http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150450 2026-04-09T15:33:30Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175719 Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия Осовский, В.Д.; Птушинский, Ю.Г.; Сукретный, В.Г.; Чуйков, Б.А. Измерены зависимости коэффициента прилипания молекул D₂ на поверхности вольфрама W(110) от степени покрытия S(θ) при температуре подложки Ts ~ 5 К при различных условиях формирования адсорбированного слоя. Обнаруженный ранее (В. Д. Осовскии и др. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) эффект значительного повышения вероятности прилипания D₂ при заселении слабосвязанных состоянии физической адсорбции существенно усиливается на поверхности, покрытой упорядоченным монослоем атомов деитерия, и в еще большей степени — при адсорбции на поверхности, покрытой атомарным и физически адсорбированным молекулярным монослоями. Наблюдаемые особенности зависимости S(θ) при Ts - 5 К объясняются с учетом островкового характера роста адсорбированного слоя и участия предсостояния в процессе его формирования. Получены также зависимости S(θ) для Ts = 78 и 300 К, свидетельствующие о ленгмюровском механизме адсорбции при заселении атомарного состояния 550 К и об адсорбции через предсостояние при формировании состояния 410 К.; Виміряно залежності коефіцієнта прилипання молекул D₂ на поверхні вольфрама W(110) від ступеня покриття S(θ) при температурі підкладки Ts~ 5 К за різних умов формування адсорбованого шару. Виявлений раніше (В. Д. Осовський та ін. , Письма в ЖЭТФ 60, 569 (1994)) ефект значного підвищення ймовірності прилипання D₂ при заселенні слабкозв язаних станів фізичної адсорбції істотно підсилюється на поверхні, вкритій упорядкованим моношаром атомів дейтерія, і в ще більшій мірі - при адсорбції на поверхні, вкритій атомарним та фізично адсорбованим молекулярним моношарамп. Спостережені особливості залежності S(θ) при Ts - 5 К пояснюються з урахуванням острівцевого характеру росту адсорбованого шару і участі передстану в процесі його формування. Отримано також залежності S(θ)) для Ts = 78 та 300 К, що свідчать про ленгмюрівський механізм адсорбції при заселенні атомарного стану 550 К і про адсорбцію через передстан при формуванні атомарного стану 410 К.; The dependence of the sticking probability of D₂ molecules on the W(110) surface of tungsten on the degree of coverage S(θ) at the substrate temperature Ts∼5 K is measured under different conditions of adlayer formation.The effect of significant increase in the sticking probability for D₂ in the course of population of weakly bound absorption states observed earlier (V. D. Osovskii et al., Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Phys. 60, 569 (1994) [JETP Lett. 60, 586 (1994)]) increases considerably on the surface precovered with an ordered monolayer of deuterium atoms and even more strongly for a surface covered with atomic and physisorbed molecular monolayers. The peculiarities in the S(θ) dependence observed at Ts∼5 K are explained, taking into account the island mechanism of adlayer growth as well as the precursor mediated process of its formation. The S(θ) dependences are also obtained for Ts=78 and 300 K and indicate the Langmuir mechanism of adsorption during the population of the 550 K atomic state as well as the precursor mediated mechanism of formation of the 410 K atomic state. 1997-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175718 К 70-летию Виктоpа Моисеевича Цукеpника 1997-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175717 Свободные и автолокализованные экситоны в криокристаллах инертных элементов: сосуществование и смешивание состояний Фуголь, И.Я.; Тарасова, Е.И. Проведен расчет спектров поглощения для криокристаллов инертных элементов с учетом однофононного рассеяния и многофононного взаимодействия свободных экситонов с локальными колебаниями решетки. Обсуждается возможность сосуществования свободных и автолокализованных экситонов в неравновесных состояниях выше дна экситонной зоны на основе сравнения энергии свободных экситонов с величинами затухания экситонов при однофононном рассеянии и при переходе в экситон-вибронные состояния. Показано, что при низких температурах только в криокристалле ксенона затухание свободных экситонов определяется в основном однофононным рассеянием по всей зоне. В криптоне и аргоне оба типа затухания дают сравнимые вклады. В неоне вероятность перехода экситона в автолокализованные состояния так велика, что существование зонных возбуждений маловероятно.; Проведено розрахунок спектрів поглинання для кріокристалів інертних елементів з урахуванням однофононного розсіювання та багатофононної взаємодії вільних екситонів з локальними коливаннями гратки. Обговорюється можливість співіснування вільних та автолокалізованих екситонів у нерівноважних станах вище дна екситонної зони на основі порівняння енергії вільних екситонів з величинами загасання екситонів при однофононному розсіюванні та при переході в екситон-вібронні стани. Показано, що при низьких температурах тільки в крюкристалі ксенону загасання вільних екситонів визначається в основному однофононним розсіюванням по усій зоні. У криптоні та аргоні обидва типи загасання мають порівняльні вклади. У неоні ймовірність переходу екситона в автолокалізовані стани така велика, що існування зонних збуджень малоймовірно.; The absorption spectra for rare-gas cryocrystals are calculated taking into account one-phonon scattering and multiphonon interaction of free excitons with local lattice vibrations. The possibility of coexistence of free and self-trapped excitons in nonequilibrium states above the bottom of the exciton band is discussed on the basis of a comparison of the free exciton energy with exciton damping in the one-phonon scattering and during transitions to exciton-vibron states. It is found that free exciton damping at low temperatures is mainly determined by one-phonon scattering in the entire exciton band only for xenon. In argon and krypton crystals, both types of damping make comparable contributions. The probability of transition of an exciton to self-trapped states in neon is so high that the existence of band excitations is unlikely. 1997-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175715 Исследование разрушения примесь-гелиевой твердой фазы Болтнев, Р.Е.; Гордон, Е.Б.; Крушинская, И.Н.; Мартыненко, М.В.; Пельменев, А.А.; Попов, Е.А.; Хмеленко, В.В. Исследован элементный состав примесь-гелиевой твердой фазы (ПГТФ), полученной введением в Не II газовой струи, содержащей атомы Ne, Аг, Кг, Хе и молекулы N₂. Измеренные значения стехиометрических отношений 5 = N(H)/N(Im) существенно превышают значения, следующие из модели смерзшихся однослойных кластеров. Теоретическая возможность смерзания двухслойных кластеров обоснована в рамках континуальной модели гелиевой подсистемы ПГТФ, заполняющей пространство между жесткими примесными центрами. Исследованы закономерности процесса разрушения «сухих» (вынутых из жидкого гелия) образцов в интервале температур 1,5-12 К и давлений 10-500 торр. Обнаружены две стадии разрушения образцов: медленная, характеризующаяся охлаждением, и быстрая с выделением тепла. Это позволило сделать вывод о наличии в ПГТФ двух типов гелия — слабо- и сильносвязанного, которые можно отнести соответственно ко вторым и первым координационным гелиевым сферам, образующимся вокруг тяжелых примесных частиц. Установлена тенденция увеличения температурной стабильности примесь-гелиевых (ПГ) образцов при увеличении массы примесного центра. Повышение давления гелиевого газа над образцами увеличивает их стабильность. При разрушении ПГ образцов, содержащих атомы азота, в диапазоне температур 3-4,5 К обнаружена термолюминесценция, вызываемая рекомбинацией атомов. Это демонстрирует возможность осуществления широкого круга химических реакций в отвердевшем гелии; Досліджено елементний склад домішка-геліевої твердої фази (ДГТФ), яку одержано упровадженням в Не II газового струменя, який містить атоми Ne, Аг, Кг, Хе і молекули N₂ . Виміряні значення стехіометричних відношень S=N(H)/N(Im) суттєво перевищують значення, які виникають із моделі одношарових кластерів, що змерзлися. Теоретичну можливість змерзання двошарових кластерів обгрунтовано в рамках континуальної моделі гелієвої підсистеми ДГТФ, яка заповнює простір між жорсткими домішковими центрами. Досліджено закономірності процесу руйнування «сухих» (вийнятих із рідкого гелію) зразків в інтервалі температур 1,5-12 К та тиску 10-500 торр. Виявлено дві стадії руйнування зразків: повільна, яка характеризується охолодженням, та швидка з виділенням тепла. Це дозволило зробити висновок про наявність у ДГТФ двох типів гелію — слабко- та сильнозв’язаного, котрі можна віднести відповідно до другої та першої координаційних гелієвих сфер, які утворюються навколо важких домішкових частинок. Встановлено тенденцію збільшення температурної стабільності домішка-гелієвих (ДГ) зразків при збільшенні маси домішкового центра. Підвищення тиску гелієвого газа над зразками збільшує їх стабільність. При руйнуванні ДГ зразків, які утримують атоми азота, в діапазоні температур 3-4,5 К виявлено термолюмінесценцію, яка викликається рекомбінацією атомів. Це демонструє можливість здійснення широкого кола хімічних реакцій у затверділому гелію.; The elemental composition of the impurity–helium solid phase (IHSP) grown by injecting of a gas jet containing Ne, Ar, Kr, and Xe atoms and N₂ molecules into superfluid HeII is studied. The measured stoichiometric ratios S= N(H)/N(Im) are much larger than the values predicted by the model of frozen together monolayer helium clusters. The theoretical possibility of freezing together of two-layered clusters is justified in the continual model of the helium subsystem of IHSP which fills the space between rigid impurity centers. Regularities of decomposition of “dry” samples (extracted from liquid helium) are analyzed in the temperature range 1.5–12 K under pressures from 10 to 500 torr. Two stages of sample decomposition are discovered: a slow stage accompanied by cooling and a rapid stage accompanied by heat release. These results suggest the presence of two types of helium in IHSP, viz., weakly bound and strongly bound helium which can be attributed respectively to the second and first coordination spheres of helium formed around heavy impurity particles. A tendency to elevation of the thermal stability of impurity–helium (IH) samples upon an increase in the mass of impurity center has been observed. An increase in the helium vapor pressure above the samples also increases their stability. It is found that the decomposition of IH samples containing nitrogen atoms in the temperature range 3–4.5 K is accompanied with luminescence induced by recombination of atoms. This indicates the possibility of a wide range of chemical reactions in solidified helium. 1997-01-01T00:00:00Z