http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/71018 2026-04-13T07:12:40Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/75892 Радіяційна модифікація власної дефектної структури плівок ТіО₂ з наночастинками шляхетних металів Буско, Т.О.; Куліш, М.П.; Дмитренко, О.П.; Стащук, В.С.; Вітюк, Н.В.; Єременко, А.М. Методою золь—ґель-синтези одержано тонкі нанокристалічні плівки ТіO₂, TiO₂/Ag та TiO₂/Au, які опромінювалися йонами Ті⁺ (Еi = 140 кеВ з флюенсами 1⋅10¹²—5⋅10¹⁴ йон/см2 ). Методою спектральної еліпсометрії одержано спектральну залежність оптичної провідности σ(Е) плівок. Залежно від складу плівок нанокомпозитів спектер оптичної провідности σ(Е) має різний характер, обумовлений вбиранням світла за рахунок наявности власних дефектів структури: кисневих вакансій (F²⁺-, F- і F⁺-центрів), йонів Ті³⁺ та міжвузлових атомів Ті. Спектри фотолюмінесценції плівок ТіO₂, TiO₂/Ag, TiO₂/Au мають декілька компонент, пов’язаних з різними центрами випромінення, відносна інтенсивність яких змінюється залежно від дози опромінення. Фотокаталітична активність плівок до та після йонного опромінення визначалася з розкладу барвника родаміну Б. Перебудова електронного спектру в таких тонких плівках за рахунок власних дефектів структури анатазу може сприяти фотокаталітичній активності під дією УФ і видимого діяпазонів спектру.; Thin nanocrystalline ТіO₂, TiO₂/Ag and TiO₂/Au films are fabricated, using the sol—gel synthesis method. Optical conductivity, σ(Е), is determined, using the spectral ellipsometry method. Depending on the makeup of the nanocomposite, optical conductivity σ(Е) differs characteristically due to light absorption caused by the presence of the structure intrinsic defects: oxygen vacancies (F²⁺-, F-and F⁺-centres), Ti³⁺ ions, and interstitial Ti atoms. The photoluminescence spectra of ТіO₂, TiO₂/Ag and TiO₂/Au films have several components, which correspond to different emission centres. The intensity of photoluminescence spectra depends on irradiation doses. The photocatalytic activity of films is determined by the Rhodamine B organic die degradation.Rearrangement of the electronic spectrum caused by the aforementioned defects of anatase structure in such thin films can promote the photocatalytic activity in the UV and visible spectral ranges.; Методом золь—гель-синтеза были получены тонкие нанокристаллические плёнки ТіO₂, TiO₂/Ag, TiO₂/Au, которые облучались ионами Ti⁺ (Еi = 140 кэВ с флюенсом 10¹²—5⋅10¹⁴ ион/см2 ). Методом спектральной эллипсометрии изучена оптическая проводимость σ(Е) плёнок. В зависимости от состава нанокомпозитов оптическая проводимость σ(Е) имеет разный характер, обусловленный поглощением света за счёт наличия собственных дефектов структуры: кислородных вакансий (F²⁺-, F- і F⁺-центров), ионов Ti³⁺ и междоузельных атомов Ti. Спектры фотолюминесценции плёнок TiO₂, TiO₂/Ag, TiO₂/Au имеют несколько компонент, связанных с разными центрами излучения, относительная интенсивность которых изменяется в зависимости от дозы облучения. Фотокаталитическая активность плёнок до и после ионного облучения определялась по разложению красителя родамина Б. Перестройка электронного спектра в таких тонких плёнках за счёт собственных дефектов структуры анатаза может способствовать изменению фотокаталитической активности плёнок в УФ и видимом диапазонах спектра. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/75891 Поглощение света квазинульмерными полупроводниковыми наносистемами Покутний, С.И.; Петренко, С.Д.; Старовойтов, Д.А. Развита теория межзонного поглощения света полупроводниковыми квантовыми точками в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью квантовой точки играет доминирующую роль. Показано, что край поглощения квантовой точки формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.; Розвинуто теорію міжзонного вбирання світла напівпровідниковими квантовими точками в умовах, коли поляризаційна взаємодія електрона та дірки з поверхнею квантової точки відіграє домінантну роль. Показано, що край вбирання квантової точки формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з різних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона.; Theory of interband absorption of light by semiconductor quantum dots in an environment where polarization interaction of electrons and holes with the surface of the quantum dot plays a dominant role is developed. As shown, the absorption edge of quantum dot is formed by two transitions comparable in intensity from different levels of size quantization of holes onto the lower level of size quantization of electron. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/75890 Структура и оптические свойства пористых плёнок золота и серебра, полученных импульсным лазерным осаждением в вакууме Каганович, Э.Б.; Крищенко, И.М.; Манойлов, Э.Г.; Маслак-Гудима, Н.П.; Кременицкий, В.В. Методами растровой электронной микроскопии исследована микроструктура плёнок пористого золота и пористого серебра, полученных методом импульсного лазерного осаждения из обратного потока частиц эрозионного факела. С помощью энергодисперсионного спектрометра определён элементный состав плёнок. Проанализированы отличия спектров пропускания пористых и сплошных плёнок. Установлены взаимосвязи между условиями получения, микроструктурой и оптическими свойствами плёнок. Показано, что оптические свойства плёнок определяются возбуждением, как поверхностных локальных плазмонов, так и поверхностных плазмон-поляритонов при указанных условиях наблюдения.; Методами растрової електронної мікроскопії досліджено мікроструктуру плівок пористого золота та пористого срібла, одержаних методою імпульсного лазерного осадження зі зворотнього потоку частинок ерозійного факела. За допомогою енергодисперсійного спектрометра було визначено елементний склад плівок. Проаналізовано відмінність спектрів пропускання пористих і суцільних плівок. Встановлено взаємозв’язки між умовами одержання, мікроструктурою й оптичними властивостями плівок. Показано, що оптичні властивості плівок визначаються збудженням як поверхневих локальних плазмонів, так і поверхневих плазмонполяритонів за вказаних умов спостереження.; The microstructure of the porous gold and porous silver films fabricated by pulsed laser deposition from the reverse flow of particles of the erosion torch is investigated with scanning electron microscopy. The elemental composition of films is determined, using energy dispersive spectrometer. Thetransmission spectra differences between the porous and continuous films are analysed. The correlations between the preparation conditions, microstructure, and optical properties of films are revealed. As shown, the optical properties of films are determined by excitation of both surface local plasmons and surface plasmon-polaritons under the specified observation conditions. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/75889 Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів Балабай, Р.М. За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2).; The valence-electrons’ density distributions and the electronic energy spectra for the epitaxial Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/CdTe and Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/ZnS heterostructures are calculated by the methods of the density functional theory and the pseudopotential construction from the first principles. Reduction of the electron-charge density within the CdTe (or ZnS) layers covering the CdхHg1-xTe film (an insulating effect) is observed. The presence of the potential barriers on the interface of the CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2) or ZnS/CdхHg1-xTe (х = 0.2) layers is revealed.; При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х - 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а также ZnS и CdхHg1-xTe (х = 0,2). 2012-01-01T00:00:00Z