<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17674">
<title>Электронная микроскопия и прочность материалов, 2009, вип. 16</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17674</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17693"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17692"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17691"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17690"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-12T04:04:55Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17693">
<title>Вплив Sc і Gd на стійкість литого сплаву Ti-36Al до високотемпературного окиснення</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17693</link>
<description>Вплив Sc і Gd на стійкість литого сплаву Ti-36Al до високотемпературного окиснення
Горна, І.Д.; Порядченко, Н.Ю.; Невінчана, О.А.; Окунь, І.Ю.; Фірстов, С.О.
Встановлено різний характер впливу легування Sc і Gd на стійкість до окиснення інтерметалідного титанового сплаву Ti—36Al при температурі 900 °С. Виявлено, що, на відміну від Gd, зростання концентрації якого в сплаві від 0,09 до 0,7% (мас.) приводить до послідовного зниження швидкості окиснення сплавів, тільки малі домішки Sc (0,05—0,09%) ефективно підвищують жаростійкість сплаву. Показано, що в порівнянні з вихідним сплавом Ti—36Al домішки 0,09% Sc або 0,7% Gd зумовлюють зменшення зміни маси при окисненні в 5 разів.
</description>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17692">
<title>Ультрамелкозернистая структура и фазовый состав никелида титана после теплого abc-прессования</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17692</link>
<description>Ультрамелкозернистая структура и фазовый состав никелида титана после теплого abc-прессования
Лотков, А.И.; Коваль, Ю.Н.; Гришков, В.Н.; Дударев, Е.Ф.; Фирстов, Г.С.; Гирсова, Н.В.; Жапова, Д.Ю.
Исследованы закономерности формирования ультрамелкозернистой структуры никелида титана при ступенчатом теплом (673—573 К) abc-прессовании. Показано, что в результате прессования возникает микроструктура смешанного типа на основе субмикрокристаллической и нанозеренной составляющих, причем последняя локализована в основном в микрополосах локализации деформации. Изучено изменение фазового состава никелида титана при 295 К после теплого abc-прессования.
</description>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17691">
<title>Примесная инженерия и механоактивация примесных центров порошковых систем</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17691</link>
<description>Примесная инженерия и механоактивация примесных центров порошковых систем
Грищишина, Л.Н.
Обоснована необходимость привлечения теории примесной инженерии для прогнозирования оптимальных вариантов технологий при механосинтезе материалов на основе дисперсных систем.
</description>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17690">
<title>Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/17690</link>
<description>Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
Силенко, П.М.; Шлапак, А.М.; Пилипчук, О.Ф.; Дьячков, П.М.; Солонін, Ю.М.
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.
</description>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
