http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132707 2026-04-15T11:55:52Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136557 Nanocontainer properties of flexible dendrimers Ratner, M. Monte-Carlo simulation of solvaphobic interactions of flexible dendrimers with small molecules was conducted. It was shown that universal scaling properties of such dendrimers apply also to the case of interaction with small molecules. The dependence of conformational entropy on molecule size was found.; Проведено моделювання методом Монте-Карло взаємодії дендримерів з гнучкими гілками з невеликими молекулами у розчиннику. Показано, що масштабна інваріантність дендримерів має місце і в такому випадку. Знайдено залежність конфігураційної ентропії від розміру молекули.; Проведено моделирование методом Монте-Карло взаимодействия дендримеров с гибкими ветвями с небольшими молекулами. Показано, что свойства масштабной инвариантности дендримеров проявляются и в этом случае. Найдена зависимость конфигурационной энтропии от размера молекулы. 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136556 Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification Kamuz, A.M.; Oleksenko, P.F.; Kamuz, O.A.; Ilin, O.A.; Stronski, A.V. It is known that using the irreversible giant modification, it is possible to change locally the refractive index of semiconductors. This work is concerned with the development of the methods of photonic crystal formation basing on CdS, CdTe and GaAs semiconductors. It was shown that complex refractive index of the CdS, CdTe and GaAs semiconductor samples is changed significantly after their modification. For example, the complex refractive index of CdS is changed from 2. 75 + i2.8113 up to 1.9 + i0.035. The real and imaginary parts of CdS refractive index are decreased by 0.85 and 2. 7763, respectively, while the absorption coefficient is decreased by 80 times. It is also shown that the interface between modified and non-modified sample areas is submerged into the sample depth (the distance from the surface being at least 11 μm). Thus, one- and two dimensional photonic crystals for visible and ultraviolet ranges can be effectively obtained using CdS, CdTe and GaAs semiconductor substrates by modifying thereof without complex lithographic technology.; Відомо, що за допомогою незворотної гігантської модифікації можна локально змінювати коефіцієнт заломлення напівпровідників. Ця робота присвячена розробці методики формування структур фотонних кристалів у напівпровідникових матеріалах CdS, CdTe і GaAs. Показано, що комплексний показник заломлення у напівпровідниках CdS, CdTe і GaAs значно змінюється після вищезгаданої модифікації. Для CdS комплексний коефіцієнт заломлення змінюється від величини 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Дійсна та уявна частини комплексного коефіцієнта заломлення у CdS зменшуються відповідно на 0,85 і 2,7763, а коефіцієнт поглинання зменшується у 80 разів. Також показано, що границя розділу між модифікованими та немодифікованими ділянками знаходиться під поверхнею зразка, на глибині щонайменше 11 мкм. Із застосуванням такого способу модифікації оптичних властивостей напівпровідників можна виготовляти одно- та двовимірні фотонно-кристалічні структури для видимого і ультрафіолетового діапазонів на напівпровідникових субстратах зі сполук CdS, CdTe і GaAs без використання складних багатоступінчастих літографічних технологій.; Известно, что с помощью необратимой гигантской модификации можно локально изменять коэффициент преломления полупроводников. Настоящая работа посвящена разработке методики формирования структур фотонных кристаллов в полупроводниковых материалах CdS, CdTe и GaAs. В работе показано, что комплексный показатель преломления в полупроводниках составов CdS, СdТе и GaAs претерпевает значительные изменения после вышеупомянутой модификации. Для CdS комплексный коэффициент преломления изменяется от величины 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Действительная и мнимая части комплексного коэффициента преломления CdS уменьшаются на 0,85 и 2,7763 соответственно, а коэффициент поглощения уменьшается в 80 раз. Также показано, что граница раздела между модифицированным и не модифицированным участками находится под поверхностью образца, на глубине не менее 11 мкм. С применением такого способа модификации оптических свойств полупроводников можно изготавливать одно- и двумерные фотонно-кристаллические структуры для видимого и ультрафиолетового диапазонов на полупроводниковых подложках составов CdS, CdTe и GaAs без использования сложных многоступенчатых литографических технологий. 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136555 Structure and properties of electrolytic cobalt-tungsten alloy coatings Ved, M.; Sakhnenko, N.; Bairachnaya, T.; Tkachenko, N. Electrochemical synthesis mode influence on composition, structure, surface morphology and functional properties of cobalt-tungsten alloy coatings has been investigated. The high-melting element concentration range in the deposit providing the maximal level of corrosion resistance and catalytic activity both in model hydrogen evolution reaction and at hydrocarbon oxidation has been determined. Magnetic characteristics and microhardness of cobalt-tungsten alloy coating have been studied as functions of its chemical composition.; Досліджено вплив режимів електрохімічного синтезу на склад, структуру, морфологію поверхні та функціональні властивості покриттів сплавами кобальт-вольфрам. Визначено діапазон вмісту тугоплавкого елемента у покритті та відповідний характер поверхні, які забезпечують максимальний рівень корозійної стійкості та каталітичної активності як у модельній реакції виділення водню, так і під час спалення вуглеводнів. Вивчено магнітні характеристики сплаву кобальт-вольфрам та його мікротвердість в залежності від хімічного складу покриття.; Исследовано влияние режимов электрохимического синтеза на состав, структуру, морфологию поверхности и функциональные свойства покрытий сплавами кобальтвольфрам. Установлен диапазон содержания тугоплавкого элемента в осадке и характер поверхности, обеспечивающие максимальный уровень коррозионной стойкости и каталитической активности как в модельной реакции выделения водорода, так и при окислении углеводородов. Изучены магнитные характеристики покрытия сплавом кобальт- вольфрам и его микротвердость в зависимости от химического состава. 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136554 Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters Kopach, V.R.; Kirichenko, M.V.; Shramko, S.V.; Zaitsev, R.V. It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.; Показано, що для підвищення ефективності роботи і технологічності виготовлення монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Sі-ФЕП) сонячної енергії з товщиною базових кристалів 180+200 мкм, які мають поліровану фотоприймальну поверхню та двошаровий тильно-поверхневий рефлектор (ТПР), що складається з шарів прозорого оксиду та алюмінію, необхідно в якості неметалічного шару ТПР використовувати провідний прозорий шар із індій-олов'яного оксиду (ІТО) з інтерференційною товщиною 0.25 мкм. Це забезпечує коефіцієнт відбиття ІТО/АІ ТПР у межах 85 < R < 96 % для фотоактивної компоненти сонячного випромінювання, що падає на тильну поверхню Sі-ФЕП, при практично нульовому внеску опору шару ІТО у послідовний опір приладу. У випадку Sі-ФЕП з текстурою фотоприймальної поверхні кристала типу інвертованих пірамід, при якій специфіка поширення світла у кристалі обумовлює реалізацію ефекту повного внутрішнього відбивання випромінювання від границі розділу Sі/ІТО, для мінімізації втрат енергії фотоактивного випромінювання та опору шару ІТО його товщину слід експериментально оптимізувати у межах значень 1+2 мкм незалежно від товщини базового кристала.; Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП) солнечной энергии с толщиной базовых кристаллов 180+200 мкм, имеющих полированную фотоприемную поверхность и двухслойный тыльно-поверхностный рефлектор (ТПР), состоящий из слоев прозрачного оксида и алюминия, необходимо в качестве неметаллического слоя ТПР использовать проводящий прозрачный слой из индий-оловяного оксида (IТО) с интерференционной толщиной 0.25 мкм. Это обеспечивает коэффициент отражения IТO/AI ТПР в пределах 85 < R < 96 % для поступающей на тыльную поверхность Si-ФЭП фотоактивной компоненты солнечного излучения при практически нулевом вкладе сопротивления слоя IТО в последовательное сопротивление прибора. В случае Si-ФЭП с текстурой фотоприемной поверхности кристалла типа инвертированных пирамид, при которой специфика распространения света в кристалле обусловливает реализацию эффекта полного внутреннего отражения излучения от границы раздела Si/ITO, для минимизации потерь энергии фотоактивного излучения и сопротивления слоя IТО его толщину следует экспериментально оптимизировать в пределах значений 1+2 мкм независимо от толщины базового кристалла. 2008-01-01T00:00:00Z