http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69136 2026-04-05T15:46:49Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69160 Правила оформления рукописей для авторов журнала «Физика и техника высоких давлений» 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69159 Ударный метаморфизм породообразующих минералов полосчатого амфиболита Белятинская, И.В.; Фельдман, В.И.; Милявский, В.В.; Бородина, Т.И. Проведено ударно-волновое нагружение полосчатого амфиболита с Южного Урала в ампулах сохранения плоской геометрии (ступенчатое ударно-волновое сжатие) с последующим изучением ударно-метаморфических трансформаций породообразующих минералов – плагиоклаза, амфибола, клинопироксена, скаполита. Максимальные ударные давления составляли 26, 36 и 52 GPa. В ходе исследований выявлены механические и химические преобразования породообразующих минералов. Наиболее сильные изменения наблюдаются в плагиоклазе: при 36 GPa минерал практически полностью аморфизован, фиксируется вынос Na⁺, а при 52 GPa Ca²⁺ тоже начинает выноситься. Преобразования в амфиболе выражены слабее: при 36 GPa он сильно трещиноват и практически не аморфизован, а при 52 GPa минерал аморфизуется лишь наполовину. В клинопироксене и скаполите фиксируются лишь слабые диаплектовые трансформации. Наблюдаемая последовательность нарастания изменений в минералах при ступенчатом ударно-волновом сжатии соответствует установленному ранее ряду ударно-термического разложения силикатов.; Проведено ударно-хвильове навантаження смужчатого амфіболіту з Південного Уралу в ампулах збереження плоскої геометрії (ступінчасте ударно-хвильове стиснення) з подальшим вивченням ударно-метаморфічних трансформацій породоутворюючих мінералів – плагіоклазу, амфіболу, клинопіроксену, скаполіту. Максимальний ударний тиск складав 26, 36 і 52 GPa. В ході досліджень виявлено механічні і хімічні перетворення породоутворюючих мінералів. Найбільш сильні зміни спостерігаються в плагіоклазі: при 36 GPa мінерал практично повністю аморфізований, фіксується винесення Na⁺, а при 52 GPa спостерігається винесення Ca²⁺. Перетворення в амфіболіті виражені слабкіше: при 36 GPa він сильно тріщинуватий і практично не аморфізований, а при 52 GPa мінерал аморфізується лише наполовину. У клинопіроксені та скаполіті фіксуються лише слабкі діаплектові трансформації. Спостережувана послідовність наростання змін в мінералах при ступінчастому ударно-хвильовому стисненні відповідає встановленому раніше ряду ударно-термічного розкладання силікатів.; Shock-wave loading of Southern Ural’s streaky amphibolite were carried out in recovery ampoules (step-like shock compression). Shock-induced transformations of rock-forming minerals (amphibole, plagioclase, clinopyroxene, scapolite) were studied. The maximal shock pressures were 26, 36 and 52 GPa. In the course of studying mechanical and chemical transformations of rock-forming minerals were observed. The strongest transformations were observed in plagioclase: at 36 GPa the mineral almost completely became amorphous, escape of Na⁺ was fixed, and at 52 GPa Ca²⁺ started escaping too. Transformations of amphibole were less pronounced: at 36 GPa it was heavily cracked, but almost did not become amorphous, and at 52 GPa it became semiamorphous. Clinopyroxene and scapolite revealed just weak diaplectic transformations. The observed consistency of shock-induced changes of minerals under step-like shock compression corresponds to previously ascertained shock-thermal decomposition row of silicates. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69158 Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении Моллаев, А.Ю. На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K.; На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K.; Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69157 Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках Даунов, М.И.; Камилов, И.К.; Габибов, С.Ф. Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge<Au, Sb>, квазибесщелевом CdSnAs2<Cu> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины dεi/dP энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.; Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експерименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тиску похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Проаналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge<Au, Sb>, квазібезщілинному CdSnAs2<Cu> і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясовано, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими законами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально завищуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду.; A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of quantitative analysis in Ge<Au, Sb>, quasi-gap free CdSnAs2<Cu> and gap-free p-HgTe semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on the energy spectrum of charge carries. 2009-01-01T00:00:00Z