<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70398">
<title>Физика и техника высоких давлений, 2008, № 3</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70398</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70450"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70449"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70448"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70447"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-05T23:53:48Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70450">
<title>Правила оформления для авторов журнала «Физика и техника высоких давлений»</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70450</link>
<description>Правила оформления для авторов журнала «Физика и техника высоких давлений»
</description>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70449">
<title>Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70449</link>
<description>Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Москаль, Д.С.; Надточий, В.А.
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.; Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface.
</description>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70448">
<title>О барическом механизме ионной проводимости в диоксиде циркония</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70448</link>
<description>О барическом механизме ионной проводимости в диоксиде циркония
Барбашов, В.И.; Комыса, Ю.А.; Несова, Е.В.
Предложена барическая модель ионной проводимости в диоксиде циркония, предполагающая контролирующий характер влияния гидростатического давления на диффузионную подвижность ионов кислорода. В качестве механизма создания высокого давления рассматривается допирование керамики катионными примесями, имеющими больший ионный радиус и меньшую массу по сравнению с ионами циркония. Сравнение модели с экспериментальными данными показывает удовлетворительное согласие.; A baric model is proposed for ionic conductivity in zirconia with controlling character of hydrostatic pressure effect on the diffusion mobility of oxygen ions. Mechanism of high pressure generation is in the doping of ceramics with cation impurities having a larger ionic radius and a smaller mass as compared to zirconium ions. The model is in a good agreement with experimental data.
</description>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70447">
<title>Влияние магнитоимпульсной модификации поверхности наночастиц ZrO₂ на процессы их уплотнения ВГД</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70447</link>
<description>Влияние магнитоимпульсной модификации поверхности наночастиц ZrO₂ на процессы их уплотнения ВГД
Дорошкевич, А.С.; Даниленко, И.А.; Ящишин, И.А.; Константинова, Т.Е.; Безусый, В.Л.; Волкова, Г.К.; Глазунова, В.А.; Перекрестова, Л.Д.; Дорошкевич, В.С.
Методами рентгеноструктурного анализа (РСА), просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), инфракрасной фурье-спектроскопии и методом Брунауэра, Эммета и Теллера (БЭТ) исследовано влияние магнитоимпульсной обработки поверхности (H ≈ 10⁵–10⁶ A/m) наночастиц диоксида циркония на процессы их уплотнения высоким гидростатическим давлением (ВГД). Изучены зависимости величины усадки, адсорбции и степени гидроксилации компактов от частоты следования импульсов магнитного поля (ИМП). Показано, что магнитоимпульсная подготовка поверхности нанопорошков системы ZrO₂ + 8 mol.% Y₂O₃ изменяет характер процессов структурообразования дисперсной системы в условиях ВГД, причем эффективность магнитоимпульсного воздействия на исследуемый материал определяется параметрами поля и термодинамическими условиями последействия. Предложена вероятностная модель, описывающая экспериментальные результаты.; By the methods of X-ray diffraction analysis, transmission electron microscopy (TEM), infrared Fourier spectroscopy and by defining the specific surface the influence of magnetic pulse treatment (Н ≈ 10⁵–10⁶ А/m) on ZrO₂ nanoparticles compression by high hydrostatic pressure (HHP) has been investigated. Dependences of shrinkage factor, adsorption and hydroxyl-groups amount on frequency of the magnetic field pulses (PMF) have been studied. It has been shown that PMF-modification of ZrO₂ + 8 mol.% Y₂O₃  nanoparticles surface changes the character of structure-forming processes in the dispersion system at the HHP conditions. The field parameters and the thermodynamics terms of after-effect determine the efficiency of the PMF actions on the explored material. A probabilistic model for describing experimental results is proposed.
</description>
<dc:date>2008-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
