http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116747 Sun, 05 Apr 2026 21:04:43 GMT 2026-04-05T21:04:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/447052/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116747 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116793 Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації Онищенко, В.Ф. Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм.; The numerical calculation of the photohole distribution in macroporous silicon when exposing to light with the wavelengths 0.95, 1.05 μm has been performed. The calculation has been performed for macroporous silicon with various depths of macropores and various thicknesses of the single-crystal substrates. It has been shown that there are two maxima in the distribution of photocarriers in macroporous silicon if it is exposed to light with the wavelength 0.95 μm. The first maximum of photohole distribution in macroporous silicon is located in the macroporous layer, the second maximum – in the single-crystal substrate. It has been also shown that there is one maximum in the photocarrier distribution in macroporous silicon that are located in the single-crystal substrate when exposing to light with the wavelength 1.05 μm. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116793 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116792 Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения Семикина, Т.В. Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для получения структур с полупроводниковыми ZnO пленками и органическими материалами, а также преимущества использования АПО в прозрачной электронике. Приведен обзор результатов создания гомо- и гетеропереходов на основе полученных полупроводниковых пленок ZnO. Выпрямляющие свойства исследованных p-n переходов демонстрируют перспективы их применения в прозрачной электронике.; Technological regimes for growing ZnO films with the carrier concentrations 10¹⁶…10¹⁷ cm⁻³ by using atomic layer deposition method (ALD) have been studied and developed. The dependences of electron concentration on the technological regimes have been analyzed. Demonstrated have been ALD method capabilities for preparing the structures with semiconductor ZnO films and organic materials as well as ALD advantages for application in transparent electronics. The results of creation of homo- and heterojunctions based on the obtained semiconductor ZnO films have been presented. The rectifying properties of the studied p-n junctions demonstrate their perspectives for application in transparent electronics. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116792 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116791 Сенсор поверхневого плазмонного резонансу з чутливим елементом на полімерній основі Костюкевич, С.О.; Костюкевич, К.В.; Христосенко, Р.В.; Коптюх, А.А.; Москаленко, Н.Л.; Лисюк, В.О.; Погода, В.І. Проведено порівняльний аналіз характеристик (резонансних кривих у газовому і рідкому середовищах та кінетики їх зміни при адсорбції молекул білка), отриманих при використанні сенсора поверхневого плазмонного резонансу (ППР) з призмовим типом збудженням за схемою Кречмана у тонкій плівці золота та конфігурації сканування кута падіння з механічною розгорткою, для чутливого елемента на скляній та полімерній основі. Показано, що використання пластикових матеріалів забезпечить зниження собівартості при збереженні чутливості сенсора ППР та надасть можливість розробити його дисковий варіант на основі інтегрованого чіпа з голографічними ґратками вводу-виводу світла.; Comparative analysis of resonant curves in gas and liquid media and kinetics of their changes have been made during albumin molecule absorption. The surface plasmon resonance (SPR) sensor with prism excitation by Kretschmann scheme in thin gold film was used. Configuration for selection of incident angle was realized by mechanical scanning for sensors based on both glass and polymer substrates. It has been shown that application of plastic substrates will provide reducing manufacture cost with maintenance of high level in SPR sensor sensitivity and will enable to develop its disk version based on an integrated chip with holographic gratings for light input-output. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116791 2016-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116790 Методология объектно-ориентированного моделирования процессов адсорбции: особенности динамики формирования и пространственной самоорганизации поверхностных структур Манойлов, Э.Г.; Кравченко, С.А.; Снопок, Б.А. В рамках концепции объектно-ориентированного моделирования эволюции сложных статистических ансамблей рассмотрены особенности динамики формирования и пространственной самоорганизации 2D-размерных структур на твердой поверхности для различных режимов необратимой анизотропной мономолекулярной адсорбции. Разработан алгоритм, учитывающий зависимости вероятностей связывания частиц на поверхности от числа частиц-соседей и их взаимного положения. Установлена взаимосвязь между режимом необратимой адсорбции, кинетическими характеристиками процесса адсорбции и видом самоорганизованных структур на поверхности. Полученные результаты могут быть использованы для моделирования процессов адсорбции, кинетики эпитаксиального роста, разработки оптоэлектронных чувствительных элементов химических сенсоров, исследования закономерностей процесса катализа и т.п.; Within the concept of object-oriented modeling evolution of complex statistical ensembles, the features of formation dynamics and spatial self-organization of 2D-dimensional structures on a solid surface for different modes of irreversible anisotropic monolayer adsorption have been considered. The algorithm taking into account the dependences of probabilities of particle-surface binding on the number of adjacent particles and their arrangement has been developed. The correlation between the mode of irreversible adsorption, adsorption kinetic characteristics and type of self-organized structures on the surface has been ascertained. The obtained results can be used for modeling the adsorption process, developing the optoelectronic sensitive elements in chemical sensors, studying epitaxial growth kinetics, catalysis etc. Fri, 01 Jan 2016 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116790 2016-01-01T00:00:00Z