http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132709 2026-04-07T17:08:06Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136626 Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films Lopin, A.V.; Semenov, A.V.; Puzikov, V.M.; Skorik, S.N. The optical absorption edge of nanocrystalline films of cubic silicon carbide polytype (nc-SlC) obtained by direct ion deposition have been studied using optical spectroscopy. Within the 1.12-6.5 eV, three optical absorption regions have been found with different (exponential, power, and oscillating) dependences of the film absorption coefficient on the photon energy. Basing on the proposed structure model, the spectral dependence of absorption coefficient has been related to the defect states of nc-SlC, to direct and indirect optical interband transitions, and with dimensional quantization effects.; Методом оптичної спектроскопії досліджено край оптичного поглинання нанокристалічних плівок кубічного політипу карбіду кремнію (nc-SiC), одержаних методом прямого іонного осадження. У діапазоні 1,12-6,5 еВ виділено три області оптичного поглинання з різною залежністю коефіцієнта поглинання плівок від енергії фотона: експоненціальною, степеневою та осциляційною. На основі запропонованої структурної моделі плівок спектральна залежність коефіцієнта поглинання пов'язується з дефектними станами nc-SiC, з оптичними прямими та непрямими міжзонними переходами та з ефектами розмірного квантування.; Методом оптической спектроскопии изучен край оптического поглощения нанокристаллических плёнок кубического политипа карбида кремния (nc-SiC), полученных методом прямого ионного осаждения. В диапазоне 1,12-6,5 эВ выделены три области оптического поглощения с различной зависимостью коэффициента поглощения пленок от энергии фотона: экспоненциальной, степенной и осциллирующей. На основе предложенной структурной модели плёнок спектральная зависимость коэффициента поглощения связывается с дефектными состояниями nc-SiC, с оптическими прямыми и непрямыми межзонными переходами и эффектами размерного квантования. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136625 Optical properties of Ge-As-S thin films Tolmachov, I.D.; Stronski, A.V. Thin Ge-As-S films have been prepared by thermal vacuum evaporation. Optical parameters and thickness values of the films have been calculated basing on transmission spectra. The dispersion dependences of the refractive index have been shown to be described well by the single oscillator model. The optical band gap width has been determined using the Tauc dependence. The non-linear optical properties of the films have been estimated basing on the data obtained.; Методом термічного вакуумного випаровування отримано тонкі плівки складу Ge-As-S. Із спектрів пропускання розраховані оптичні сталі та товщини плівок. Показано, що дисперсійні залежності показника заломлення добре описуються одноосциляторною моделлю. 3а допомогою залежності Тауца визначено ширину оптичної забороненої зони. На основі отриманих даних проведено оцінку нелінійних оптичних властивостей плівок.; Методом термического вакуумного испарения получены тонкие пленки состава Ge-As-S. Из спектров пропускания рассчитаны толщины пленок и оптические постоянные. Показано, что дисперсионные зависимости показателя преломления хорошо описываются одноосцилляторной моделью. С помощью зависимости Тауца определена ширина оптический запрещенной зоны. На основании полученных данных проведена оценка нелинейных оптических свойств пленок. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136624 Luminescent photonic crystals Klimonsky, S.O.; Sinitskii, A.S.; Abramova, V.V.; Eliseeva, S.V.; Li, J.; Zhang, P.; Li, M.; Zhou, J.Y.; Tretyakov, Yu.D. Angular distribution of photoluminescence of trivalent rare earth ions included inside three-dimensional opal and inverse opal photonic crystals is experimentally shown to be strongly modulated for the emission frequencies near the first and higher photonic stopbands. Numerical simulations of fractional density of optical states also predict highly directional emission from photonic crystals with perfect structure. Experimental results are shown to be in a good agreement with calculated angular dependences. However, better agreement between experimental and theoretical data requires smoothing of calculated dependences, which can be attributed to the presence of structural imperfections in real photonic crystal samples.; Експериментально посвідчено, що кутовий розподіл люмінесценцн тривалентних рідкісноземельних іонів, введених у фотонні кристали тривимірних опалів та інвертних опалів, є сильно модульованим для частот випромінювання, близьких до першої та вищих фотонних стоп-зон . Числове моделювання фракційної густини оптични х станів також завбачає високонапрямне випромінювання з фотонних кристалів досконалої структури . Показано, що експериментальні результати добре узгоджуються з розрахунковими кутовими залежностями люмінесценції. Однак для кращого узгодження експериментальних даних з теоретичними необхідним є згладжування розрахованих залежностей, що можна пояснити присутністю структурних недосконалостей у реальних зразках фотонних кристалів.; Экспериментально показано, что угловое распределение люминесценции трехвалентных редкоземельных ионов, введенных в фотонные кристаллы трехмерных опалов и инвертных опалов, сильно модулировано для частот излучения, близких к первой и высших фотонных стоп-зон. Численное моделирование фракционной плотности оптических состояний также предсказывает высоконаправленное излучение из фотонных кристаллов совершенной структуры. Показано, что экспериментальные результаты хорошо согласуются с расчетными угловыми зависимостями люминесценции. Однако для лучшего согласования экспериментальных данных с теоретическими необходимо сглаживание расчетных зависимостей, что можно объяснить наличием структурных несовершенств в реальных образцах фотонных кристаллов. 2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136623 Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Gentsar, P.O.; Vlasenko, O.I.; Vuichyk, M.V.; Stronski, O.V. Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers.; Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв.; Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей. 2009-01-01T00:00:00Z