http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115379 Thu, 23 Apr 2026 17:36:21 GMT 2026-04-23T17:36:21Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/343163/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115379 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118969 Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe Бондарь, Н.В. При исследовании двухфазной системы, представляющей собой боросиликатное стекло с квантовыми точками ZnSe, обнаружена особенность, связанная с образованием в ней фазового перколяционного перехода носителей. При концентрациях квантовых точек, близких к порогу, выявлены изменения интенсивности полосы излучения, обусловленные микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек-явление, напоминающее критическую опалесценцию, когда возникают аналогичные флуктуации плотности чистого вещества возле точки фазового перехода. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом доли объема, который они занимают на пороге. Предполагается, что диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и ZnSe играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на поверхности раздела и образованию там поверхностных состояний экситонов. При критической концентрации квантовых точек пространственное прекрытие состояний приводит к туннелированию носителей и появлению перколяционного перехода в такой системе.; При дослідженні двофазної системи, яка являє собою боросилікатне скло з квантовими точками ZnSe, виявлена особливість, пов'язана з утворенням в ній фазового перколяційного переходу носіїв. При концентраціях квантових точок, близьких до порогу, виявлено зміни інтенсивності смуги випром інювання, що обумовлено мікроскопічними флуктуаціями щільності квантових точок — явище, яке нагадує критичну опалесценцію, коли виникають аналогічні флуктуації щільності чистої речовини біля точки фазового переходу. Вирахована середня відстань між квантовими точками з врахуванням частини об'єму, який вони займають на порозі. Передбачається, що діелектрична непогодженність материалів матриці і ZnSe відіграє суттєву роль в процесі делокалізації носіїв (екситонів), що призводить до появи «діелектричної пастки» на поверхні розділу і утворенню там поверхневих станів екситонів. При критичній концентрації квантових точок просторове перекриття станів призводить до тунелювання носіїв і появи перколяційного переходу в такій системі.; The research of diphase systems, which are borosilicate glasses with ZnSe quantum dots, has uncovered a peculiarity responsible for by the formation of phase percolation threshold of carriers. For a quantum dot concentration close to the threshold, one can observe variations in emission band intensity due to microscope fluctuations in quantum dot density — the effect resembling the critical opalescence and occurring with similar fluctuations of pure material density in vicinity of the transition point. The average distance between the quantum dots is calculated with due account of the volume fraction occupied by these dots at the threshold. It is suggested that the dielectric mismatch of the matrix material and ZnSe is important in delocalization of carriers (excitons), resulting in the appearance of a «dielectric trap» at the phase boundary and the formation of surface states. For the critical concentration of quantum dots, the space overlapping causes the carriers to tunnel and the percolation threshold to appear in the system. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118969 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117054 Физическая природа мономерной флуоресценции кристалла ортобромбензофенона Пышкин, О.С. Исследованы время-разрешенные низкотемпературные спектры фосфоресценции кристалла ортобромбензофенона (2-BrBP) при температуре 52 К. Во временных спектрах фосфоресценции наблюдается затухание свечения одной серии колебательных полос фосфоресценции и разгорание с последующим затуханием свечения идентичной серии колебательных полос, но смещенной в длинноволновую область. Такое поведение спектра при этой температуре объясняется преодолением энергетического барьера между двумя конформационными состояниями возбужденной молекулы ортобромбензофенона. Кроме фосфоресценции двух серий колебательных полос во время-разрешенном спектре кристалла ортобромбензофенона при этой температуре наблюдается эксимерное свечение, которое затухает за время ≈ 175 мкc.; Досліджено час-розділені низькотемпературні спектри фосфоресценції кристалу ортобромбензофенону (2-BrBP) при температурі 52 К. У часових спектрах фосфоресценції спостерігається згасання світіння однієї серії коливальних смуг фосфоресценції та розгортання з подальшим згасанням світіння ідентичної серії коливальних смуг, але зміщеної у довгохвильову область. Така поведінка спектра при цій температурі пояснюється подоланням енергетичного бар’єру між двома конформаційними станами збудженої молекули ортобромбензофенону. Окрім фосфоресценції двох серій коливальних смуг у час-розділеному спектрі кристалу ортобромбензофенону при цій температурі спостерігається ексимерне світіння, яке затухає за час ≈ 175 мкc.; Low-temperature time-resolved phosphorescence spectra have been measured in crystalline orthobromobenzophenone (2-BrBP) at 52 K. One of the two vibron-repeated monomeric emission series decays in time while the other one, which is shifted to longer wavelengths, lights up at shorter times to start decreasing at longer delay times. Such behavior of the time-resolved spectra at 52 K can be explained as being due to a thermo-activated overcoming of the energy barrier between the two conformational states of the excited ortho-bromobenzophenone molecule. In addition to the above two series the time-resolved spectra contain an excimer emission component which decays with a characteristic time of approximately 175 s. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117054 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117053 Спектроскопия бозонных возбуждений в наноразмерной окрестности интерфейса металл-легированный манганит Свистунов, В.М.; Леонова, В.Н.; Белоголовский, М.А.; Оболенский, М.А.; Endo, T.; Szymczak, H. Представлены результаты туннельных измерений спектров квазичастичных возбуждений бозетипа в наноразмерной области на поверхности легированных манганитов, которая непосредственно примыкает к интерфейсу металл-оксид. Сравнение полученных результатов с известными литературными данными для соответствующих объемных образцов указывает на то, что свойства сложных оксидов марганца вблизи интерфейса не отличаются существенным образом от таковых в объеме материала. Обнаружено, что при воздействии импульса высокого напряжения происходит сглаживание спектров и рост интенсивности низкочастотных возбуждений как результат структурного разупорядочения образца в окрестности интерфейса.; Представлено результати тунельних вимірів спектрів квазічастинкових збуджень бозетипу у нанорозмірній області на поверхні легованих манганітів, що безпосередньо примикає до інтерфейсу метал–оксид. Порівняння отриманих результатів з відомими літературними даними для відповідних об’ємних зразків указує на те, що властивості складних оксидів марганцю поблизу інтерфейсу не відрізняються істотно від таких в об’ємі матеріалу. Виявлено, що при впливі імпульсу високої напруги відбувається згладжування спектрів і ріст інтенсивності низькочастотних порушень як результат структурного розупорядкування зразка поблизу інтерфейсу.; The tunneling experimental data on Bose-type quasi-particle excitation spectra in the nanoscale region at the surface of doped manganites, which is immediately adjacent to the metal — oxide interface, are presented. Comparison of these results with the known literature data for corresponding bulk samples indicates that the properties of complex oxides of manganese near the interface do not differ essentially from those in the bulk. It is found that a high-voltage impulse results in a smoothing of the spectra and a growth of the intensity of lowfrequency excitations due to the structural disorder of the sample in the nearest vicinity of the interface. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117053 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117052 Process of intercalation of C₆₀ with molecular hydrogen from XRD data Yagotintsev, K.A.; Stetsenko, Yu.E.; Legchenkova, I.V.; Prokhvatilov, A.I.; Strzhemechny, M.A.; Schafler, E.; Zehetbauer, M. The process of normal hydrogen infusion into a C₆₀ powder at 1 bar and room temperature was monitored using x-ray diffraction. The effect of the intercalation on the lattice proved to be rather weak: the volume expansion upon complete saturation does not exceed 0.13%. The characteristic saturation time was found to be 320 h; the corresponding diffusion coefficient amounts to (2.8 ± 0.8)·10⁻¹⁴ cm²/s. The integrated reflection intensity calculations for completely saturated sample suggest that only octahedral voids are filled under the conditions of experiment. The effect of complete saturation on the rotational subsystem of the C₆₀ fullerite is rather weak: the orientational phase transition shifts by 6 to 7 K to lower temperatures; no essential hysteresis is noticeable. The dopant shows reluctance to leave the sample under a vacuum of 10⁻³ Torr at room temperature. Thu, 01 Jan 2009 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117052 2009-01-01T00:00:00Z