<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53434">
<title>Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 4</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53434</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53616"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53615"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53614"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53613"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-06T20:16:01Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53616">
<title>Выставки. Конференции</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53616</link>
<description>Выставки. Конференции
</description>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53615">
<title>В портфеле редакции</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53615</link>
<description>В портфеле редакции
</description>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53614">
<title>Новые книги</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53614</link>
<description>Новые книги
</description>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53613">
<title>Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/53613</link>
<description>Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
Курмашев, Ш.Д.; Садова, Н.Н.; Лавренова, Т.И.; Бугаева Т.Н.
Гомогенность порошков исходных материалов позволяет получить резистивные элементы с воспроизводимыми электрофизическими параметрами и высокой прочностью сцепления с подложкой.
</description>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
