http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69461 2026-04-16T14:41:03Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78090 Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера Киселев, В.К.; Радионов, В.П. Представлена методика графического моделирования формы импульса излучения газоразрядного терагерцевого лазера с импульсной накачкой и накачкой переменным током. Исходными данными для моделирования являются: величина и форма импульса разрядного тока, зависимости мощности излучения от разрядного тока и настройки резонатора. Применение методики позволяет получать импульсы излучения требуемой формы и подбирать режимы работы с максимальным кпд.; A technique for modelling the shape of the radiation pulse-pumped THz gas-discharge laser is presented. The initial data to be used for modelling are as follows: the size and the shape of a discharge-current pulse; discharge current-dependent radiated power; the dependence of radiated power upon the tuning control of a resonator at different pumping currents. The application of the above technique makes it possible to produce pulses of required shape and to select laser peak-efficiency operating conditions.; Подано методику графічного моделювання форми імпульсу випромінювання газорозрядного терагерцового лазера з імпульсною накачкою та накачкою змінним струмом. Вихідними даними для моделювання є: величина і форма імпульсу розрядного струму, залежності потужності випромінювання від розрядного струму та настройки резонатора. Застосування даної методики дозволяє отримувати імпульси випромінювання потрібної форми й підбирати режими роботи з максимальним ККД. 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78089 Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А. Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц.; The current-voltage characteristics and the generation efficiency diodes with tunnel boundaries (TB) in structures of the «sandwich» based on GaAs are investigated. The effect of resistance between the contacts of the diode structure and the resistance in series with the TG on the efficiency of generation at the fundamental and harmonic frequencies is shown. Frequency limit of the diodes with TB is estimated. The possibility of harmonic generation and frequency multiplication using diodes with TG in the range of tens to hundreds of gigahertz is shown.; Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Показано, як впливають опори між контактами діодної структури й опори, включені послідовно з тунельною межою, на ефективність генерації на основній частоті та частотах гармонік. Оцінено частотну границю роботи діодів з тунельними межами. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з тунельною межою в діапазоні десятки-сотні гігагерц. 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78088 Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход Абдулкадыров, Д.В.; Белецкий, Н.Н.; Борисенко, С.А. Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход.; The tunneling of electrons through a nonstationary tunneling junction in the framework of the one-quantum electron tunnel transition approximation is investigated. The effect of the thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the high-frequency electron current on the frequency and applied dc bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on the active and reactive parts of the high-frequency electron current is studied; Досліджено тунелювання електронів крізь неста- ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. 2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78086 Исследование структуры плазменных образований методом доплеровской локации Хоменко, С.И.; Хорунжий, М.О.; Кулешов, А.Н.; Ефимов, Б.П. На макете когерентной гомодинной приемо-передающей измерительной установки проведены исследования плазменных образований типа страт. Проанализированы частотные особенности отражения от страт, угловые зависимости, амплитуда отражений от страт в зависимости от тока и типа генератора шума. Оценена эффективная поверхность рассеяния плазменных образований типа страт.; Stratified positive plasma column is studied using coherent homodyne receiving-transmitting measuring device. The estimation of effective scattering surface of plasma formation of stratified plasma column is given. Estimations of frequency peculiarities of signal scattering from stratified plasma, signal angle dependencies, scattering signal amplitude depending on discharge current and noise generator type have been presented.; На макеті когерентної гомодинної приймально- передавальної вимірювальної установки проведено дослідження плазмових утворень типу страт. Проаналізовано частотні особливості відбиття від страт, кутові залежності, амплітуда відбиття від страт у залежності від струму та типу генератора шуму. Оцінено ефективну поверхню розсіювання плазмових утворень типу страт. 2011-01-01T00:00:00Z