<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Физика низких температур, 2005, № 03-04</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117846</link>
<description/>
<pubDate>Fri, 24 Apr 2026 18:16:05 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-24T18:16:05Z</dc:date>
<image>
<title>Физика низких температур, 2005, № 03-04</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/350575/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117846</link>
</image>
<item>
<title>Магнитный резонанс и осцилляции магнитной анизотропии в сверхрешетках Co/Cu (111)</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121767</link>
<description>Магнитный резонанс и осцилляции магнитной анизотропии в сверхрешетках Co/Cu (111)
Каплиенко, А.И.; Николова, Э.П.; Кутько, К.В.; Андерс, А.Г.; Зорченко, В.В.; Стеценко, А.Н.
Проведено исследование магнитного резонанса в магнитных полях, параллельных либо перпендикулярных&#13;
плоскости пленок, в мультислоях [Co(8Å)/Cu(dCu)(111)] ₂₀, полученных&#13;
магнетронным распылением. Обнаружены осцилляции магнитной анизотропии KA и ширины&#13;
резонансной линии ΔHres при изменении толщины прослоек меди в интервале dCu = 7–19 Å.&#13;
Экстремумы KA и ΔHres наблюдались при dCu = nd₍₁₁₁₎, где n — целое или полуцелое число,&#13;
d₍₁₁₁₎ = 2,087 Å — расстояние между плоскостями (111) Сu, причем расстояние между соседними&#13;
максимумами или минимумами составляло 1, 1,5 и 2d₍₁₁₁₎. Осцилляции KA и ΔHres сопровождались&#13;
синхронными с ними осцилляциями удельного электросопротивления при насыщении&#13;
(в поле H = 15 кЭ) и магнитосопротивления. В областях dCu = 8–11 Å и dCu ≥ 18 Å обнаружено&#13;
проявление межслоевого антиферромагнитного обменного взаимодействия. Наблюдавшиеся&#13;
эффекты связаны с немонотонным изменением шероховатости границ раздела слоев при увеличении&#13;
dCu.; Проведено дослідження магнітного резонансу у магнітних полях, паралельних або перпендикулярних&#13;
площині плівок, у мультишарах [Co(8Å)/Cu(dCu)(111)]₂₀, отриманих магнетронним&#13;
розпиленням. Виявлено осцилляції магнітної анізотропії KA та ширини резонансної лінії ΔHres&#13;
при зміні товщини прошарків міді в інтервалі dCu = 7–19 Å. Екстремуми KA і ΔHres спостерігалися&#13;
при dCu = nd₍₁₁₁₎, де n — ціле або напівціле число, d₍₁₁₁₎ = 2,087 Å — відстань між площинами&#13;
(111) Сu, причому відстань між сусідніми максимумами або мінімумами складало 1, 1,5 та&#13;
2d₍₁₁₁₎. Осциляції KA і ΔHres супроводжувалися синхронними з ними осциляціями питомого електроопору&#13;
при насиченні (у полі H = 15 кЕ) і магнітоопору. У областях dCu = 8–11 Å і dCu ≥ 18 Å&#13;
виявлено прояв міжшарової антиферомагнітної обмінної взаємодії. Ефекти, що спостерігалися,&#13;
зв’язані з немонотонною зміною шорсткості границь поділу шарів при збільшенні dCu.; Magnetic resonance in the multilayer magnetron&#13;
sputtered system [Co(8 Å)/Cu(dCu(111)]₂₀&#13;
have been investigated at external magnetic field&#13;
normal or parallel to the film plane. It is found&#13;
that magnetic anisotropy KA and resonance line&#13;
width ΔHres are oscillated with varying copper&#13;
layer thickness dCu from 7 to 19 Å. Extremal values&#13;
of KA and ΔHres were observed at&#13;
dCu = nd₍₁₁₁₎ where n is integer or half-integer&#13;
and d₍₁₁₁₎ = 2,087 Å is the distance between the&#13;
Cu (111) planes. The separation between neighbouring&#13;
maxima and minima was 1, 1.5 and 2&#13;
d₍₁₁₁₎. The oscillations of KA and ΔHres are accompanied&#13;
by synchronous oscillations of specific&#13;
resistance (for the saturated state in an external&#13;
magnetic field of 15 kOe) and magnetoresistance.&#13;
In thickness regions dCu = 8–11 Å and dCu ≥ 18 Å&#13;
the manifestations of interlayer antiferromagnetic&#13;
exchange interactions were revealed. The observed&#13;
effects are connected with non-monotonous variations&#13;
in roughness of the layer interfaces with increasing&#13;
dCu.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121767</guid>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Novel laser based on magnetic tunneling</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121766</link>
<description>Novel laser based on magnetic tunneling
Kadigrobov, A.; Shekhter, R.I.; Jonson, M.
A new principle for a compact spin-based solid-state laser is proposed. It operates in the&#13;
1–100 THz regime, which is difficult to reach with small size lasers. Spin-flip processes in ferromagnetic&#13;
conductors form a basis — the mechanism is due to a coupling of light to the exchange interaction&#13;
in magnetically ordered conductors via the dependence of the exchange constant on the&#13;
conduction electron momenta. The interaction strength is proportional to the large exchange energy&#13;
and exceeds the Zeeman interaction by orders of magnitude. A giant lasing effect is predicted&#13;
in a system where a population inversion has been created by injection of spin-polarized electrons&#13;
from one ferromagnetic conductor into another through an intermediate tunnel region or weak&#13;
link; the magnetizations of the two ferromagnets have different orientations. We show that the&#13;
laser frequency will be in the range 1–100 THz if the experimental data for ferromagnetic manganese&#13;
perovskites with nearly 100% spin polarization are used. The optical gain is estimated to be&#13;
gopt ~ 10⁷ cm⁻¹. This exceeds the gain of conventional semiconductor lasers by 3 or 4 orders of&#13;
magnitude. An experimental configuration is proposed in order to solve heating problems at a relatively&#13;
high threshold current density.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121766</guid>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Трансмиссия электронов через линейную молекулу: роль делокализованных и локализованных электронных состояний в формировании тока</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121765</link>
<description>Трансмиссия электронов через линейную молекулу: роль делокализованных и локализованных электронных состояний в формировании тока
Петров, Э.Г.
Получены точные формулы для электронного тока при квазиупругой и упругой трансмиссии&#13;
электрона через молекулу. Детально проанализирован механизм упругой трансмиссии. Показано,&#13;
что при сильной делокализации электрона происходит «металлизация» молекулы, поэтому&#13;
все ее энергетические уровни испытывают одно и то же смещение под действием&#13;
приложенной к электродам разности потенциалов. Этим объясняется появление резонансных&#13;
пиков в проводимости молекулы. При сильной локализации электрона в молекуле появление&#13;
пиков проводимости связано с резонансным перескоком электрона между уровнями Ферми&#13;
электродов и локализованными уровнями молекулы, с которыми связано и возникновение отрицательной&#13;
проводимости молекулы.; Одержано точні формули для електронного струму при квазіпружній і пружній трансмісії&#13;
електрона через молекулу. Детально проаналізовано механізм пружної трансмісії. Показано,&#13;
що при сильній делокалізації електрона відбувається «металізація» молекули і тому усі її енергетичн&#13;
і рівні відчувають один і той же зсув під дією прикладеної до електродів різниці потенц&#13;
іалів. Цим пояснюється поява резонансних піків у провідності молекули. При сильній локал&#13;
ізації електрона в молекулі появу піків провідності пов’язано з резонансним перескоком&#13;
електрона між рівнями Фермі електродів та локалізованими рівнями молекули, з якими пов’язано&#13;
і виникнення негативної провідності молекули.; Exact formulae for electron current under&#13;
quasi-elastic and elastic transmission of an electron&#13;
through a molecule are derived. The mechanism&#13;
of elastic transmission is analized in detail.&#13;
It is shown that on strong electron delocalization&#13;
there occurs a «metallization» of the molecule&#13;
and as a consequence all its energy levels exibit&#13;
an identical shift when a voltage bias is applied&#13;
to electrodes. This accounts for the presence of&#13;
resonance peaks in the molecular conductivity.&#13;
On strong electron localization in the molecule&#13;
the existance of the peaks is associated with the&#13;
resonance electron transmission between the localized&#13;
molecular electronic levels and the electrode&#13;
Fermi levels. The appearance of a negative&#13;
molecular conductivity is also associated with&#13;
the molecular localized electronic levels.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121765</guid>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Невзаимодействующие электроны в одномерных системах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121764</link>
<description>Невзаимодействующие электроны в одномерных системах
Гантмахер, В.Ф.
Изложены теоретические основы описания поведения невзаимодействующих электронов в&#13;
одномерных системах: транспортные характеристики идеальной проволоки, соединяющей два&#13;
термостата, описание при помощи формул Ландауэра упругого рассеяния на хаотической последовательности&#13;
барьеров, гигантские хаотические осцилляции сопротивления, локализация&#13;
и влияние на нее корреляций в случайном потенциале.; Викладено теоретичні основи опису поведінки невзаємодіючих електронів в одновимірних&#13;
системах: транспортні характеристики ідеального дроту, що з’єднує два термостати, опис за допомогою формул Ландауера пружного розсіяння на хаотичній послідовности барьєрів, гигантські хаотичні осциляції опору, локализація та вплив на неї кореляцій у випадковому потенциалі.; The paper contains the elements of the theory&#13;
describing the behavior of noninteracting&#13;
electrons in one-dimensional systems, namely,&#13;
the transport characteristics of an ideal wire&#13;
which connects two thermostats, the elastic scattering&#13;
by a random barrier sequence described by&#13;
the Landauer formulae, the gigantic aperiodic oscillations&#13;
of resistance, localization and its sensitivity&#13;
to correlations in a random potential.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2005 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121764</guid>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
