Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002

Силовая микросхема для блоков управления газоразрядными источниками света

2002-01-01T00:00:00Z

Силовая микросхема для блоков управления газоразрядными источниками света Гаврилюк, Г.И.; Севастьянов, В.В.; Бондарчук, Л.М.; Чечель, В.В. Предложена схема управления высоковольтными инверторами, в которой устранен эффект «защелкивания» выходных транзисторов драйвера. Описана разработанная силовая микросхема управления высоковольтными инверторами в виде тонкопленочной ГИС. Сделан вывод о возможности производства экономичных и надежных отечественных преобразователей для работы в сложных климатических условиях (шахты, море, бензоколонки).; The work is devoted to the problem of the reliability increase of electronic converters in energy saving equipment during operation. Electric circuit diagram of high voltage invertors control in which the effect of "latch" of the driver output transistors is eliminated. The results of investigation of control circuit are given which confirmed that the choice of design was correct. The developed power integrated circuit of control of high voltave inverters represented by a hybrid integrated thin film circuit is described. The conclusion concerning a possibility of organization of serial production of economic and reliable national converters for work in climate conditions (mines, ports, petrol-filling stations) has been drawn.

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

2002-01-01T00:00:00Z

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС Новосядлый, С.П. Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации.; In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation.

Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

2002-01-01T00:00:00Z

Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.; Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C.

Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

2002-01-01T00:00:00Z

Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов.; Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils.