http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108911 Wed, 15 Apr 2026 06:22:22 GMT 2026-04-15T06:22:22Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/447048/ http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108911 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108932 Чарівні подорожі у блакитне світло Бєляєв, О.Є.; Кочелап, В.О. Fascinated Journeys into Blue Light. Саме так назвав свою Нобелівську лекцію один з лауреатів Нобелівської премії 2014 року з фізики професор Ісаму Акасакі. Як відомо, в жовтні 2014 року Нобелівський комітет повідомив, що премія з фізики присуджена японським вченим Ісаму Акасакі, Хіросі Амано й американцю японського походження Судзі Накамура за розробку блакитних оптичних діодів, які дали можливість впровадити яскраві та енергоСберігаючі джерела світла. Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108932 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108931 Анализ результатов аппроксимации спектральных характеристик поверхностного плазмонного резонанса аналитическими функциями Стеценко, М.А. В наноразмерной пленке золота проанализированы спектры поляризационной разности коэффициентов внутреннего отражения поляризованного света R²s - R²p при фиксированных углах падения тестирующего луча, превышающих критический угол. Сделан сравнительный анализ разложения спектра с использованием аналитических функций Гаусса, Лоренца, Фано и Фойгта. Только применение аппроксимации Гаусса позволило выявить раздельный вклад коротко- и длиннопробежных плазмон-поляритонов в поверхностный плазмонный резонанс.; Analyzed in nanoscale gold film were the spectra of the polarization difference of the coefficients of total internal reflection for polarized light R²s - R²p at the fixed angles of incidence of the testing beam exceeding the critical angle. A comparative analysis of the expansion of the spectrum by using the analytic functions of Gauss, Lorentz, Fano and Voigt was carried out. Only the application of the Gauss approximation allowed to reveal separate contribution of short- and long-range plasmon polaritons to surface plasmon resonance. Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108931 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108930 Отрицательная фотопроводимость и поверхностно-барьерный фотодиодный эффект – два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии Карась, Н.И. Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения меньшего, чем темновое. ПБФД эффект проявлял себя тем, что кривые люкс-амперных характеристик – зависимости ФП от интенсивности освещения – не совпадали при прямом и обратном направлениях тока, и с увеличением интенсивности освещения это расхождение увеличивалось. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием на поверхности полупроводника (МПК) инверсионного изгиба зон из-за прилипания на так называемых “медленных” поверхностных уровнях основных носителей заряда, что вызывает отрицательную ФП. С другой стороны, инверсионный р-слой, образующийся при этом, с объемом кремния n-типа создают индуцированный p-n-переход с весьма малой глубиной залегания (0,05 – 0,1 мкм), т.е. поверхностно-барьерный фотодиод.; The simultaneous display of two surface photoeffects in macroporous silicon – negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – have been observed. Negative photoconductivity is manifested itself in the fact that when illuminating the sample of macroporous silicon, its conductivity decreased to a value smaller than the dark one. Surface-barrier photodiode effect manifested itself in the fact that the curves of lux-ampere characteristics – dependence of photoconductivity on the intensity of illumination – did not coincide in the case of the forward and reverse current and with the light intensity increase this difference is rised. The experimental results are explained by formation of the inversion band bending on the surface of semiconductor (macroporous silicon) due to capture of the majority carriers at the so-called slow surface levels, which causes negative photoconductivity. On the other hand, this formed inversion p-layer together with n-type silicon bulk create an induced p-n junction with the very small depth (0.05 – 0.1 μm), i.e. surface-barrier photodiode. Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108930 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108929 Модуляционная поляриметрия поверхностного плазмонного резонанса как средство детектирования диэлектрических свойств газов Матяш, И.Е. Исследовано изменение диэлектрических свойств газов, находящихся в контакте с наноразмерной пленкой металла, в зависимости от внешнего воздействия. Измерения проведены с использованием метода модуляционной поляриметрии, основанного на регистрации явления поверхностного плазмон-поляритонного резонанса. Определены коэффициенты пропорциональности изменения показателей преломления газов (азот, воздух, гелий) с давлением при медленном изменении последнего. Выявлено, что величина приращения показателя преломления, полученная при быстром изменении давления, коррелирует со значениями эффективных радиусов молекул газов и газовых смесей.; Studied were the changes in the dielectric properties of gases contacting with nanoscale metal film in accordance with external influence. The measurements were carried out using modulation polarimetry technique based on recording the phenomenon of surface plasmon-polariton resonance. The coefficients of proportionality of changes in the refractive indices for some gases (nitrogen, air, helium) with pressure under slow changing the latter were determined. It was found that the increment of the refractive index obtained by a rapid change in pressure is correlated with the values of the effective radii of the molecules of gases and gas mixtures.. Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108929 2014-01-01T00:00:00Z