http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116745 Sun, 05 Apr 2026 21:02:58 GMT 2026-04-05T21:02:58Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/447050/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116745 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116760 До виходу 50-го випуску збірника наукових праць „Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка” Свєчніков, С.В. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116760 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116759 Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка Онищенко, В.Ф. Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с.; Distribution of non-equilibrium minority charge carrier concentration in macroporous silicon structures has been investigated. It has been shown that non-equilibrium charge carrier concentration sharply decreases both between pores and in monocrystalline layer under pores with increasing the macropore depth to 10 μm. Via calculations, it has been shown that the concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores hardly changes when the depth of macropores ranges from 100 to 200 μm. The authors have analyzed the distribution of dimensionless concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores and in monocrystalline layer when the thickness of the monocrystalline layer is decreased and the values of the surface recombination velocity varies from 0.1 to 100 m/s. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116759 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116758 Улучшение эксплуатационных характеристик преобразователей на основе поверхностного плазмонного резонанса за счет оптической части сенсорных приборов типа “Плазмон” Христосенко, Р.В.; Костюкевич, Е.В.; Ушенин, Ю.В.; Самойлов, А.В. В работе рассмотрены способы повышения чувствительности и быстродействия преобразователей, в которых используется эффект поверхностного плазмонного резонанса (ППР) за счет оптимизации оптической конфигурации приборов типа “Плазмон”, оптимизации соотношения металл/длина волны источника излучения, а также применения схемы с двулучевым источником излучения.; Considered in this work are the ways to enhance sensitivity and fast response of transducers based on the phenomenon of surface plasmon resonance due to optimization of optical configuration in devices of the “Plasmon” type, optimization of the ratio metal/wavelength of the radiation source as well as using the scheme of a double-beam radiation source. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116758 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116757 Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів Данько, В.А.; Дмитрук, М.Л.; Індутний, І.З.; Мамикін, С.В.; Минько, В.І.; Литвин, П.М.; Луканюк, М.В.; Шепелявий, П.Є. У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах вибором геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення.; This paper shows the possibility of using interference lithography with photoresists based on chalcogenide glassy semiconductors in combination with heat treatment to form homogeneous plasmon structures with desired characteristics for large area substrates. As a result of our investigations, it has been confirmed the presence of the surface plasmon polariton and local surface plasmon resonances in the prepared samples that can be controlled in a wide range by selection of geometric parameters of structures and technological modes of their production. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116757 2015-01-01T00:00:00Z