http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115112 Fri, 24 Apr 2026 12:42:02 GMT 2026-04-24T12:42:02Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/342408/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115112 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118267 Особенности пиннинга магнитных потоков, захваченных монокристаллами YBCO в слабых постоянных полях Монарха, В.Ю.; Пащенко, В.А.; Тимофеев, В.П. Экспериментально исследована динамика абрикосовских вихрей и их связок, захваченных в малых постоянных магнитных полях, порядка земного. В монокристаллических образцах YBCO с сильными центрами пиннинга изучены особенности изотермической релаксации намагниченности при различной ориентации кристаллов. Полученные значения нормированной скорости релаксации S позволили оценить эффективный потенциал пиннинга U в объеме YBCO образца и его зависимость от температуры, что позволяет рассчитать величину плотности критического тока Jc. Проведено сопоставление полученных значений S с результатами испытаний подобных сверхпроводников в сильных магнитных полях. Для сравнения различных методик оценки Jc сняты зависимости M(H), связывающие ширину петли с критическим током. При исследовании петель намагниченности выбранных монокристаллов определены значения важнейших основных параметров (полей начала проникновения вихрей Hp и первых критических Hc1), которые учитывают геометрическую конфигурацию образцов.; Експериментально досліджено динаміку абрикосівських вихорів та їх зв'язок, які захоплені у малих постійних магнітних полях, порядку земного. В монокристалічних зразках YBCO з сильними центрами пінінгу вивчено особливості ізотермічної релаксації намагніченості при різній орієнтації кристалів. Отримані значення нормованої швидкості релаксації S дозволяють оцінити ефективний потенціал пінінгу U в об'ємі YBCO зразка та його залежності від температури, що дозволяє розрахувати величину густини критичного струму Jc. Проведено порівняння отриманих значень S з результатами досліджень схожих надпровідників у сильних магнітних полях. Для порівняння різних методів оцінки Jc зняті залежності M(H), які зв'язують ширину петлі з критичним струмом. При дослідженні петель намагніченості обраних монокристалів встановлені значення найважливіших основних параметрів (полів початку проникнення вихорів Hp та перших критичних Hc1), які зважають на геометричну конфігурацію зразків.; The dynamics of Abricosov vortices and bundles was experimentally investigated in Earth’s magnetic field range. Isothermal relaxation features in YBCO single crystal samples with strong pinning centers were studied for different sample-field orientation. The obtained values of normalized relaxation rate S allowed us to estimate the effective pinning potential U in the bulk of the YBCO sample and its temperature dependence, as well as the critical current density Jc. A comparison between the data obtained and the results for similar measurements in significantly higher magnetic fields was performed. To compare different Jc measuring techniques magnetization loop M(H) measurements, were made. These measurements provided many important parameters of the samples under study (penetration field Hp, first critical field Hc1, etc.) that involve the geometrical configuration of the samples. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118267 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118266 Люминесценция экситонных возбуждений в криокристаллах криптона с примесями молекулярного дейтерия Белов, А.Г.; Блудов, М.А. Представлены результаты исследования спектров ВУФ и УФ катодолюминесценции твердых смесей на основе криптона — Kr–D₂, Kr–D₂–O₂, Kr–Xe–O₂ — в зависимости от концентрации допантов. Показано, что введение примеси молекулярного дейтерия в кристаллы криптона не вызывает появления новых спектральных особенностей, что свидетельствует об отсутствии возбуждения или диссоциации D₂ при облучении кристаллов электронами. При этом обнаружено значительное увеличение интенсивности собственного излучения матрицы, тем большее, чем выше концентрация D₂. Выявлено, что наблюдаемый рост интенсивности вызван локализацией экситонных возбуждений матрицы в ограниченном объеме кристалла в результате их квазиупругого рассеяния на примесных молекулах дейтерия, что приводит к существенному уменьшению длины свободного пробега и диффузионного смещения экситонов, а так же ускорению процесса их автолокализации. Обсуждаются возможные механизмы тушения люминесценции в чистых криокристаллах криптона. Показано, что тушение обусловлено аннигиляцией экситонов в процессах их взаимодействия между собой или другими электронными возбуждениями кристалла.; Представлено результати дослідження спектрів ВУФ і УФ катодолюмінесценції твердих сумішей на основі криптону — Kr–D₂, Kr–D₂- Kr–Xe–O₂ — в залежності від концентрації допантів. Показано, що введення домішок молекулярного дейтерію в кристали криптону не визиває виникнення нових спектральних особливостей, що свідчить про відсутность збудження або дисоціації D₂ при опромінюванні кристалів електронами. При цьому виявлено значне зростання інтенсивності власного випромінювання матриці, тим більше, ніж вище концентрація D₂. Виявлено, що зростання інтенсивності, що спостерігається, визвано локалізацією екситонних збуджень матриці в обмеженому об’ємі кристала в результаті їх квазіпружнього розсіювання на домішках молекул дейтерію, що приводить до суттєвого зменшення довжини вільного пробігу та дифузійного зміщення екситонів, а також прискорення процесу їх автолокалізації. Обмірковуються можливі механізми згасання люмінесценції в чистих кріокристалах криптону. Показано, що згасання обумовлено анігіляцією екситонів у процесах їх взаємодії проміж себе або іншими електронними збудженнями кристалу.; The experimental data on VUV and UV cathodoluminescence spectra of Kr-based solid mixtures Kr–D₂, Kr–D₂–O₂, and Kr–Xe–O₂ for various dopant concentrations are presented. It is shown that introduction of a molecular deuterium impurity into krypton cryocrystals does not result in any new spectral features, suggesting that no excitation or dissociation of D₂ takes place upon electron irradiation of the crystals. The intensity of the luminescence of matrix excitations is found to grow with D₂ concentration. It is shown that the observed intensity growth is related to localization of matrix excitons in a limited crystal volume due to their quasi-elastic scattering by deuterium impurity molecules which results in a considerable decrease in mean free path and diffusion path length of the excitons, as well as their faster localization. Possible mechanisms of luminescence quenching in pure krypton cryocrystals are discussed. It is concluded that the quenching is due to annihilation of excitons in the process of their interactions with each other and with other electronic excitations of the crystal. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118266 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118265 К теории электронных состояний моноатомных слоев щелочных и редкоземельных металлов, адсорбированных на поверхности графена Алисултанов, З.З. В модели Андерсона рассмотрены электронные состояния упорядоченных слоев щелочных и редкоземельных металлов, адсорбированных на поверхности графена. Анализируется поведение плотности состояний такой системы. Рассмотрен случай адсорбированного металлического нанослоя с дискретным энергетическим спектром носителей. Предложена система, электронными состояниями которой можно управлять с помощью приложенного электрического поля, что представляет большой практический интерес. Качественное отличие подхода в существующих теоретических работах по данной проблеме в том, что в отличие от настоящей работы в них все же используется «одноадатомный» формализм, не затрагивающий зонную структуру металлического адслоя. Также рассмотрен возможный способ описания электронных состояний адсорбированного слоя атомов Gd и других металлических слоев, образующих на поверхности графена фрактальную структуру.; У моделі Андерсона розглянуто електронні стани впорядкованих шарів лужних та рідкісноземельних металів, які адсорбовані на поверхні графена. Аналізується поведінка щільності станів такої системи. Розглянуто випадок адсорбованого металевого наношару з дискретним енергетичним спектром носіїв. Запропоновано систему, електронними станами якої можна управляти за допомогою прикладеного електричного поля, що представляє великий практичний інтерес. Якісна відмінність підходу в існуючих теоретичних роботах з цієї проблеми в тому, що на відміну від даної роботи в них все ж використовується «одноадатомний» формалізм, що не порушує зонну структуру металевого адшару. Також розглянуто можливий спосіб опису електронних станів адсорбованого шару атомів Gd і інших металевих шарів, що утворюють на поверхні графена фрактальну структуру.; Using the Anderson model, we examined the electronic states of ordered layers of alkaline and rareearth metals adsorbed on the surface of graphene. We analyze the behavior of the density of states of the system. The case of the adsorbed metal nanolayer with a discrete energy spectrum of carriers is also discussed. We have proposed a system with electronic states that can be controlled by an applied electric field, the system being of great practical interest. The qualitative difference in the approach of the existing theoretical works on this problem is that, unlike the present work they do use the «single adatomic» formalism, which does not contain the band structure of the metal adlayer. We also considered a possible way of describing the electronic states of the adsorbed layer of atoms Gd and other metal layers with a fractal structure on the surface of graphene. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118265 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118264 Магниторезонансные свойства антиферромагнетика TbFe₃(BO₃)₄ при низких температурах Бедарев, В.А.; Пащенко, М.И.; Кобец, М.И.; Дергачев, К.Г.; Пащенко, В.А.; Блудов, А.Н.; Хацько, Е.Н.; Гнатченко, С.Л. Исследованы магнитный резонанс и полевая зависимость намагниченности монокристалла TbFe₃(BO₃)₄ при температурах от 2 до 13 К и частотах от 18 до 142 ГГц. В спектре ЭПР обнаружены две пары линий различной интенсивности. Указанные линии могут быть связаны с двумя типами центров —ионами Tb³⁺, в окружении которых находятся ростовые примеси Bi и Mo. Определены начальные расщепления нижайших квазидублетов таких ионов Tb³⁺ кристаллическим полем и обменным полем, действующим на ионы редкой земли со стороны подрешеток железа. Проведена оценка количества указанных центров.; Досліджено магнітний резонанс та польову зележність намагніченості монокристалу TbFe₃(BO₃)₄ при температурах від 2 до 13 К на частотах від 18 до 142 ГГц. У спектрі ЕПР виявлено дві пари ліній різної інтенсивності. Зазначені лінії можуть бути пов’язані з двома типами центрів — йонами Tb³⁺, у оточенні яких знаходяться ростові домішки Bi та Mo. Визначено початкові розщеплення найнижчих квазідублетів таких йонів Tb³⁺ кристалічним полем та обмінним полем, яке діє на рідкоземельні йони з боку підграток заліза. Проведено оцінку кількості зазначених центрів.; The magnetic resonance and field dependence of magnetization of the single crystal TbFe₃(BO₃)₄ were studied at temperatures from 2 to 13 K and frequencies from 18 to 142 GHz. The EPR spectrum displayed two pairs of lines of different intensity. These lines are supposed to be associated with two types of centers. The centers are the Tb³⁺ ions neighboring with the two type growth impurities Bi and Mo. The initial splitting of the lowest quasi-doublets of these ions Tb³⁺ by the crystal field and the exchange field of Fe–Tb were determined. The numbers of these centers were estimated. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118264 2013-01-01T00:00:00Z