http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125808 Tue, 07 Apr 2026 06:08:01 GMT 2026-04-07T06:08:01Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/374395/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125808 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125816 Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния Мицек, А.И. Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) систем дает зависимость энергии связи Г(Т) от температуры Т, обусловленную флуктуациями химических (ковалентных) связей (ФХС).; Кулонівська взаємодія пари електронів ri сусідніх йонів Rj в представленні сильного зв’язку зводиться або до енергії ковалентного зв’язку (Г), або ж до інтеґрала перескоку (t), які обчислюються для двовимірних систем типу фуллеренів (ФУЛ) і нанорурок вуглецю (НРВ). Теорія напівпровідникових (н/п) систем дає залежність енергії зв’язку Г(Т) від температури Т, зумовлену флюктуаціями хемічних (ковалентних) зв’язків (ФХЗ).; The Coulomb interaction of electron pair in ri of neighbour ions at Rj within the tight-binding representation comes either to the covalent-bond energy (Г) or to the hopping integral (t) that is calculated for two-dimensional systems such as fullerenes (FUL) and carbon nanotubes (CNT). The theory of semiconductor (s/c) systems leads to the dependence of bond energy Г(T) on temperature T, which is caused by the chemical (covalent) bond fluctuations (CBF). Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125816 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125815 Покрытия на базе нитрида хрома. Опыт создания и исследования Гугля, А.Г.; Неклюдов, И.М. В обзоре систематизированы результаты исследований последних 25 лет в области получения и применения Cr–N-покрытий, создаваемых с помощью вакуумно-дуговых, магнетронных и ионно-стимулированных технологий. Проанализирована взаимосвязь между базовыми параметрами процессов, такими как давление рабочего газа, энергия ионов, степень ионизации, потенциал смещения и др., и структурно-фазовыми, механическими и трибологическими характеристиками покрытий. Выявлены характерные отличия в условиях получения покрытий CrN и Cr₂N. Проведено сравнение эксплуатационных свойств Ti–N- и Cr–N-покрытий.; У даному огляді систематизовано результати досліджень за останні 25 років у галузі одержання та використання Cr–N-покриттів, які створюються за допомогою вакуумно-дугових, магнетронних та йонно-стимульованих технологій. Проаналізовано взаємозв’язок між базовими параметрами процесів, такими як тиск робочого газу, енергія йонів, ступінь йонізації, потенціял зміщення та ін., і структурно-фазовими, механічними та трибологічними характеристиками покриттів. Виявлено характерні відмінності в умовах створення покриттів CrN та Cr₂N. Виконано порівняння експлуатаційних властивостей Ti–N- та Cr–N-покриттів.; The investigation results concerning fabrication and application of Cr–N coatings, which are produced by the vacuum-arc evaporation, magnetron sputtering, and ion-beam-assisted deposition, are systematized. The links between base parameters of these processes such as gas pressure, ion energy, ionization degree, bias potential and structure, mechanical, and tribological characteristics are analyzed. The characteristic differences of fabrication conditions for CrN and Cr₂N coatings are revealed. The comparison of performance attributes of Ti–N and Cr–N coatings is carried out. Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125815 2005-01-01T00:00:00Z