http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69661 2026-04-09T13:56:07Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100318 Optical properties of dysprosium monoantimonide thin films Tabatadze, I.G.; Jabua, Z.U.; Gigineishvili, A.V. A process has been developed for the growth of thin crystalline DySb films by thermal evaporation using Dy and Sb separate sourses. The room-temperature optical spectra (reflection and absorption, the real and the imaginary part of the dielectric constant, loss function) of DySb films have been studied at photon energies from 0.05 to 5.5 eV. The behavior and energy position of features in the spectra have been analyzed.; Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок моноантимонида диспрозия методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Dy и Sb. При комнатной температуре в области энергии фотонов 0.05 – 5.5 эВ исследованы оптические спектры (отражение и поглощение, действительная и мнимая части диэлектрических постоянных, функция потерь) приготовленных плёнок. Проанализировано поведение и энергетическое состояние спектральных зависимостей.; Розроблена технологія приготування тонких кристалічних плівок моноантимоніду диспрозії методом вакуумно-термічного випару із двох незалежних джерел Dy і Sb. При кімнатній температурі в області енергії фотонів 0.05 – 5.5 еВ досліджені оптичні спектри (відбиття та поглинання, дійсна та уявна частини діелектричних постійних, функція втрат) приготовлених плівок. Проаналізовано поводження та енергетичний стан спектральних залежностей. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100317 Magnetron sputtering of high temperature composite ceramics AlN-TiB₂-TiSi₂ Torianik, I.N.; Beresnev, V.M.; Pogrebnjak, A.D.; Sobol, O.V.; Beresneva, Ye.V.; Podcherniaieva, I.A.; Kropotov, A.Yu.; Stiervoiedov, N.G.; Turbin, P.V.; Kolesnikov, D.A.; Grankin, S.S.; Nyemchenko, U.S.; Srebniuk, P.A.; Novikov, V.Yu. By means of the magnetron sputtering method using the DC and pulsed voltages applied to the target, the coatings based on AlN-TiB₂-TiSi₂ ceramics were obtained. An amorphous-like structure of the obtained coatings was revealed. It had the area of ordering ~ 1 nm and the viscoplasticity coefficient of 0.07. The hardness of the coatings reaches 15.3 GPa, and the modulus of elasticity is 206 GPa. The coatings are characterized by high adhesion strength to the substrate.; Магнетронным методом распыления, с применением постоянного и импульсного напряжений намишень, полученыпокрытия на основе керамики AlN-TiB₂-TiSi₂. Выявлено аморфноподобную структуру сформированных покрытий с областью упорядочения ~ 1 нм и коэффициентом вязкопластичности 0,07. Твердость покрытий достигает 15,3 ГПа, а модуль упругости составляет 206 ГПа. Покрытия характеризуются высокой адгезионной прочностью по отношению к подложке.; Магнетронним методом розпилення, іззастосуванням постійної та імпульсної напруг на мішень, отримані покриття на основі кераміки AlN-TiB₂-TiSi₂. Виявлено аморфноподібну структуру сформованих покриттів із областю впорядкування ~1 нм і коефіцієнтом в’язкопластичності 0,07. Твердість покриттів досягає 15,3 ГПа, а модуль пружності складає 206 ГПа. Покриття характеризуються високою адгезійною міцністю по відношенню до підкладинки. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100316 Silicide coatings structure optimization based on multiscale approach Lytovchenko, S.V.; Beresnev, V.M.; Chyshkala, V.A.; Dmytrenko, A.Ye.; Nyemchenko, U.S.; Burkovska, V.V. This paper is an attempt to apply the multi-scale approach to the study of silicide coatings on molybdenum. Macro- and microstructure of silicide coatings largely determines mechanical and corrosion properties of molybdenum-protective coating composites. To prevent unacceptable changes, it is necessary to foresee the evolution of structure during formation of the coating and during operation of the composite. This paper analyzes the factors that determine degradation of properties of the coatings at different hierarchical levels. The requirements for the macro- and microstructure of the silicides with a view to achieving better thermal properties of the protective coating have been formulated.; В работе предпринята попытка применения мультимасштабного подхода к изучению силицидных покрытий на молибдене. Макро- и микроструктура силицидного покрытия во многом определяет механические и коррозионные свойства композитов молибден – защитное покрытие. Для предотвращения недопустимых изменений необходимо предвидеть эволюцию структуры при формировании покрытия и в процессе эксплуатации композита. В работе проанализированы факторы, определяющие деградацию защитных свойств покрытия на разных иерархических уровнях. Сформулированы требования к макро- и микроструктуре силицидов с целью достижения более совершенных термических свойств защитного покрытия; У роботі зроблена спроба застосування мультимасштабного підходу до вивчення силіцидних покриттів на молібдені. Макро- і мікроструктура силіцидних покриттів багато у чому визначає механічні та корозійні властивості композитів молібден – захисне покриття. Для запобігання неприпустимих змін необхідно передбачити еволюцію структури при формуванні покриття і в процесі експлуатації композиту. У роботі проаналізовано чинники, що визначають деградацію захисних властивостей покриття на різних ієрархічних рівнях. Сформульовані вимоги до макро- і мікроструктури силіцидів з метою досягнення досконаліших термічних властивостей захисного покриття. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100315 The temperature dependence of the band GAPSi Guliamov, G.; Erkaboev, U.I.; Sharibaev, N.Y. With the help of mathematical modeling of the thermal broadening of the energy levels studied the temperature dependence of the band gap semiconductors. In view of the temperature dependence of the effective mass of the density of states obtained graphs temperature dependence of the band gap. Investigated the effect of changes in the effective mass of charge carriers on the temperature dependence of the band gap semiconductors. The theoretical results of mathematical modeling are compared with experimental data for Si. The theoretical results satisfactorily explain the experimental results for Si.; С помощью математического моделирования процесса термического уширения энергетических уровней исследована температурная зависимость ширинызапрещенной зоныполупроводников. С учетом температурной зависимости эффективной массы плотности состояний получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны. Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. Теоретические результаты математического моделирования сравниваются с экспериментальными данными для Si. Результаты теории удовлетворительно объясняют экспериментальные результаты для Si.; За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки температурноїзалежності ширини забороненоїзони. Досліджено вплив змінювання ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненоїзони в напівпровідниках. Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si. 2013-01-01T00:00:00Z