http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/110396 Sat, 18 Apr 2026 14:15:21 GMT 2026-04-18T14:15:21Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/328757/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/110396 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112434 Концентрационная зависимость магнитных свойств бинарных ОЦК-сплавов с беспорядком замещения Лень, Е.Г.; Лизунов, В.В.; Лень, Т.С.; Ушаков, Н.В.; Татаренко, В.А. В рамках обобщённой однозонной модели Хаббарда исследованы концентрационные зависимости магнитных свойств бинарных ОЦК-сплавов с беспорядком замещения. Нарушение трансляционной инвариантности сплава из-за атомного разупорядочения приводит к нарушению электронно-дырочной симметрии, что проявляется в пороговом характере антиферромагнитного упорядочения при половинном заполнении зоны и в асимметрии магнитных фазовых диаграмм сплавов относительно соответствующего значения средней электронной концентрации на один узел (n=1). Установлено, что различный преимущественный порядок заполнения хаббардовских подзон для компонентов сплава A и B с ростом n, определяемый знаком потенциала примесного рассеяния, обусловливает, в общем случае, несимметричность относительно точки PA₀=0,5 зависимостей магнитных характеристик изовалентных сплавов (ZA=ZB, n=const) от концентрации компонента A (PA₀). Несимметричность аналогичных концентрационных зависимостей для сплавов с ZA=1, ZB=0 обусловлена связью n=PA₀. Наблюдаемые для таких сплавов концентрационные зависимости локализованных магнитных моментов схожи с зависимостью от n аналогичной величины для чистого металла, однако характеризуются различными численными значениями для разных компонентов сплава, а также возможностью иной концентрационной зависимости параметров магнитного порядка. Концентрационные зависимости магнитных моментов в сплавах с ZA=2, ZB=0, в отличие от других типов сплавов, оказываются в значительной степени симметричными. При этом концентрационная зависимость параметра магнитного порядка является несимметричной из-за нарушения электронно-дырочной симметрии при изменении n=2PA₀ от 0 до 2.; В рамках узагальненого однозонного Хаббардового моделю досліджено концентраційні залежності магнетних властивостей бінарних ОЦК-стопів із безладом заміщення. Порушення трансляційної інваріянтности стопу через атомове розупорядкування призводить до порушення електронно-діркової симетрії, що проявляється в пороговому характері антиферомагнетного впорядкування при половинному заповненні зони та в асиметрії магнетних фазових діяграм стопів відносно відповідного значення середньої електронної концентрації на один вузол (n=1). Встановлено, що різний переважний порядок заповнення Хаббардових підзон для компонентів стопу A і B зі зростанням n, який визначається знаком потенціялу домішкового розсіяння, зумовлює в загальному випадку несиметричність відносно точки PA₀=0,5 залежностей магнетних характеристик ізовалентних стопів (ZA=ZB, n=const) від концентрації компонента A(PA0). Несиметричність аналогічних концентраційних залежностей для стопів із ZA=1, ZB=0 зумовлено зв’язком n=PA₀. Спостережувані для таких стопів концентраційні залежності локалізованих магнетних моментів є схожими із залежністю від n аналогічної величини для чистого металу, однак характеризуються різними числовими значеннями магнетних моментів для різних компонентів стопу, а також можливістю іншої концентраційної залежности параметрів магнетного порядку. Концентраційні залежності магнетних моментів у стопах із ZA=2, ZB=0, на відміну від інших типів стопів, виявляються значною мірою симетричними. При цьому концентраційна залежність параметра магнетного порядку є несиметричною через порушення електронно-діркової симетрії при зміні n=2PA₀ від 0 до 2.; The concentration dependences of the magnetic properties of binary b.c.c. alloys with substitutional disorder are investigated within the scope of the generalized single-band Hubbard model. The breaking of alloys’ translation invariance because of the atomic disorder leads to a violation of electron—hole symmetry, which results in both the threshold character of antiferromagnetic ordering at half filling and the asymmetry of alloys’ magnetic phase diagrams relative to corresponding value of average electron density per one site (n=1). As found, a different advantageous order for filling the Hubbard subbands of the alloy components, A and B, with n increasing, which is determined by sign of scattering potential of impurity, in the general case, results in an asymmetry (relative to point PA₀=0.5) of dependences of magnetic characteristics on the concentration PA₀ of component A in isovalent alloys (ZA=ZB, n=const). The asymmetry of the same concentration dependences for the alloys with ZA=1, ZB=0 is caused by the relationship PA₀=n. For these alloys, the observed concentration dependences of the localized magnetic moments are similar to the dependence of analogous one for pure metal, but with differences in the values of the magnetic moments for different alloy components and with the possibility of a distinct concentration dependence of magnetic order parameter. The concentration dependences of magnetic moments in alloys with ZA=1, ZB=2, as opposed to other types of alloys, are symmetric to a large degree. However, the concentration dependence of magnetic order parameter is asymmetric due to the violation of electron—hole symmetry with n=2PA₀ changing from 0 to 2. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112434 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112433 Термодинамічні та кінетичні властивості одновалентного металічного гелію Швець, В.Т. Ефективна парна міжйонна взаємодія, вільна енергія, тиск та електричний опір рідкого металічного гелію обчислено в широкому діяпазоні густин і температур. Для цього використано теорію збурень за псевдопотенціялом електрон-йонної взаємодії. В усіх випадках розрахунки велись із врахуванням членів третього порядку теорії збурень, що на сьогодні є максимально можливою точністю обчислень. Як псевдопотенціял взято модельний однопараметричний псевдопотенціял. Для електронів провідности використано наближення випадкових фаз. їх обмінна взаємодія і кореляції враховано в наближенні локального поля. Для йонної підсистеми використано модель твердих сфер. їхній діяметер вважається одним з підгінних параметрів теорії. Цей діяметер та густина, за якої відбувається перехід металічного гелію з одновалентного в двовалентний стан, одержуються з аналізи парної ефективної міжйонної взаємодії. Детально аналізується випадок одновалентного металічного гелію. В усіх розглянутих випадках роль членів третього порядку виявилася істотною. Значення електроопору металічного гелію відповідає величинам, характерним для простих одновалентних металів. Такою ж виявилась і поведінка тиску як функції густини і температури. Досліджений діяпазон густин і температур відповідає умовам, спостережуваним у центральній частині планет газових гігантів. Аналіза одержаних результатів свідчить про можливість існування гелію в металічному стані в надрах планет Юпітерової групи.; Эффективное парное межионное взаимодействие, свободная энергия, давление и электрическое сопротивление жидкого металлического гелия вычислены в широком диапазоне плотностей и температур. Для этого использована теория возмущений по псевдопотенциалу электрон-ионного взаимодействия. Во всех случаях расчёты велись с учётом членов третьего порядка теории возмущений, что на сегодня является максимально возможной точностью вычислений. В качестве псевдопотенциала взят модельный однопараметрический псевдопотенциал. Для электронов проводимости использовано приближение случайных фаз. Их обменное взаимодействие и корреляции учтены в приближении локального поля. Для ионной подсистемы использована модель твёрдых сфер. Их диаметр считается одним из подгоночных параметров теории. Этот диаметр и плотность, при которой происходит переход металлического гелия из одновалентного в двухвалентное состояние, получены из анализа эффективного парного межионного взаимодействия. Подробно рассмотрен случай одновалентного металлического гелия. Во всех рассмотренных случаях роль членов третьего порядка оказалась существенной. Значение электросопротивления металлического гелия соответствует величинам, характерным для простых одновалентных металлов. Таким же оказалось и поведение давления как функции плотности и температуры. Исследованный диапазон плотностей и температур соответствует условиям, наблюдаемым в центральной части планет газовых гигантов. Анализ полученных результатов свидетельствует о возможности существования гелия в металлическом состоянии в недрах планет группы Юпитера.; Pair effective ion—ion interactions, free energy, pressure, and electrical resistance of liquid metallic helium are calculated in a wide range of densities and temperatures. For this problem, a perturbation theory by the pseudopotential of the electron—ion interaction is used. In all cases, calculations are carried out with regard to terms of the third-order perturbation theory, which is the maximum possible accuracy of calculations today. As pseudopotential, the one-parameter model pseudopotential is taken into account. For conduction electrons, the random phase approximation is used. Their exchange interaction and correlation are taken into account in local field approximation. For ionic subsystem, the model of hard spheres is used. Their diameter is one of the fitting parameters of a theory. This diameter and density, at which the transition from one-valent metallic helium to the divalent state takes place, are obtained from the analysis of the effective pair ion—ion interaction. The case of the one-valent metal helium is considered in detail. In all the above cases, the role of the third-order terms is significant. The value of electrical resistivity of metallic helium corresponds to the characteristic value of elementary one-valent metals. The behaviour of pressure as a function of density and temperature has the same peculiarity. The investigated ranges of densities and temperatures correspond to conditions observed in the central part of the gas-giants. Analysis of the results indicates the possible existence of the helium in a metallic state in the central parts of the Jovian-group planets. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112433 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112432 Структурні, електричні та магнеторезистивні властивості заміщених стронцієм манганітів лантану Полек, Т.І.; Товстолиткін, О.І.; Солопан, С.О.; Білоус, А.Г.; Недух, С.В.; Тарапов, С.І. Досліджено структурні, електричні та магнеторезистивні властивості зразків La₁₋xSrxMnO₃ (х=0,15—0,60), виготовлених золь—ґель-методою. Кристалографічні параметри визначалися за допомогою рентґенівської дифракції. Вимірювання електричних властивостей виконувалися в температурному інтервалі 77—380 К як у магнетному полі, так і без нього. Проаналізовано температурні залежності електричних та магнеторезистивних властивостей сполуки при різних концентраціях Sr. Встановлено концентраційну залежність температури Кюрі ТС для сполуки La₁₋xSrxMnO₃.; Исследованы структурные, электрические и магниторезистивные свойства образцов La₁₋xSrxMnO₃ (х=0,15—0,60), изготовленных золь—гель-методом. Кристаллографические параметры определялись с помощью рентгеновской дифракции. Измерения электрических свойств выполнялись в температурном интервале 77—380 К как в магнитном поле, так и без него. Проанализированы температурные зависимости электрических и магниторезистивных свойств соединения с разными концентрациями Sr. Установлена концентрационная зависимость температуры Кюри ТС для соединения La₁₋xSrxMnO₃.; Structural, electrical, and magnetoresistive properties of La₁₋xSrxMnO₃ (х=0,15—0,60) samples fabricated by sol—gel method are studied. Crystallographic parameters are measured by X-ray diffraction technique. The measurements of electrical properties are carried out in the temperature range 77—380 K both in external magnetic field and without it. Temperature dependences of the electrical and magnetoresistive properties of compounds are analysed for different Sr concentrations. Concentration dependence of the Curie temperature ТС of La₁₋xSrxMnO₃ are determined. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112432 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112431 Структурно-фазовий стан, магнеторезистивні та магнетні властивості плівок пермалою Литвиненко, Я.М.; Пазуха, І.М.; Пилипенко, О.В.; Бібик, В.В. Представлено експериментальні результати та літературні дані стосовно структурно-фазового стану, магнетотранспортних і магнетних властивостей плівок пермалою, одержаних різними методами. Проаналізовано вплив умов одержання на структурно-фазовий стан плівкових зразків. Показано, що в тонких плівках пермалою виявляється анізотропний магнетоопір, величина якого в середньому становить 3—4% за кімнатної температури. Одержано розмірні, концентраційні та температурні залежності анізотропного магнетоопору і коерцитивности.; Представлены экспериментальные результаты и литературные данные, относящиеся к структурно-фазовому состоянию, магниторезистивным и магнитным свойствам плёнок пермаллоя, полученных различными методами. Проанализировано влияние условий получения на структурно-фазовое состояние плёночных образцов. Показано, что в тонких плёнках пермаллоя проявляется анизотропное магнитосопротивление, величина которого в среднем составляет 3—4% при комнатной температуре. Получены размерные, концентрационные и температурные зависимости анизотропного магнитосопротивления и коэрцитивности.; The experimental results and literature data on structure and phase state, magnetoresistive and magnetic properties of thin permalloy films prepared by different methods are presented. The analysis of fabrication-conditions’ influence on the structure and phase state of thin-film samples is performed. The anisotropic magnetoresistance with values of 3—4% at room temperature appears in thin permalloy films. The size, concentration and temperature dependences of anisotropic magnetoresistance and coercivity are obtained. Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/112431 2015-01-01T00:00:00Z