http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132705 2026-04-20T18:13:27Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/134566 Luminescent ceramics based on polycrystalline calcium fluoroapatite Ca₁₀(P0₄)₆F₂:Eu³⁺ Babayevskaya, N.V.; Mateychenko, P.V.; Deineka, T.G.; Kolupaeva, Z.I. The FAP and FAP:Eu³⁺ powders have been prepared using precipitation from aqueous solution. The as-prepared powders were compacted into tablets at 660 MPa and sintered in oxygen atmosphere at 600-1200°C. XRD analysis has shown that within the whole range of sintering temperature, the samples contain crystalline fluorapatite along with a small amount of amorphous phase, which decreases as the sintering temperature rises. The sintering temperature elevation results in extension of the coherent scattering area size (L = 42 to 54 nm). The FAP:Eu³⁺ ceramics density attains 84.67 % at Tsint = 1100°C and decreases above that value. As the temperature increases, the average grain size grows from 5 to 15 μm and the porosity decreases. The photoluminescence efficiency of Eu³⁺ in the FAP structure is maximum for ceramics sintered at 1100°C.; Порошки фторапатиту кальцію (ФАП) та ФАП:Eu³⁺ отримано методом осадження з водних розчинів. Свіжоприготовлені порошки компактувались у таблетки при 660 МПа та спікалися у атмосфері кисню у діапазоні температур Tsint = 600-1200°С. 3а даними XRD, у всьому діапазоні температур спікання поряд з кристалічною фазою ФАП присутня невелика кількість аморфної фази, яка з ростом температури спікання зменшується. 3 ростом температури спікання збільшується розмір областей когерентного розсіювання (L = 42-54 нм). Густина кераміки ФАП:Eu³⁺ досягає 84.67 % при Tsint = 1100°С і вище цього значення знижується. 3і збільшенням Tsint середній розмір зерен зростає від 5 до 15 мкм та пористість знижується. Вихід фотолюмінесценції Eu³⁺ у структурі ФАП є максимальним для кераміки, спеченої при 1100°С.; Порошки фторапатита кальция (ФАП) и ФАП:Eu³⁺ получены методом осаждения из водных растворов. Свежеприготовленные порошки компактировались в таблетки при 660 МПа и спекались в атмосфере кислорода в диапазоне температур Tsint = 600-12000С. По данным XRD, во всем диапазоне температуры спекания наряду с кристаллической фазой ФАП, присутствует небольшое количество аморфной фазы, которое с ростом температуры спекания уменьшается. С ростом температуры увеличивается размер областей когерентного рассеяния (L = 42-54 нм). Плотность керамики ФАП:Eu³⁺ достигает 84.67 % при Tsint = 1100°С и выше этого значения снижается. С увеличением Tstnt средmrй размер зерен растет от 5 до 15 мкм и сmrжается пористость. Выход фотолюминесценции Eu³⁺ в структуре ФАП максимален для керамики, спеченной при 1100°С. 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/134564 Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors Zagoruiko, Yu.A.; Kovalenko, N.O.; Fedorenko, O.A.; Komar, V.K.; Sulima, S.V.; Dobrotvorskaya, M.V.; Terzin, I.S. A method is proposed for side surface passivation of spectrometric detectors based on Cd ₁₋ₓZn ₓTe solid solution. The influence of photostimulated passivation treatment on electrical and spectrometric properties of the detectors has been established. Considered are the processes occurring on the crystal surface at the treatment and causing changes in the surface phase composition.; Запропоновано спосіб пасивації бокової поверхні спектрометричних детекторів на основі твердого розчину Cd ₁₋ₓZn ₓTe. Встановлено вплив фотостимульованої пасивувальної обробки на електричні та спектрометричні властивості детекторів. Досліджено процеси, які відбуваються на поверхні кристалів при їх обробці і призводять до зміни фазового складу поверхні.; Предложен способ пассивации боковой поверхности спектрометрических детекторов на основе твердого раствора Cd ₁₋ₓZn ₓTe. Установлено влияние фотостимулированной пассивирующей обработки на электрические и спектрометрические свойства детекторов. Исследованы процессы, происходящие на поверхности кристаллов при их обработке и приводящие к изменению фазового состава поверхности. 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/134562 ZnMgSe:Cr²⁺ single crystal: a novel material for active elements of tunable IR region lasers (rapid communication) Zagoruiko, Yu.A.; Kovalenko, N.O.; Fedorenko, O.A.; Khristyan, V.A. Obtained is a new thermostable material for active elements of tunable IR-lasers - Zn₁₋ₓMgₓSe:Cr²⁺, single crystals. The position of the absorption band of Cr²⁺ ions in wurtzite-type Zn₀.₇₉Mg₀.₂₁Se matrix is established.; Отримано новий термостабільний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів з перестроюванням частоти монокристалічний Zn₁₋ₓMgₓSe:Cr²⁺. Визначено смугу поглинання іонів Cr²⁺ у матриці Zn₀.₇₉Mg₀.₂₁Se зі структурою типу "вюртцит".; Получен новый термостабильный материал - монокристаллический Zn₁₋ₓMgₓSe:Cr²⁺, для активных элементов перестраиваемых лазеров ИК-диапазона. Определено положение полосы оптического поглощения ионов Cr²⁺ в матрице Zn₀.₇₉Mg₀.₂₁Se со структурой типа "вюртцит". 2008-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/134560 New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells Kopach, V.R.; Kirichenko, M.V.; Shramko, S.V.; Zaitsev, R.V.; Bondarenko, S.A. It is shown, that for efficiency increase of multi-junction photovoltaic solar energy converters with vertical diode cells (VDC) on the basis of single-crystal silicon the modernization of VDC by the introduction along their vertical Si-boundaries single-layer indiumtin oxide reflectors by thickness more than 1 μm is necessary.; Показано, що для підвищення ККД багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії з вертикальними діодними комірками (ВДК) на основі монокристалічного кремнію необхідна модернізація ВДК шляхом введення уздовж їх вертикальних Sі-границь одношарових рефлекторів з індій-олов'яного оксиду товщиною більше 1 мкм.; Показано, что для повышения КПД многопереходных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии с вертикальными диодными ячейками (БДЯ) на основе монокристаллического кремния необходима модернизация БДЯ путем введения вдоль их вертикальных Si-границ однослойных рефлекторов из индий-оловянного оксида толщиной более 1 мкм. 2008-01-01T00:00:00Z