<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70817">
<title>Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 4-5</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70817</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70882"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70881"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70880"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70879"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-05T22:52:31Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70882">
<title>Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70882</link>
<description>Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали
Усов, В.В.
Пластическая обработка трансформаторной стали Fe – 3% Si, имеющей объемно центрированную кубическую решетку, приводит к возникновению качественно новых свойств — анизотропии электропроводности. Учет этой анизотропии позволит уменьшить тепловые потери, обусловленные вихревыми токами, например, в магнитопроводах электродвигателей или трансформаторов. Для количественного объяснения анизотропии электропроводности предлагается композитная модель структуры деформированного металла, основанная на понятии фрактала.
</description>
<dc:date>2001-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70881">
<title>Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70881</link>
<description>Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
Гаркавенко, А.С.
Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе.
</description>
<dc:date>2001-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70880">
<title>Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70880</link>
<description>Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров
Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Мардамшин, Ю.П.
Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние переключения датчиков приближения в 2–3 раза. На изогнутых ИБС реализуются датчики приближения проводящих предметов при любом направлении их движения, однако расстояние переключения при этом невелико. Датчик положения с ИБС применен в определителе скорости течения воды.
</description>
<dc:date>2001-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70879">
<title>Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70879</link>
<description>Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений
Гусейнов, Я.Ю.
Разработаны магнито- и газочувствительные интегральные преобра­зователи с частотным выходом на базе пленок поликристаллического кремния, выращенных в едином технологическом цикле эпитаксиаль­ного наращивания монокристаллических пленок n-типа проводимости.
</description>
<dc:date>2001-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
