http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51658 2026-04-15T18:31:04Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51714 Список рецензентов номера 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51713 Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет чего продолжается и рост слоя. Этот эффект связан с предполагаемой инерционностью процесса диффузии. Показано практическое применение обнаруженного явления.; Розроблено дифузійну модель рідиніюфазиої епітаксії двошарової системи в умовах зміни швидкості охолодження розчину-розплаву. Виявлено, що після припинення охолодження перехідний процес продовжується, за рахунок чого продовжується і зростання шару. Цей ефект пов'язаний з припущенною інерційністю процесу дифузії. Показано практичне застосування виявленого явища.; A liquid phase epitaxy diffusion model of a two-layer system at instable cooling speed of the solution-melt has been developed. It was discovered that the transition process continues even after the termination of cooling, clue to which the layer growth continues as well. This effect is connected with to the hypothetical inertia of the diffusion process. The practical application of this phenomenon is shown. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51712 Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.; Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації.; Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51711 Технология создания легированных бором слоев на алмазе Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В.; Духновский, М.П.; Хмельницкий, Р.А. Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость капала достигается при высокой рабочей температуре.; Досліджувалися природні кристали алмазу типу IIа та CDV алмазні плівки. Представлено електрофізичні параметри структур, отриманих при різних режимах іонної імплантації бору в кристал і подальшого відпалу. Параметри кристалів з високою концентрацією домішкового азоту вказують на те, що їх можна використовувати для виготовлення НВЧ польових транзисторів, що працюють при кімнатній температурі. Алмазні CDV-плівки, леговані бором в процесі росту, також мають необхідну для виготовлення польових транзисторів рухливість носіїв заряду, однак, внаслідок високої енергії активації бору, необхідна провідність досягається при високій робочій температурі.; The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophvsical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have the required for MOSFET manufacture carrier mobility. However, clue to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures. 2012-01-01T00:00:00Z