Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 4-5 http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70731 2026-04-16T18:34:28Z Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70795 Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств Данилов, В.В. Представлены результаты исследований физико-технических параметров монокристаллов бромид-йодида (КРС-5) и бромид-хлорида (КРС-6) таллия, а также монокристаллов каломели (Hg₂Cl₂), предлагаемых для использования при создании акустооптических устройств. 2002-01-01T00:00:00Z Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70794 Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов Дмитриев, М.В. Установлена степенная зависимость диэлектрических свойств композита от параметров компонентов, подтвержденная экспериментами на стеклокерамических материалах и логарифмическим законом смешивания компонентов. Показано, что показатель степени при диэлектрических параметрах в предложенной формуле не должен превышать граничное значение, определяемое величиной параметра композита. 2002-01-01T00:00:00Z Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70793 Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов Шпотюк, О.И.; Гадзаман, И.В.; Охримович, Р.В.; Вакив, Н.М.; Осечкин, С.И.; Цмоць, В.М.; Брунец, И.М. На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов с высоким значением тепловой постоянной. Отработан технологический процесс получения толстых плёнок, изучен их фазовый состав, электрические свойства и стабильность. Полученные пленки характеризуются хорошей морфологией структуры и высокой плотностью. Исследовано влияние толщины слоя на стабильность электрических параметров. 2002-01-01T00:00:00Z Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70792 Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления Васильев, В.А. Проведен анализ температурных погрешностей датчиков давления, выявлена физическая природа их возникновения. Выработаны рекомендации по конструированию датчиков давления с уменьшенной температурной погрешностью. Классифицированы и рассмотрены методы уменьшения температурных погрешностей, приведены примеры реализации методов в конструкциях датчиков давления. 2002-01-01T00:00:00Z