<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150126">
<title>Condensed Matter Physics, 2019, том 22</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150126</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157633"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157480"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157479"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157478"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-08T23:50:50Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157633">
<title>On the finite-size effects in two segregated Bose-Einstein condensates restricted by a hard wall</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157633</link>
<description>On the finite-size effects in two segregated Bose-Einstein condensates restricted by a hard wall
Quyet, H.V.; Thu, N.V.; Tam, D.T.; Phat, T.H.
The finite-size effects in two segregated Bose-Einstein condensates (BECs) restricted by a hard wall is studied&#13;
by means of the Gross-Pitaevskii equations in the double-parabola approximation (DPA). Starting from the consistency between the boundary conditions (BCs) imposed on condensates in confined geometry and in the full&#13;
space, we find all possible BCs together with the corresponding condensate profiles and interface tensions. We&#13;
discover two finite-size effects: a) The ground state derived from the Neumann BC is stable whereas the ground&#13;
states derived from the Robin and Dirichlet BCs are unstable. b) Thereby, there equally manifest two possible&#13;
wetting phase transitions originating from two unstable states. However, the one associated with the Robin BC&#13;
is more favourable because it corresponds to a smaller interface tension.; Ефекти скiнченного розмiру у двох вiдокремлених конденсатах Бозе-Ейнштейна, обмежених твердою&#13;
стiнкою, дослiджено з допомогою рiвнянь Гросса-Пiтаєвского в наближеннi подвiйної параболи. Виходячи з узгодженостi мiж граничними умовами, якi накладаються на конденсати в обмеженiй геометрiї i&#13;
в повному просторi, ми знаходимо усi можливi граничнi умови разом iз вiдповiдними профiлями конденсату i мiжфазовi натяги. Нами вiдкрито два ефекти скiнченного розмiру: a) основний стан, отриманий&#13;
з граничної умови Ньюмана, є стiйким, а основнi стани, отриманi з граничних умов Робiна i Дiрiхлє, є&#13;
нестiйкими, b) отже, однаковим чином проявляються два можливих переходи змочування як результат двох нестiйких станiв. Проте, перехiд, пов’язаний з граничними умовами Робiна, виявляється бiльш&#13;
сприятливим, тому що вiн вiдповiдає меншому мiжфазовому натягу.
</description>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157480">
<title>Excited state properties of polycyclic hydrocarbons based dyes</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157480</link>
<description>Excited state properties of polycyclic hydrocarbons based dyes
Klysko, Yu.V.; Syrotyuk, S.V.
In this paper we present a comprehensive ab initio study of polycyclic hydrocarbons based dyes. The purpose of&#13;
the work is to obtain electronic properties of the materials which are supposed to be used in organic electronic&#13;
devices. The list of materials includes violanthrone (di-benzanthrone) derivatives which are already known as&#13;
industrial organic dyes. First, we have obtained ground-state properties by performing ab initio eigenvalue calculation within generalized gradient approximation (GGA). Then, Green’s function method has been used in&#13;
order to obtain excited state properties. The exciton eigenvalues, as well as imaginary part of dielectric function (DF) and density of states (DOS), have been evaluated from the Bethe-Salpeter equation (BS). The electronic&#13;
properties obtained here are in good agreement with available experimental data.; В данiй роботi представлено вивчення пiгментiв на основi полiциклiчних ароматичних вуглеводнiв з&#13;
використанням ab initio методiв. Список дослiджених матерiалiв включає промисловi зеленi пiгменти,&#13;
похiднi бензантрону, якi є перспективними для використання в органiчнiй електронiцi. На першому етапi&#13;
власнi функцiї та власнi значення були отриманi з використанням узагальненого градiєнтного наближення (GGA). На другому етапi квазiчастинковi електроннi властивостi розрахованi в рамках наближення GW.&#13;
Енергiї екситонiв, уявна частина дiелектричної функцiї та густина станiв були одержанi з рiвняння БетеСолпiтера (BS). Отриманi електроннi властивостi добре зiставляються з наявними екпериментальними&#13;
даними.
</description>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157479">
<title>The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157479</link>
<description>The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation
Peleshchak, R.M.; Kuzyk, O.V.; Dan'kiv, O.O.; Guba, S.K.
In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in n-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an&#13;
increase in the electric field strength, depending on the direction, leads to an increase or decrease of the critical&#13;
temperature (the critical concentration of adatoms), at which the formation of self-organized nanostructure is&#13;
possible. It is shown that in strongly alloyed n-GaAs semiconductor, an increase of the electric field strength&#13;
leads to a monotonous change (decrease or increase depending; У роботi дослiджено вплив електричного поля на умови формування та перiод поверхневої надгратки&#13;
адсорбованих атомiв у напiвпровiднику n-GaAs. Встановлено, що у напiвпровiднику GaAs збiльшення&#13;
напруженостi електричного поля залежно вiд напрямку призводить до збiльшення або зменшення критичної температури (критичної концентрацiї адатомiв), при якiй можливе формування самоорганiзованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напiвпровiднику n-GaAs збiльшення напруженостi&#13;
електричного поля призводить до монотонної змiни (зменшення чи збiльшення залежно вiд напрямку&#13;
електричного поля) перiоду самоорганiзованих поверхневих наноструктур адатомiв.
</description>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157478">
<title>Nitrogen dioxide and ammonia gas molecules interaction studies on phosphorene nanosheet — a DFT investigation</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/157478</link>
<description>Nitrogen dioxide and ammonia gas molecules interaction studies on phosphorene nanosheet — a DFT investigation
Nagarajan, V.; Chandiramouli, R.
The adsorption behaviour of hazardous gas molecules, namely nitrogen dioxide (NO₂ ) and ammonia (NH₃),&#13;
on phosphorene nanosheet (PNS) was explored by means of ab initio technique. To improve the structural&#13;
solidity of pristine PNS, we have introduced the passivation of hydrogen and fluorine at the terminated edge.&#13;
The structural solidity of both hydrogen and fluorine passivated PNS is verified in terms of formation energy.&#13;
The main objective of this research work is to probe NO₂ and NH₃ gases using PNS as a base sensing material.&#13;
The adsorption of various preferential adsorption sites of these gas molecules is studied in accordance with&#13;
the average HOMO-LUMO gap changes, natural-bond-orbital (NBO) charge transfer, HOMO-LUMO gap, and&#13;
adsorption energy. Notably, the negative value of adsorption energy is found upon the adsorption of NO₂ and&#13;
NH₃ on PNS and it is in the range of −1.36 to −2.45 eV. The findings of the present research work recommend&#13;
that the hydrogenated and fluorinated PNS can be effectively used as a chemical sensor against NO₂ and NH₃ &#13;
molecules.; Адсорбцiйнi характеристики небезпечних газових молекул, а саме двоокису вуглецю (NO₂) та амонiяку&#13;
(NH₃), на фосфореновому нанолистi дослiджено з допомогою ab initio методики. Для покращення структурної мiцностi первинного нанолиста, ми здiйснили пасивацiю водню i фтору на кiнцевому ребрi. Структурну мiцнiсть пасивованого воднем i фтором фосфоренового листа перевiрено з огляду на формування&#13;
енергiї. Основною метою даної роботи є дослiдити гази NO₂ i NH₃, використовуючи фосфореновий нанолист в якостi базового сенсорного матерiалу. Адсорбцiю рiзноманiтних селективних адсобцiйних вузлiв&#13;
цих газових молекул дослiджено у вiдповiдностi до змiн середньої HOMO-LUMO щiлини, перенесення заряду натуральний-зв’язок-орбiталь (NBO), HOMO-LUMO щiлини та енергiї адсорбцiї. Варто вiдзначити, що&#13;
знайдено вiд’ємне значення енергiї адсорбцiї пiсля адсорбцiї NO₂ i NH₃на фосфореновому нанолистi, i&#13;
воно знаходиться в дiапазонi вiд −1.36 до −2.45 еВ. Результати даної роботи доводять, що гiдрогенiзований i фторований фосфореновий нанолист можна ефективно використовувати в якостi хiмiчного сенсора&#13;
молекул NO₂ i NH₃.
</description>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
