http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70816 2026-04-25T18:39:26Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70865 Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В.; The possibilities of the design voltage CMOS IC switches on the base of bulk silicon have been considered. The electrical parameters of switches and multiplexers, the factors bounding the design of CMOS IC with control by signals of TTL IC have been presented. The analysis of some electrical and constructive elements' parameters of the input inverter CMOS transistors of switch control device (SCD) and analog switch has been carried out. It has been shown that limit of SCD supply voltage and switching voltage equally to ±20 V when р-chanal CMOS transistors are insulated from general substrate owing to n-р-transistions (n-well) and when n-channel CMOS transistors are insulated owing to р-n-transistions (р-well) — ±50 V. 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70864 БИС электронных пластиковых карт с предварительной оплатой Сидоренко, В.П.; Забродина, О.Н.; Сидорчук, В.Н.; Николаенко, Ю.Е. Рассмотрены структурная схема и режимы работы БИС электронных пластиковых карт для систем ресурсосбережения с предварительной оплатой энергоносителей. Обоснован выбор FLOTOX элемента памяти в качестве базовой ячейки матрицы БИС. Рассмотрены принцип работы и конструкция ячейки FLOTOX, приведена методика ее расчета. Предложены другие возможные области применения данной электронной пластиковой карты.; The structural layout and modes of operation of smart cards LSI for preliminary payments of energy resources have been considered. The choice of FLOTOX memory element has been grounded as a basic cell for LSI array. The principles of FLOTOX cell function and its construction have been considered. The procedure its calculation has been given. Other possible fields of smart card application have been offered. 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70863 Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования Дудник, С.Ф.; Залюбовский, И.И.; Сагалович, А.В.; Сагалович, В.В.; Фареник, В.И. Обосновано применение композиционных материалов типа "основа-покрытие" в качестве конструкционных материалов для некоторых энергоемких узлов технологического оборудования микроэлектроники (элементы, тепловые узлы, тепловые трубы, тигли и др.). Разработана методика нанесения покрытий и определены условия осаждения, обеспечивающие высокую адгезию, плотность, чистоту покрытий и другие эксплуатационные характеристики.; The application of the composite materials with coatings for the some components of technological equipment for microelectronics (components of the heat furnaces, heat pipes, crucibles etc.) have been justified. The technology of coatings deposition has been worked out and conditions of coatings deposition have been determinated to produce high adhesion, high density, high purity of coatings and other operating characteristics. 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70862 Статические погрешности измерителя углового ускорения и методы их устранения Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Кильдышов, Г.Г. Рассмотрено поведение чувствительного элемента измерителя углового ускорения (ИУУ) компенсационного типа в случае пространственного движения основания. Получены выражения для определения коэффициентов преобразования для каждого неизмеряемого кинематического параметра переносного движения основания (НКП). Приведены числовые оценки аддитивных и мультипликативных погрешностей от НКП для ИУУ. Разработан алгоритм компенсации погрешностей ИУУ от НКП. Выработаны требования к точности измерителей параметров переносного движения основания при использовании их выходного сигнала для алгоритмической компенсации погрешностей ИУУ.; The behavior of a sensing unit of a meter of angular acceleration (MAA) of a compensatory type in case of spatial motion of a foundation has been considered. The expressions for determination of conversion efficiencies for each not measured kinematic parameter (NKP) of transient motion of a foundation (NKP) have been obtained. The numerical estimations of additive and multiplicative errors from NKP for MAA have been given. The algorithm of compensation of errors MAA from NKP has been developed. The tolerance requirements of meters of parameters of transient motion of a foundation at usage of their output signal for algorithmic compensation of errors MAA have been worked out. 2001-01-01T00:00:00Z