http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69646 2026-04-09T13:00:09Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98904 Получение термоэлектрического наноматериала на основе твердого раствора (Bi, Sb)₂Te₃ Любушкин, Р.А.; Марадудина, О.Н.; Иванов, О.Н.; Сирота, В.В. Представлен способ получения слабоагломерированного наноразмерного порошка состава (26%мол. Вi₂Te₃ – 74%мол.Sb₂Te₃ ) + 3%мол.Te, основанный на восстановлении оксидов Bi₂O₃, TeO₂, Sb₂O₃ гидразином. Синтезированный порошок состоит из агломератов частиц неправильной сферической и игольчатой формы со средним размером 20 – 80 нм, размер индивидуальных частиц составляет в среднем ~15 нм. Компактирование порошка методом холодного изостатического прессования и последующий отжиг в атмосфере аргона при температуре 300 °С позволяет получать однородные по составу образцы с размером зерна ~300 нм.; Представлено спосіб одержання слабоагломерированного наноразмерного порошку складу (26%мол. Вi₂Te₃ – 4%мол.Sb₂Te₃ ) + 3%мол.Te, заснований на відновленні оксидів Bi₂O₃,TeO₂, Sb₂O₃ гидразином. Синтезований порошок складається з агломератів часток неправильної сферичної й голчастої форми із середнім розміром 20 – 80 нм, розмір індивідуальних часток становить у середньому ~15 нм. Компактування порошку методом холодного ізостатичного пресування й наступний віджиг в атмосфері аргону при температурі 300 °С дозволяє одержувати однорідні по складу зразки з розміром зерна ~300 нм.; Method of preparing nanosized weakly agglomerated powder with (26%mol.Вi₂Te₃ – 74%mol.Sb₂Te₃ ) + 3%mol.Te composition is presented in this work. This method is based on reduction of Bi₂O₃, TeO₂, Sb₂O₃ oxides by hydrazine. Synthesized powder consists of agglomerates of particles with spherical and irregular shape. The agglomerate size is in the range of 20 – 80 nm, while the size of individual particles is about 15 нм. Compacting of the powder by cold isostatic pressing with its further annealing in Ar atmosphere at 300 °С allowed us to obtain a homogeneous material with a grain size of about ~300 nm. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98903 Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке Сухов, Р.В.; Миненков, А.А.; Крышталь, А.П. На основании электронно-микроскопических исследований слоистых пленочных систем эвтектического типа Ge-Au построена размерная зависимость температуры кристаллизации жидкой фазы эвтектического состава в контакте с аморфной германиевой подложкой. Измеренный угол смачивания и величина переохлаждения жидкой фазы в системе хорошо коррелируют с эмпирической зависимостью величины переохлаждения при кристаллизации от степени взаимодействия с подложкой.; В результаті електронно-мікроскопічних досліджень шаруватих плівкових систем евтектичного типу Ge-Au побудована розмірна залежність температури кристалізації рідкої фази евтектичного складу у контактіз аморфною германієвою підкладкою. Виміряний кут змочування та величина переохолодження рідкої фази в системі добре узгоджуються з емпіричною залежністю величини переохолодження при кристалізації від рівня взаємодії з підкладкою.; Size dependence of the crystallization temperature of Ge-Au eutectic in contact with amorphous Ge substrate has been determined on the basis of electron microscopy studies of Ge-Au layered film systems. The values of supercooling upon crystallization and wetting angle of liquid phase in Ge-Au system have been evaluated and compared with empirical dependence available in literature. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98902 Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия Сычикова, Я.А. Представлены результаты экспериментального определения величины порогового напряжения начала порообразования для кристаллов n-InP (100) с концентрацией носителей заряда 2,3⋅10¹⁸ см⁻³. Было показано, что величина порогового напряжения начала порообразования является функцией состава электролита, в частности зависит от концентрации кислоты в растворе электролита.; Запропоновано результати експериментального визначення величини граничної напруги пороутворення для кристалів n-InP (100) з концентрацією носіїв заряду 2,3⋅101¹⁸ см⁻³. Було показано, що гранична напруга початку пороутворення є функцією складу електроліту, зокрема залежить від концентрації кислоти в розчині електроліту.; The results of experimental determination of the threshold voltage of the beginning of pore formation for crystals of n-InP (100) with carrier concentration 2.3⋅10¹⁸ sm⁻³ It was shown that the threshold voltage beginning of pore formation is a function of electrolyte composition, in particular, depends on the concentration of acid in the electrolyte solution. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98901 Поверхностно-радиационные моды и продольные экситоны в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции Ахмадалиев, Б.Ж.; Полвонов, Б.З.; Юлдашев, Н.Х. Рассчитаны спектры экситон-поляритонной люминесценции (ЭПЛ) в окрестности частоты продольного экситона wl c учетом затухания hГ. Проанализированы парциальные и интерференционные вклады объемных и поверхностно-радиацонных спектральных мод в низкотемпературную поляритонную люминесцеецию кристаллов типа CdS в геометрии излучения продольных экситонов.; Розраховані спектри екситон-поляритонной люмінесценції (ЕПЛ) в околиці частоти поздовжнього екситона wl c урахуванням загасання hГ. Проаналізовано парціальні і інтерференційні вклади об'ємних і поверхнево-радіацонних спектральних мод в низькотемпературну поляритону люмінесцеецію кристалів типу CdS в геометрії випромінювання поздовжніх екситонів.; Exciton-polariton luminescence (EPL) spectra by taking into account damping hГ are calculated in the about frequency wL of the longitudinal exciton. The partially and interferential contributions of the volumetric and superficially-radiative spectral modes in the low-temperature polariton uminescence CdS crystals in a longitudinal exciton studying are analyzed. 2010-01-01T00:00:00Z