей технологической среды. Изменение рН от нейтральной до кислой привело к увеличению скорости шлифования закрепленным абразивом в 1,8 раза. Щелочная среда также способствовала повышению скорости истирания поверхности закрепленным абразивом. Применение как смазочно-охлаждающей технологической среды кислого раствора привело к увеличению производительности процесса полирования сапфира, щелочной – к ее снижению.; Вивчено прояв ефекту Ребіндера при абразивній обробці сапфіру в залежності від рН змазуючо-охолоджувальної рідини. Зміна рН від нейтральної до кислої привела до збільшення швидкості шліфування закріпленим абразивом в 1,8 рази. Лужне середовище також сприяло підвищенню швидкості стирання поверхні закріпленим абразивом. Застосування кислого розчину як охолоджувальної рідини привело до збільшення продуктивності процесу полірування сапфіру, лужної – до її зниження.; The manifestation of Rehbinder effect in abrasive machining of sapphire has been studied versus coolant pH. The change of pH from neutral to acidic results in an 1.8 times higher rate of grinding with a bound abrasive. An alkaline medium also facilitates the workpiece surface attrition by a bound abrasive. The use of an acidic solution as a coolant leads to an increase in efficiency of polishing sapphire, while an alkaline one lowers the polishing efficiency. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126038 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126037 Структурозмінений поверхневий шар контактних поверхонь кругу з НТМ та виробу, що піддається обробці, як чинник підвищення їх зносостійкості (зміна елементного складу) Лавріненко, В.І. Досліджено утворення структурозміненого поверхневого шару контактних поверхонь кругу з надтвердих матеріалів та оброблюваного виробу при тепловому та плазмовому впливах за рахунок перерозподілу елементного складу матеріалу, що піддавався такому впливу. Показано, що зміна елементного складу має вплив на механічні характеристики контактних поверхонь і, як наслідок, дозволяє знайти умови підвищення їхньої зносостійкості.; Исследовано образование структурноизмененного поверхностного слоя контактных поверхностей круга из СТМ и обрабатываемого изделия при тепловом и плазменном воздействиях за счет перераспределения элементного состава материала, который подвергали такому воздействию. Показано, что изменение элементного состава влияет на механические характеристики контактных поверхностей и, в результате, позволяет определить условия повышения их износостойкости.; The paper addresses the formation of a structurally changed contact surface layer in a superabrasive wheel and workpiece under thermal and plasma actions, which occurs through redistribution of elemental composition in the material subjected to such actions. The change of the elemental composition is shown to have an effect on mechanical characteristics of the contact surfaces and thus makes it possible to find conditions for improving their wear resistance. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126037 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126036 Оценка разрешающей способности сканирующего туннельного микроскопа с острием из легированного бором алмаза Лысенко, О.Г.; Грушко, В.И.; Ткач, В.Н.; Мицкевич, Е.И. На основании анализа зависимости туннельного тока от параметров системы алмазное острие–образец сканирующего туннельного микроскопа оценена разрешающая способность прибора при его работе в режиме сканирования. Установлены параметры сканирования и точность поддержания постоянного значения туннельного тока системой обратной связи прибора, при которых возможно наличие атомарного разрешения в случае единственного канала туннелирования. Предложено альтернативное (к наиболее известным публикациям) объяснение гексагональной структуры поверхности пиролитического графита, наблюдаемой с атомарным разрешением. Обсуждена проблема многоканального туннелирования, связанная с наличием в рабочей зоне алмазного зонда нескольких нановыступов, инициирующих туннелирование и ухудшающих разрешающую способность сканирующего туннельного микроскопа.; На основі аналізу залежностей тунельного струму від параметрів системи алмазне вістря–зразок сканувального тунельного мікроскопу оцінено роздільну здатність приладу при його роботі у режимі сканування. Встановлено параметри сканування та точність підтримки постійного значення тунельного струму системою зворотного зв’язку приладу, за яких можлива наявність атомарної роздільної здатності у випадку поодинокого каналу тунелювання. Запропоновано альтернативне (до найбільш відомих публікацій) пояснення гексагональної структури поверхні піролітичного графіту, що спостерігали з атомарною роздільною здатністю. Розглянуто проблему багатоканального тунелювання, що пов’язана з наявністю у робочій зоні алмазного зонда кількох нановиступів, які ініціюють тунелювання та погіршують роздільну здатність сканувального тунельного мікроскопу.; The assessment of the resolution of scanning tunneling microscope when operated in the scanning mode has been made based on the analysis of the tunneling current on parameters of diamond tip–sample system. The scanning parameters and accuracy of supporting the constant tunneling current by the system of the instrument feedback, at which the presence of the atomic resolution is possible in the case of a single channel of tunneling, have been defined. An alternative (in respect to the best known publications) explanation of the hexagonal structure of the pyrolytic graphite surface observed with atomic resolution has been suggested. The problem of multichannel tunneling caused by the presence of several nanoprotrusions in the diamond probe test zone that initiate tunneling and impair the resolution of a scanning tunneling microscope is discussed. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126036 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126035 Модификация механических свойств покрытий TiN/Al₂O₃ и TiN/Cr/Al₂O₃ при помощи низкоэнергетических сильноточных электронных пучков Погребняк, А.Д.; Кравченко, Ю.А. Представлены результаты исследования структуры, элементного и фазового состава гибридных покрытий TiN/Al₂O₃ и TiN/Cr/Al₂O₃. Показано, что электронно-лучевая обработка поверхности гибридных покрытий позволяет увеличить микротвердость защитного слоя от 8,3 до 14,4 ГПа. Установлено, что повышение твердости гибридных покрытий связано с увеличением плотности материала и восстановлением a-фазы Al₂O₃ в составе защитного слоя под влиянием термической активации поверхности.; Наведено результати дослідження структури, елементного та фазового складу гібридних покриттів TiN/Al₂O₃ і TiN/Cr/Al₂O₃. Показано, що електроннопроменева обробка поверхні гібридних покриттів дозволяє збільшити мікротвердість захисного шару від 8,3 до 14,4 ГПа. Встановлено, що підвищення твердості гібридних покриттів пов’язано із збільшенням щільності матеріалу і відновленням α-фази Al₂O₃ у складі захисного шару під впливом термічної активації поверхні.; The structure, elemental and phase compositions of the TiN/Al₂O₃ and TiN/Cr/Al₂O₃ hybrid coatings have been studied. It has been shown that an electron-beam treatment of hybrid coating surface makes it possible to increase the protective layer microhardness from 8.3 to 14.4 GPa. It has been found that the increase of hybrid coating hardness is a result of an increase of the material density and recovery of the a-phase of Al₂O₃ in the protective layer composition due to the thermal activation of the surface. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/126035 2013-01-01T00:00:00Z