http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122617 Thu, 16 Apr 2026 14:21:26 GMT 2026-04-16T14:21:26Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/501535/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122617 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122648 Авторский указатель. Том 7(21), 2016 Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122648 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122647 Михаил Иванович Дзюбенко (К 75-летию со дня рождения) 9 ноября 2016 года исполнилось 75 лет доктору физико-математических наук, профессору, заведующему отделом квантовой электроники и нелинейной оптики ИРЭ им. А. Я. Усикова НАН Украины, члену редколлегии жур-нала «Радиофизика и электроника» Михаилу Ивановичу Дзюбенко Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122647 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122646 Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN Боцула, О.В.; Приходько, К.Г.; Зозуля, В.А. Освоение миллиметрового и терагерцевого диапазонов является одной из актуальных задач радиофизики. Однако на сегодняшний день набор активных элементов, способных работать в указанных диапазонах, ограничен. Ударная ионизация в широко-зонных нитридных соединениях является быстропротекающим процессом и может быть использована в активных элементах указанных диапазонов. В данной работе исследуется перенос заряда в коротких (с длиной активной области менее 0,3 мкм) диодных структурах на основе AlzGa1–zN с целью определения условий возникновения и особенностей ударной ионизации, а так же ее влияния на характеристики приборов. Показана возможность получения локализованной области с высокой напряженностью электрического поля, достаточной для возникновения ударной ионизации и управления ею путем изменения распределения состава AlzGa1–zN по длине диода. Результатом исследований является определение основных закономерностей развития ударной ионизации в предложенных диодных структурах. Они являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов и практической реализации таких структур.; Освоєння міліметрового і терагерцового діапазонів є однією із актуальних задач радіофізики. Проте на сьогодні набір активних елементів, що здатні працювати у вказаних діапазонах, є обмеженим. Ударна іонізація в широкозонних нітридних сполуках представляє собою швидкоплинний процес і може бути використана в активних елементах зазначених діапазонів. У цій роботі досліджується перенессення заряду в коротких (з довжиною активної області менше 0,3 мкм) діодних структурах на основі AlzGa1–zN з метою визначення умов виникнення та особливостей ударної іонізації, а також її вплив на характеристики приладів. Показано можливість отримання локалізованої області з високою напруженістю електричного поля, достатньою для виникнення ударної іонізації та керування нею шляхом зміни розподілу складу AlzGa1–zN по довжині діода. Результатами досліджень є визначення основних закономірностей розвитку ударної іонізації в запропонованих діодних структурах. Вони є орієнтиром для подальшого детального аналізу фізичних процесів та практичної реалізації таких структур.; The development of millimeter and terahertz wave ranges is one of the main objectives of radiophysics. However, there are not many active elements that can operate in those ranges. Impact ionization in wide gap semiconductors is a fast process and can be used in active elements operating in these ranges. In this paper the charge transfer in short diodes (the length of the active area is less than 0.3 m) is considered. The purpose of the study is to determine the appearance conditions and peculiarities of impact ionization. The influence of impact ionization on devises characteristics is determined. The possibility of creating localized high electric field region is shown. The field magnitude is enough for obtaining impact ionization. It is a possibility to operate the impact ionization by changing the AlzGa1–zN composition distribution along the diode. The result of the study is the determination of properties of impact ionization in the proposed structures. They can be used for further detailed analysis of physical processes of the structures and their manufacturing. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122646 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122645 Terahertz transverse-magnetic-polarized waves localized on layered superconductor defect in photonic crystals Apostolov, S.S.; Iakushev, D.A.; Makarov, N.M.; Shmat’ko, A.A.; Yampol’ski, i V.A. We theoretically study eigenstates of electromagnetic field inside a one-dimensional photonic crystal containing a defect slab of layered superconductor. Basing on the transfer matrix formalism along with the electrodynamics of Josephson plasma, we obtain the dispersion relations describing the THz electromagnetic modes localized on defect. We consider both symmetric and antisymmetric configuration of defect in photonic crystal. The comparison of the dispersion spectra of the localized states for the layered-superconducting defect and the pure insulating defect reveals the features of the studied system.; Теоретически исследованы собственные состояния электромагнитного поля в одномерном фотонном кристалле, содержащем дефектную пластину из слоистого сверхпроводника. Основываясь на методе трансфер-матрицы, с использованием электродинамики джозефсоновской плазмы, получены дисперсионные соотношения, описывающие терагерцевые электромагнитные моды, локализованные на дефекте. Рассмотрены симметричная и антисимметричная конфигурации дефекта в фотонном кристалле. Сравнение дисперсионных спектров локализованных состояний для сверхпроводящего и диэлектрического дефектов позволяет выявить особенности изучаемой системы.; Теоретично вивчені власні стани електромагнітного поля в одновимірному фотонному кристалі, що містить дефектну пластину з шаруватого надпровідника. Ґрунтуючись на методі трансфер-матриці, з використанням електродинаміки джозефсонівської плазми, отримані дисперсійні співвідношення, які описують терагерцові електромагнітні моди, що локалізовані на дефекті. Розглядаються симетрична і антисиметричну конфігурації дефекту в фотонному кристалі. Порівняння дисперсійних спектрів локалізованих станів для надпровідного і діелектричного дефектів дозволило виявити особливості системи, що досліджується. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122645 2016-01-01T00:00:00Z