http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69885 2026-04-25T01:33:45Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/96395 80 лет со дня рождения В.Ф. Зеленского 18 февраля 2009 года исполнилось 80 лет со дня рождения доктора технических наук, профессора, академика НАН Украины, заслуженного деятеля науки и техники Украины, лауреата Государственных премий СССР и Украины Виктора Федотовича Зеленского. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/96394 Адгезионные свойства тонких металлических покрытий, нанесённых на стекло методом ионно-стимулированного осаждения Марченко, Ю.А.; Перун, Н.В.; Воеводин, В.Н.; Ванжа, А.Ф.; Александров, В.А. Представлены результаты исследования адгезии методом склерометрии тонких металлических плёнок Тi на стеклянных подложках, формируемых в условиях осаждения с одновременным облучением ионами Не с энергией 30 кэВ при температуре 300 °С. Обнаружено, что максимальная адгезия реализуется при толщине плёнки Тi 0,2…0,3 мкм и соотношении He/Ti при имплантации равном 0,3…0,35. При этом прочность сцепления пленки со стеклом составляет 350 МПа.; Представлені результати дослідження адгезії методом склерометріі тонких металевих плівок Тi на скляних підкладках, що формуються в умовах осадження з одночасним опромінюванням іонами Не з енергією 30 кеВ при температурі 300 °С. Виявлено, що максимальна адгезія реалізується при товщині плівки Тi 0,2…0,3 мкм і співвідношенні He/Ti при імплантації рівному 0,3…0,35. При цьому міцність зчеплення плівки з склом складає 350 МПа.; The results of research of adhesion the method of sclerometry of thin metallic tapes of Тi are presented on glass substrates, formed in the conditions of besieging with a simultaneous irradiation ions Не with energy 30 keV at the temperature of 300 °C. It is discovered that maximal adhesion will be realized at the thickness of tape of Тi 0,2…0,3 mkm and correlation of He/Ti during implantation equal 0,3…0,35. Thus durability of coupling of tape with glass is 350 MРa. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/96393 Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации Гладких, Н.Т.; Крышталь, А.П.; Сухов, Р.В.; Чепурная, Л.Н. Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам.; Наведено результати досліджень морфологічної структури острівцевих систем, що формуються в результаті плавлення-кристалізації конденсованих плівок Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу товщиною 2…70 нм на вуглецевій підкладці. Виявлена немонотонна залежність коефіцієнту заповнення підкладки при зміні масової товщини плівок після їх плавлення та кристалізації. Визначений інтервал товщини плівок, при плавленні яких формуються острівцеві системи з досить вузьким розподілом частинок за розміром.; The results of studies of morphological structure of island system formed during melting-crystallization of Sn, Bi and eutectic composition Sn-Bi condensed films of 2…70 nm thickness on the carbon substrate have been presented. Non-monotone dependence of the substrate fill factor has been exposed at the variation of film mass thickness after their melting and crystallization. It was determined the interval of film thicknesses, at melting of which the island systems with the narrow distribution of particles over sizes are formed. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/96392 Конструктивные и технологические особенности концептуального проекта ионно-атомного сепарирующего устройства на основе пучково-плазменного разряда Скибенко, Е.И.; Ковтун, Ю.В.; Егоров, А.М.; Юферов, В.Б. Приведено описание некоторых узлов магнитоплазменного сепарирующего устройства на основе пучково-плазменного разряда, составляющих его физическую сущность и компоновку, учитывающих специфику пучково-плазменного взаимодействия и особенности переработки ОЯТ и РАО.; Приведено опис деяких вузлів магнітоплазмового сепаруючого пристрою на основі пучково-плазмового розряду, які складають його фізичну суть і компоновку, що зважають на специфіку пучково-плазмової взаємодії і особливості переробки ВЯП і РАВ; The paper presents the description of several units from the assembly of a separator based on the beam-plasma discharge, consisting its physical essence and layout, taking into account the specific character of the beam-plasma interaction and peculiarities of NFW and RAW reprocessing. 2009-01-01T00:00:00Z