<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Физика низких температур, 2014, том 40</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115123</link>
<description/>
<pubDate>Fri, 24 Apr 2026 05:14:42 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-24T05:14:42Z</dc:date>
<image>
<title>Физика низких температур, 2014, том 40</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/342429/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115123</link>
</image>
<item>
<title>Вступление. К восьмидесятилетию антиферромагнетизма</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120157</link>
<description>Вступление. К восьмидесятилетию антиферромагнетизма
Харченко, Н.Ф.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120157</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Александр Александрович Галкин (1914–1982). К столетию со дня рождения</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119778</link>
<description>Александр Александрович Галкин (1914–1982). К столетию со дня рождения
Варюхин, В.Н.; Каменев, В.И.; Криворучко, В.Н
4 июля 2014 года исполняется 100 лет со дня рождения Александра Александровича Галкина — выдающегося ученого, физика-экспериментатора, результаты фундаментальных исследований которого повлияли&#13;
на развитие целого ряда разделов физики: сверхпроводимости, электронных свойств металлов, радиоспектроскопии, магнетизма, прочности и пластичности.&#13;
А.А. Галкин — доктор физико-математических наук&#13;
с 1955 г., профессор с 1956 г., член-корреспондент&#13;
АН УССР с 1961 г., академик АН УССР с 1965 г.&#13;
В 1978 г. ему присвоено звание заслуженный деятель&#13;
науки и техники УССР. А.А. Галкин дважды лауреат&#13;
Государственной премии Украины в области науки&#13;
и техники, лауреат премии им. К.Д. Синельникова&#13;
АН УССР. Участник Великой Отечественной войны.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119778</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>К 60-летию теории Лифшица–Косевича</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119777</link>
<description>К 60-летию теории Лифшица–Косевича
Песчанский, В.Г; Колесниченко, Ю.A.
В этом году исполняется шестьдесят лет с тех пор, как&#13;
в «Докладах академии наук СССР» была опубликована&#13;
статья Ильи Михайловича Лифшица и Арнольда Марковича Косевича «К теории эффекта де Газа–ван Альфена&#13;
для частиц с произвольным законом дисперсии» [1]. Эта&#13;
работа сыграла ключевую роль в создании нового на-&#13;
правления физики твердого тела, получившего название&#13;
«фермиология» — наука о структуре поверхности Ферми&#13;
(ПФ) и ее характеристиках: площадях сечений, диаметрах, эффективной и циклотронной массах, скоростях в&#13;
разных точках на ПФ и др.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119777</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Критическое поле динамического перехода в двумерном электронном кристалле над жидким гелием</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119741</link>
<description>Критическое поле динамического перехода в двумерном электронном кристалле над жидким гелием
Сивоконь, В.Е.; Наседкин, К.А.; Шарапова, И.В.
Исследованы динамические переходы в двумерном вигнеровском кристалле над поверхностью жидкого гелия в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала. Обнаружено, что критическое электрическое поле, вызывающее переход, зависит от поверхностной плотности электронного слоя и не зависит от прижимающего поля. Предполагается, что динамический переход связан в первую очередь с разрушением пространственного порядка в системе, ведущего к делокализации электронов и, как следствие, изменению особенностей электрон-риплонного взаимодействия.; Досліджено динамічні переходи в двовимірному вігнеровському кристалі над поверхнею рідкого гелію в умовах неповної екраніровки притискуючого потенціалу. Виявлено, що критичне електричне поле, що викликає перехід, залежить від поверхневої щільності електронного шару і не залежить від притискуючого поля. Передбачається, що динамічний перехід є пов’язаним в першу чергу з руйнуванням просторового порядку в системі, що веде до делокалізації електронів і, як слідство, зміни особливостей електрон-риплонної взаємодії.; The dynamic transitions in a two-dimensional Wigner crystal over liquid helium are studied under incomplete screening of the holding potential. It is found that the critical electric field corresponding to the transition depends on the surface electron density and is independent of the holding field. It is assumed that the dynamic transitions are first of all associated with the destruction the spatial order in the system, delocalization of electrons and, as a result the changes in the electron-ripplon interaction.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119741</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
