http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/74803 2026-04-25T05:05:25Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78242 К 70-летию со дня рождения Геннадия Филипповича Тихинского Ажажа, В.М. 2000-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78241 Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления Юрченко, Г.В. Исследовались кристаллическая структура, электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных при температурах подложки от 200 до 500°С путем прямоточного нереактивного магнетронного распыления механической смеси содержащей 95 мас.% In₂O₃ и 5 мас.% SnO₂. Пленки ITO, осажденные при температуре подложки 300°С, текстурированы в направлении [400] и имеют минимальный уровень микродеформаций и обладают оптимальным сочетанием оптических и электрических свойств. 2000-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78240 Електричні властивості двошарових плівок окислів металів Новіков, В.О. Досліджені газочутливі властивості тонких двошарових плівок окислів металів, в яких нижній шар є крупнокристалічним, а верхній має високодисперсну структуру. Розглядаються фізичні основи і технологічні прийоми одержання таких плівок вакуумним методом. Двошарові плівки виявляють кращу чутливість до відновлюючих домішок у повітрі, ніж одношарові. 2000-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78239 ZnO:Al wide zone “windows” deposited by magnetron sputtering on unheated substrate Boyko, B.Т.; Khrypunov, G.S.; Yurchenko, G.V. Electrical and optical properties of ZnO:Al films deposited on unheated glass substrate by non-reactive RF magnetron sputtering of target ZnO:Al₂O₃ (98/2 wt.%) were studied. It was shown that Zno:Al films with the thickness of 0.75 µm deposited at the magnetron power 130 W and 4 µbar argon pressure with adding of 4·10⁻³ µbar oxygen pressure during the first minute of condensation has the following electrical and optical characteristics: surface, resistance 6 Ω/ and transmittance in visible spectral range about 88%. The ZnO:Al films with such optical and electrical parameters are suitable for substrate configuration highly efficiency thin film solar cells on CuInSe₂ base. 2000-01-01T00:00:00Z