<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Condensed Matter Physics, 2000, № 4</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/114751</link>
<description/>
<pubDate>Thu, 09 Apr 2026 01:18:11 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-09T01:18:11Z</dc:date>
<image>
<title>Condensed Matter Physics, 2000, № 4</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/341534/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/114751</link>
</image>
<item>
<title>Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120995</link>
<description>Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type
Mitin, O.B.; Kharkhalis, L.Yu.; Mikajlo, O.A.; Melnichenko, T.N.; Dorogany, V.
The energy spectra of charge carriers in several models of the ordered solid&#13;
solutions and virtual crystal model based on the ferroelectrics of Sn₂P₂S₆&#13;
type are calculated  by  the  semiempirical  pseudopotential  method.  It is&#13;
shown that the band gap depends on the employed model of the solid&#13;
solution.; Методом напівемпіричного псевдопотенціалу розраховані енергетичні спектри носіїв заряду в деяких моделях впорядкованих твердих&#13;
 розчинів і моделі віртуального кристала на основі сегнетоелектриків-напівпровідників типу Sn₂P₂S₆. Показано, що ширина забороненого&#13;
 зони суттєво залежить від вибраної моделі твердого розчину.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120995</guid>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Oscillatory spectra of surface atoms in strongly anisotropic layered crystal (quasi-1D behaviour)</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120994</link>
<description>Oscillatory spectra of surface atoms in strongly anisotropic layered crystal (quasi-1D behaviour)
Feodosyev, S.B.; Gospodarev, I.A.; Gryshaev, A.V.; Gryshaev, V.I.; Mamalui, M.A.; Minaev, P.A.; Syrkin, E.S.
Vibrations localized near the surface have been analyzed using the Jacobian matrix method taking into account discreteness of the lattice. It has&#13;
been shown that localized surface vibrations in layered crystals have got&#13;
quasi-one-dimensional character and their properties are described by exact solutions obtained in the framework of the one-dimensional model.; Коливання, що локалiзованi поблизу поверхнi, аналiзуються за допомогою методу J -матриць iз врахуванням дискретностi гратки. Показано, що в шаруватих кристалах такi коливання мають одновимiрний характер та можуть задовiльно описуватися за допомогою вiдповiдних точних аналiтичних виразiв, що отриманi для одновимiрної&#13;
моделi.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120994</guid>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Phase diagrams of incommensurate ferroelectric NH₄HSeO₄: phenomenological treatment</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120993</link>
<description>Phase diagrams of incommensurate ferroelectric NH₄HSeO₄: phenomenological treatment
Kityk, A.V.; Zadorozhna, A.V.
The phenomenological analysis of the pressure-temperature (P −T ) phase&#13;
diagram of NH₄HSeO₄ crystals is presented. It is shown that the disagreement between the experimental results and the theory may be removed&#13;
assuming that the coefﬁcient of the Landau free-energy expansion κ at the&#13;
gradient term (dq/dz)(dq∗/dz) changes the sign in the experimental range&#13;
of pressures. According to the present model the triple point observed in&#13;
NH₄HSeO₄ at PK ≈ 455 MPa, TK ≈ 236 K may be considered as artiﬁcial&#13;
points which result from the limitation of experimental resolution. Therefore, even above PK there still exist two very close (unresolved) lines of the&#13;
incommensurate phase transitions.; Представлений  феноменологічний  аналіз  фазової  діаграми  тисктемпература  (P   −  T )  кристалів  NH₄HSeO₄.  Показано,  що  неузгодження  між експериментальними  результатами і теорією може&#13;
бути зняте, припускаючи, що коефіцієнт κ при градієнтному члені&#13;
(dq/dz)(dq∗/dz) в розкладi вільної енергії Ландау змінює знак в області&#13;
прикладеного тиску. Відповідно до представленої моделі, потрійна&#13;
точка, спостережена в NH₄HSeO₄ при PK≈ 455 MPa, TK≈ 236 K, може&#13;
розглядатись як штучна точка, яка є результатом експериментального обмеження. Отже, навіть вище PK ще існують дві дуже близькі лінії&#13;
неспівмірних фазових переходів.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120993</guid>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120992</link>
<description>Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
Bercha, D.M.; Rushchanskii, K.Z.; Kharkhalis, L.Yu.; Sznajder, M.
In the work it was shown that the In₄Se₃ crystal is similar by its dynamical&#13;
properties to the InSe modulated crystal. The transformation of the D⁴₆h symmetry group of β-InSe crystal to D⁹₂h group of the In₄Se₃  structure&#13;
and the D¹²₂h group of In₄Se₃ structure has been investigated. In spite of&#13;
structure corrugation of In₄Se₃ layer, it is shown that the region of the weak&#13;
bond in this crystal by the dynamical characteristics is similar to the weak&#13;
bond region in InSe crystal.; У роботі показано, що кристал In₄Se₃ за своїми динамічними властивостями близький до модульованого кристалу InSe. Досліджено перетворення групи симетрії D⁴₆h кристалу β-InSe до групи D⁹₂h структури In₄Se₄ і до групи D¹²₂h In₄Se₃. Показано, що незважаючи на гофрованість структури шару In₄Se₃, область слабкого зв’язку у ньому за&#13;
динамічними властивостями є подібною до області слабкого зв’язку&#13;
у кристалі InSe.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120992</guid>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
