Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 2
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51655
2026-04-30T07:01:49ZНовые книги
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51673
Новые книги
2012-01-01T00:00:00ZПамятка автору журнала "ТКЭА"
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51672
Памятка автору журнала "ТКЭА"
2012-01-01T00:00:00ZСписок рецензентов номера
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51671
Список рецензентов номера
2012-01-01T00:00:00ZФотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51670
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Ештокина, Т.Ю.; Брусенская, Г.И.; Марчук, И.А.
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.; Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.; The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
2012-01-01T00:00:00Z