http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108913 Sun, 05 Apr 2026 21:05:58 GMT 2026-04-05T21:05:58Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/447046/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108913 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116737 Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.; The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116737 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116736 Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.; Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116736 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116735 Реконструкция поверхности поликристаллических пленок золота под влиянием температурного отжига Костюкевич, Е.В.; Костюкевич, С.А.; Шепелявый, П.Е. Рассмотрены пленки золота, которые наносили методом термического испарения в вакууме на полированные кварцевые подложки и подвергали термическому отжигу на воздухе в течение 30 мин в интервале температур 80–300 °С. Кристаллическую структуру полученных образцов исследовали методом дифракции рентгеновского характеристического излучения меди.; Gold films of the thickness 40 5 nm were deposited using the method of thermal evaporation in vacuum onto polished silica substrates and undergone to thermal annealing in air for 30 min within the temperature range 80-300 °C. The crystalline structure of these samples was studied using X-ray diffraction of the characteristic Cu K -line. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116735 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116734 Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації Оліх, Я.М. Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала.; The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal. Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116734 2013-01-01T00:00:00Z