<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70902">
<title>Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 2000, № 2-3</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70902</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70933"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70932"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70931"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70930"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-16T08:12:13Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70933">
<title>Новые книги</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70933</link>
<description>Новые книги
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70932">
<title>Гастродуоденоскоп с волоконной оптикой</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70932</link>
<description>Гастродуоденоскоп с волоконной оптикой
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70931">
<title>Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70931</link>
<description>Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
Гаркавенко, А.С.
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³.; The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³. 
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70930">
<title>Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70930</link>
<description>Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
Завьялов, С.В.
Предлагается технология получения нетрадиционных подложек из анодно-оксидированного алюминия для электропроводных алмазоподобных пленок. Анодирование алюминия позволяет формировать покрытия, изолирующие свойства которых значительно превосходят традиционные подложки из керамики. Рассмотрены методы формирования оксида алюминия и способы его уплотнения полимеризацией для достижения требуемых изоляционных и теплофизических характеристик. Результаты работы представляют практическую ценность для создания резисторов, нагревательных элементов и других элементов электроники с повышенной (до 150 Вт) рассеиваемой мощностью.; The «know-how» obtaining surfaces from anodic oxidation aluminium for electro-conduction diamond like films is proposed. Anodic oxidation of aluminium allows to form coverings isolated properties of which considerably surpass traditional surfaces from ceramics. The methods of formation of alumina and ways of its densification by polymerization for achievement of required isolation and thermo-physical characteristics have been considered. The results of work represent practical value for creating resistors, heating elements and other elements of electronics with increased (up to 150 W) dissipated power.
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
