<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Металлофизика и новейшие технологии, 2014, № 03</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106857</link>
<description/>
<pubDate>Mon, 20 Apr 2026 14:02:52 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-04-20T14:02:52Z</dc:date>
<image>
<title>Металлофизика и новейшие технологии, 2014, № 03</title>
<url>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/bitstream/id/318055/</url>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106857</link>
</image>
<item>
<title>Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106903</link>
<description>Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride
Sichkar, S.M.
Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB₂ λ=0,17 свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано електричний опір і коефіцієнт анізотропії ρz/ρx=1,079 (Т=300 К) для дибориду гафнію. Було досягнуто добру узгодженість з експериментальними даними для електричного опору. У роботі виконано порівняльний аналіз результатів розрахунків фононних спектрів методами ABINIT, SIESTA, VASP та запропонованим методом ЛМТО з детальним обговоренням одержаних відмінностей.; Ab initio расчёт функций электрон-фононной связи выполнен в рамках метода ЛМТО с использованием полного потенциала. Низкое значение усреднённой константы электрон-фононного взаимодействия для HfB₂ λ=0,17 свидетельствует, что нет оснований для возникновения сверхпроводящего состояния в этом соединении. Впервые были рассчитаны электрическое сопротивление и коэффициент анизотропии ρz/ρx=1,079 (T=300 К) для диборида гафния. Было достигнуто хорошее согласие с экспериментальными данными для электрического сопротивления. В работе выполнен сравнительный анализ результатов расчётов фононных спектров методами ABINIT, Siesta, VASP и предложенным методом ЛМТО с детальным обсуждением полученных различий; Ab initio calculation of the electron—phonon coupling functions is carried out, using full potential LMTO method. Low value of the averaged electron— phonon interaction constant for HfB₂ λ=0.17 indicates that there is no evidence of superconductivity in this compound. Electrical resistivity and anisotropy factor ρz/ρx=1.079 (T=300 K) are theoretically calculated. A good agreement with experimental data of electrical resistivity is achieved. Comparative analysis of ABINIT, SIESTA, VASP, and present LMTO method for phonon spectra calculating is performed.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106903</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Динамическая теория скользящего диффузного рассеяния рентгеновских лучей в кристалле с приповерхностными дефектами</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106902</link>
<description>Динамическая теория скользящего диффузного рассеяния рентгеновских лучей в кристалле с приповерхностными дефектами
Гаевский, А.Ю.; Голентус, И.Э.; Молодкин, В.Б.
В данной статье разработана динамическая модель диффузного рассеяния рентгеновского излучения в кристалле с приповерхностными дефектами типа центров дилатации.; У даній статті розроблено динамічну модель дифузного розсіяння Рентґенового випромінення у кристалі з приповерхневими дефектами типу центрів дилатації.; Diffraction of X-rays in conditions of total external reflection (grazing-incidence diffraction–GID) is a powerful method for defects’ diagnostics in subsurface layers and thin films. In a given paper, the dynamical model of diffuse X-ray scattering in crystals, which contain subsurface dilatation-centre-type defects, is developed. Diffuse scattering near the specular reflected and specular diffracted coherent peaks provides the main information about subsurface lattice distortions. New approach developed for calculation of the diffuse scattering amplitude is based on the distorted wave Born approximation (DWBA). Fourier components of lattice distortions are expressed by exact formulas within the scope of the continuous approximation, which takes into account the image forces caused by surface boundary. The intensity maps calculated for diffuse grazing waves scattered by subsurface defects randomly distributed in a flat layer are presented. For different scanning schemes, the conditions of predominantly diffuse component registration in grazing diffraction are defined.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106902</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Влияние адсорбционного слоя металлических частиц на их поляризуемость и рассеяние света</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106901</link>
<description>Влияние адсорбционного слоя металлических частиц на их поляризуемость и рассеяние света
Грищук, О.Ю.; Стеценко, С.В.
Рассматривается современное состояние исследований взаимодействия электромагнитного излучения с металлическими наночастицами и дисперсными системами на их основе. Проанализированы некоторые численные результаты по данной тематике, полученные в последние годы. Приведены результаты исследований влияния адсорбционного слоя металлической частицы сферической формы на её поляризуемость и усиление комбинационного рассеяния света молекулами во внешнем электрическом поле.; Розглядається сучасний стан досліджень взаємодії електромагнітного випромінення з металевими наночастинками та дисперсними системами на їх основі. Проаналізовано деякі чисельні результати з даної тематики, одержані за останні роки. Наведено результати досліджень впливу адсорбційного шару металевої частинки сферичної форми на її поляризовність та посилення комбінаційного розсіяння світла молекулами у зовнішньому електричному полі.; Current state of studies of interaction of the electromagnetic radiation with metal nanoparticles and dispersed systems based on them is considered. Some numerical data on this subject obtained in recent years are analysed. Results of investigation of influence of the adsorptive layer of a spherical metal particle on its polarizability and amplification of Raman scattering in external electric field are presented.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106901</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Transport Phenomena Induced by the Energy Pulse in a Crystal</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106900</link>
<description>Transport Phenomena Induced by the Energy Pulse in a Crystal
Pogorelov, A.E.
The phenomenon of rapid mass-transfer in solid state observed in metals after pulsed action is characterized by transfer of atoms within the short periods of action time to the depths significantly exceeding the diffusion depth under the conditions of stationary annealing. The features of other transport phenomena (mass-transfer, heat-transfer, etc.) arising in metal at pulsed energy action on a crystal are also discussed. The best instrument to study transformations in the matter under pulsed action is an easily controlled laser pulse. In a given work, the nature and correlations between transport phenomena in metals excited by the energy pulse are studied.; Скоростная деформация металлов в твёрдой фазе приводит к генерации и переносу дефектов кристаллической решётки на значительные расстояния. В этих условиях атомы проникают на глубины, существенно превышающие глубину диффузии в условиях стационарного отжига за сопоставимые времена. Ускоренный перенос атомов может также сопровождаться и другими явлениями переноса (электро- и теплоперенос) в металле при воздействии энергетического импульса на кристалл. Наилучшим источником такого импульса является легкоуправляемое лазерное излучение. В данной работе установлены природа и взаимосвязь между транспортными явлениями в металлах, возбуждённых энергетическим импульсом.; Швидкісна деформація металів у твердій фазі призводить до ґенерації і перенесення дефектів кристалічної ґратниці на значні віддалі. В таких умовах атоми проникають на глибини, які істотно перевищують глибину дифузії в умовах стаціонарного відпалу за такі ж самі терміни часу. Прискорене перенесення атомів може також супроводжуватися й іншими явищами перенесення (електро- і теплоперенесення) в металі за умов дії енергетичного імпульсу на кристал. Найкращим джерелом такого імпульсу є легкокероване лазерне опромінення. В даній роботі встановлено природу та взаємозв’язок між транспортними явищами в металах, збуджених енергетичним імпульсом.
</description>
<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/106900</guid>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
