http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132751 2026-04-10T05:43:05Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136152 Electron and vibration structure of fluorine-containing polyamide film under high energetic electron irradiation Pavlenko, O.L.; Sendiuk, V.A.; Dmytrenko, O.P.; Kulish, M.P.; Sheludko, E.V.; Kachkovsky, O.D.; Ilchenko, О.О.; Shlapatska, V.V. Influence of high energetic electron irradiation (Еᵢ = 1.8 МеV) on the electron and vibrational properties of fluorine containing polyamide films was studied. Nature of electron transitions and vibration bands in Raman and IR-absorption spectra in the initial state of the film was determined by quantum-chemical calculations. Results of optical absorption, Raman scattering and IR-absorption showed that irradiation of the film with dose of 1 MGy does not lead to significant changes of electron and vibrational structure. Increase of the dose to 3 MGy influences the intensity of vibration bands in Raman and IR-absorption spectra. Films that were transparent in the initial state became yellow-colored and fragile after the irradiation.; Приведено дослідження впливу опромінення плівок фторвмісного поліаміду високоенергетичними електронами (Еᵢ = 1,8 МеВ) на його електронну та коливну структуру. За допомогою квантово-хімічних розрахунків встановлено природу електронних переходів та смуг КРС, а також ІЧ-поглинання у вихідному стані. Результати оптичного та ІЧ-поглинаннь, раманівського розсіяння світла показують, що дані плівки при дозі 1 МГр зберігають свою електронну та коливну структуру. Збільшення дози до 3 МГр призводить до зміни інтенсивностей коливних мод у спектрах раманівського розсіяння та ІЧ-поглинання. При даній дозі плівки втрачають прозорість, набуваючи жовтого кольору, і стають крихкими.; Приведены исследования влияния облучения пленок фторсодержащего полиамида высокоэнергетическими электронами (Еᵢ = 1,8 МэВ) на его электронную и колебательную структуру. С помощью квантово-химических расчетов установлена природа электронных переходов и полос КРС, а также ИК-поглощения в исходном состоянии. Результаты оптического и ИК-поглощения, рамановского рассеяния света показывают, что данные пленки при дозе 1 МГр сохраняют свою электронную и колебательную структуру. Увеличение дозы до 3 МГр приводит к изменению интенсивностей колеблющихся мод в спектрах рамановского рассеяния и ИК-поглощения. При данной дозе пленки теряют прозрачность, приобретая желтый цвет, и становятся хрупкими. 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136151 Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Долголенко, А.П. Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией.; Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией.; The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater distortion in configuration with less distortion was found. 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136150 Деградация железа и сплавов на его основе под влиянием водородной плазмы Карпов, С.А.; Никитин, А.В.; Толстолуцкая, Г.Д. В обзоре рассмотрены растворимость и диффузионная подвижность водорода в железе и сталях, его взаимодействие с несовершенствами решетки металла, а также деградация свойств материалов под действием имплантированного водорода. Обсуждены процессы, приводящие к развитию блистеров и подповерхностных трещин в ферритно-мартенситной стали ЭП-450 и α-железе при воздействии водородной (дейтериевой) плазмы тлеющего разряда с энергией ионов ~ 1 кэВ. Рассмотрены температурная зависимость параметров блистеров, влияния исходного состояния материала, а также предварительного внедрения инертных газов на развитие индуцированных водородом трещин и блистеров. Показано, что в периоды остановки термоядерного реактора, когда температура первой стенки снижается до ~ 350 К, можно ожидать значительные скорости роста трещин. Отмечена необходимость рассмотрения всей совокупности отрицательных явлений, обусловленных повышенным содержанием водорода в металле, при решении проблем разрушения деталей энергетических установок.; В огляді розглянуті розчинність і дифузійна рухливість водню в залізі і сталях, його взаємодія з недосконалостями решітки металу, а також деградація властивостей матеріалів під дією імплантованого водню. Обговорено процеси, що призводять до розвитку блістерів і підповерхневих тріщин у феритно-мартенситній сталі ЕП-450 і α-залізі під впливом водневої (дейтерієвої) плазми тліючого розряду з енергією іонів ~ 1 кеВ. Розглянуто температурна залежність параметрів блістерів, вплив вихідного стану матеріалу, а також попереднього впровадження інертних газів на розвиток індукованих воднем тріщин і блістерів. Показано, що в періоди зупинки термоядерного реактора, коли температура першої стінки знижується до ~ 350 К, можна очікувати значні швидкості росту тріщин. Наголошено на необхідність розгляду всієї сукупності негативних явищ, зумовлених підвищеним вмістом водню в металі, при вирішенні проблем руйнування деталей енергетичних установок.; The review considers the solubility and diffusivity of hydrogen in iron and steels, its interaction with imperfections of the metal lattice, and the degradation of materials properties under the influence of implanted hydrogen. The processes leading to the development of blisters and subsurface cracks in EP-450 ferritic-martensitic steel and α-Fe under the influence of hydrogen (deuterium) glow discharge plasma with ion energy of ~ 1 keV are discussed. The temperature dependence of blister parameters, the impact of the initial state of material as well as the pre-irradiation of inert gases on the development of hydrogen-induced cracks and blisters are considered. It is shown that in the periods of fusion reactor discontinuances, when the temperature of the first wall decreases to ~ 350 K, significant crack growth rates can be expected. The necessity to consider the entire set of negative phenomena caused by increased hydrogen content in the metal was noted, when solving problems of the destruction of power plants. 2017-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136149 Упругие и акустические свойства монокристаллического гафния в интервале температур 78…300 К Корниец, А.В.; Булатов, А.С. В интервале температур 78…300 К измерены скорости распространения Vᵢₗ(T) продольных, квазипродольных и сдвиговых ультразвуковых волн и соответствующие коэффициенты поглощения αᵢₗ(Т) в монокристалле Hf(0,3%Zr) при использовании импульсной ультразвуковой техники с рабочей частотой 50 МГц. С помощью экспериментальных результатов Vᵢₗ(T) определены пять независимых адиабатических констант сᵢₗ тензора упругости монокристалла. По данным сᵢₗ(Т) вычислены коэффициенты тензора податливости; линейные сжимаемости; модули Юнга, сдвига; коэффициенты Пуассона параллельно и перпендикулярно к с-оси. В приближении Фойгта-Рейсса-Хилла определены изотропные величины модулей. На зависимостях с₁₁(Т) и с₃₃(Т) обнаружена аномалия, вызванная изменением в фононном спектре Hf(0,3%Zr). Показано, что резонансные особенности в поведении α₁₁(Т) и α₃₃(Т) обусловлены дислокациями роста в монокристалле.; У інтервалі температур 78...300 К виміряні швидкості поширення Vᵢₗ(T) поздовжніх, квазіпоздовжніх і зсувних ультразвукових хвиль і відповідні коефіцієнти поглинання αᵢₗ(Т) в монокристалі Hf(0,3%Zr) при використанні імпульсної ультразвукової техніки з робочою частотою 50 МГц. За допомогою експериментальних результатів Vᵢₗ(T) визначені п'ять незалежних адіабатичних сталих сᵢₗ тензора пружності монокристалу. За даними сᵢₗ(Т) обчислені коефіцієнти тензору піддатливості; лінійні стисливості; модулі Юнга, зсуву; коефіцієнти Пуассона паралельно і перпендикулярно до с-осі. У наближенні Фойгта-Рейсса-Хілла визначені ізотропні величини модулів. На залежностях с₁₁(Т) і с₃₃(Т) виявлена аномалія, викликана зміною в фононному спектрі Hf(0,3%Zr). Показано, що резонансні особливості в поведінці α₁₁(Т) і α₃₃(Т) обумовлені дислокаціями зростання в монокристалі.; In the temperature range between 78 and 300 K, the propagation velocities Vᵢₗ(T) of longitudinal, quasilongitudinal and shear ultrasonic waves and the corresponding absorption coefficients αᵢₗ(T) have been measured in a Hf(0.3%Zr) single crystal at 50 MHz using a pulsed ultrasonic technique. Five independent adiabatic constants cij of the single crystal elastic tensor have been determined using the Vᵢₗ(T) experimental results. The cij data have been used to calculate adiabatic coefficients of the compliance tensor, linear compressibilities, Young’s moduli, shear moduli, Poisson's coefficients along and across the c axis of the crystal. In the Voigt-Reuss-Hill approximation, the isotropic values of the moduli have been determined. The anomaly caused by changes in the Hf(0.3%Zr) phonon spectrum have been observed in the c₁₁(T) and c₃₃(T) curves. It is shown that the resonance singularities in the behavior of α₁₁(T) and α₃₃(T) are attributed to growth dislocations in a single crystal. 2017-01-01T00:00:00Z