http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/641 2026-04-11T20:37:58Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127509 Перераспределение носителей в недодопированных кислородом монокристаллах Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ при высоком гидростатическом давлении Вовк, Р.В.; Оболенский, М.А.; Бондаренко, А.В. Исследовано влияние высокого гидростатического давления до 7 кбар на проводимость и перенос заряда в ab-плоскости монокристаллов Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ с дефицитом кислорода δ ≈ 0,55 и критической температурой Тс ≈ 45 К. Показано, что индуцированное давлением перераспределение лабильного кислорода приводит к изменению величины энергии активации переноса заряда и усилению фазового расслоения в образце. Обнаружена существенная асимметрия хода релаксации электросопротивления в процессе выдержки образца при комнатной температуре после приложения и снятия давления.; Досліджено вплив високого гідростатичного тиску до 7 кбар на провідність і перенесення заряду в ab-площині монокристалів Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ з дефіцитом кисню δ ≈ 0,55 і критичною температурою Тс ≈ 45 К. Показано, що індукований тиском перерозподіл лабільного кисню призводить до зміни величини енергії активації перенесення заряду і посилення фазового розшарування у зразку. Виявлено істотну асиметрію ходу релаксації електроопору у процесі витримування зразка при кімнатній температурі після докладання та знімання тиску.; The effect of high hydrostatic pressure up to 7 kbar on conductivity and charge transfer in the ab-plane of Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ single crystals with an oxygen deficit δ ≈ 0,55 and a critical temperature Тс ≈ 45 K is investigated. It is shown that the pressure induced redistribution of labile oxygen causes the activation energy of charge transfer to vary and the phase immiscibility of a sample to increase. A substantial asymmetry in the resistivity relaxation behavior is observed on holding the sample at room temperature after pressure application and removal. 2007-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127508 Рентгеновские исследования эффектов интеркаляции кристаллов фуллерита С₆₀ атомами Ne Легченкова, И.В.; Прохватилов, А.И.; Стеценко, Ю.Е.; Стржемечный, М.А.; Яготинцев, К.А. Рентгеновским методом исследован процесс интеркаляции атомами Ne поликристаллического фуллерита С₆₀ при комнатной температуре и давлении газа 1 атм и температурной зависимости параметра решетки в интервале температур 30–293 К. Установлено, что заполнение октаэдрических пустот ГЦК решетки С₆₀ неоном сопровождается заметным увеличением параметра и объема решетки. Эти изменения в зависимости от времени насыщения удовлетворительно описываются экспонентой. Определена временная константа интеркаляции , которая оказалась равной (179±24) ч, что почти на два порядка больше величины , полученной при повышенном давлении. Предельное насыщение фуллерита неоном достигает почти (48±3)%. Наличие примеси неона в решетке С₆₀ практически не влияет на интенсивность рассеяния рентгеновских лучей, но вследствие неоднородности распределения примеси на первых этапах интеркалирования значительно изменяет ширину отражений. В результате проведенных энергетических расчетов определено, что наиболее вероятным путем миграции атомов Ne в кристаллах фуллерита при интеркаляции являются окта–тетра–октаэдрические пустоты. В области ориентационного фазового перехода обнаружен значительный гистерезис температурных зависимостей параметров решетки. Проведено обсуждение и сопоставление полученных результатов с имеющимися литературными данными.; Рентгенівським методом досліджено процес інтеркаляції атомами Ne полікристалічного фулерита С₆₀ при кімнатній температурі і тиску газу 1 атм і температурної залежності параметра ґратки в інтервалі температур 30–293 К. Встановлено, що заповнення октаедричних порожнин ГЦК ґратки С₆₀ неоном супроводжується помітним збільшенням параметра і об’єму ґратки. Ці зміни в залежності від часу насичення задовільно описуються експонентою. Визначено тимчасову константу інтеркаляції , що виявилася рівною (179 ± 24) г, що майже на два порядки більше величини , яка отримана при підвищеному тиску. Граничне насичення фулерита неоном досягає майже (48 ± 3)%. Наявність домішки неону в ґратках C₆₀ практично не впливає на інтенсивність розсіювання рентгенівських променів, але унаслідок неоднорідності розподілу домішки на перших етапах інтеркаляції значно змінює ширину відображень. У результаті проведених енергетичних розрахунків показано, що найбільш ймовірним шляхом міграції атомів Ne у кристалах фулерита при інтеркаляції є окта–тетра–октаедричні порожнини. В області орієнтаційного фазового переходу виявлено значний гістерезис температурних залежностей параметра ґратки. Проведено обговорення і зіставлення отриманних результатів з даними, які є в літературі.; The powder x-ray diffraction method was used to study the process of saturation by Ne atoms of С₆₀ at room temperature and a Ne gas pressure of 1 bar. We also studied the temperature dependence of the lattice parameter of the saturated sample. We have found that the filling of octahedral voids of the fcc lattice of С₆₀ by neon results in an observable increase of the lattice parameter. This increase as a function of the saturation time is consistently described by an exponential law with the characteristic time constant = (179±24) h, which is almost two orders of magnitude longer than at elevated pressures. The ultimate occupancy of the voids by neon reaches the value (48±3)%. The neon impurity virtually does not affect the reflection intensities but during the initial stage of intercalation considerably increases the width of reflections. We show that the most likely migration pathway of neon atoms in crystalline fullerite С₆₀ is from octahedral to octahedral via tetrahedral voids. A considerable hysteresis stretching from to 270 K has been observed in the temperature dependence of the lattice parameter. 2007-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127507 Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ Гасанов, Н.З.; Керимова, Э.М.; Гасанов, А.И.; Асадов, Ю.Г. Исследована система полупроводниковых твердых растворов TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурный анализ позволил установить параметры кристаллической решетки соединений данной системы. В температурном интервале 10–120 К проведены экспериментальные исследования спектров поглощения монокристаллов твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), определены энергетические положения и коэффициенты температурного сдвига экситонов на краю и в глубине оптического поглощения.; Досліджено систему напівпровідникових твердих розчинів TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурний аналіз дозволив установити параметри кристалічної гратки сполук даної системи. У температурному інтервалі 10–120 К проведено експериментальні дослідження спектрів поглинання монокристалів твердих розчинів TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), визначено енергетичні положення та коефіцієнти температурного зсування екситонів на краю й у глибині оптичного поглинання.; The solid solutions of TlGaSе₂–TlFeSe₂ semiconductive system has been investigated. The x-ray diffraction analysis made it possible to estimate the crystal lattice parameters of this system compounds. The absorption spectra experimental measurements of TIGa₁₋xFexSe₂ single crystals (x = 0; 0.005; 0.01) were made at 10–120 K temperature interval. The level positions and the coefficients of temperature shift of excitons at the edge of and deep are optical absorption were determined. 2007-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127506 Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле Комник, Ю.Ф.; Андриевский, В.В.; Беркутов, И.Б. Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия τso, в результате чего меняется соотношение между τso и времени фазовой релаксации τφ. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов.; Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною 100–700 при низьких температурах (1,5–77 К) у межах уявлень щодо квантових поправок до провідності, які обумовлено ефектами слабкої локалізації та взаємодії електронів. Показано, що різноманітність та змінність кривих магнітоопору в паралельному полі при зміні товщини та температури обумовлено тим, що зі зростанням поля здійснюється підвищення значень часу спін-орбітальної взаємодії τso, в результаті чого змінюється співвідношення між τso та часом фазової релаксації τφ. Цей результат підтверджує припущення про те, що сильна спін-орбітальна взаємодія при поверхневому розсіюванні електронів пов’язана з існуванням градієнта потенціалу поблизу поверхні металу, а паралельне магнітне поле призводить до зміни орієнтації спінів, що супроводжується зменшенням частоти спін-орбітальних процесів.; The magnetic field dependences of resistance of thin Bi films (100–700 ) at low temperatures (1,5–77 K) have been analyzed within the concept of quantum corrections to conductivity induced by the effects of weak localization and electron interaction. It is shown that the diversity of the magnetoresistance curves in a parallel magnetic field with varying film thickness and temperature accounts for the fact that the spin—orbit interaction time τso increases with rise in field, causing the correlation between τso and phase relaxation time to change τφ. This result gives support to the assumption that on surface scattering of electrons the strong spin—orbit interaction is due to the potential gradient near the metal surface and the parallel magnetic field involves a change in spin orientations, accompanying by a decrease in frequency of the spin—orbit processes. 2007-01-01T00:00:00Z