http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132694 2026-04-12T19:55:09Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140078 Diffusion and following isothermal desorption of impurity and matrix atoms out of sapphire and its melt Katrich, N.P.; Budnikov, A.T.; Krivonogov, S.I.; Miroshnikov, Yu.P. Isotermal desorption of impurity matrix atoms (as CO, CO₂, H₂, H₂O) out os sapphire bulk has been studied. A theoretical model has been proposed for diffusion mechanism of the atoms included in gas-vacancy complexes 2Vᶦ-Mᶦ (Mᶦ being an atom, Vᶦ, a neutral vacancy). According to the model, the gas-vacancy complexes are formed due to breaking to the surface thereof becomes desorbed while another one becomes recombined into molecules and then desorbed. The equations describing the deffusion and desorption have been derived. The diffusion and desorption parameters have been determined for the atoms and molecules.; Досліджено ізотермічну десорбцію домішкових та матричних атомів з об'єму сапфіру у складі CO, CO₂, H₂, H₂O. Запропоновано теоретичну модель механізму дифузії атомів у сапфірі у складі газо-вакансійних комплексів 2Vᶦ-Mᶦ (Mᶦ - атом, Vᶦ - нейтральна вакансія). Згідно з моделлю, газо-вакансійні комплекси утворюються внаслідок розриву іонно-ковалентноих зв'язків у сапфірі. Домішкові та матричні атоми, після чого одна частка їх десорбується, а інша рекомбінує у молекули, а потім десорбується. Одержано рівняння, що описують дифузію та десорбцію, визначено параметри дифузії та десорбції атомів та молекул.; Исследована изотермическая десорбция примесных и матричных атомов из объема сапфира в составе CO, CO₂, H₂, H₂O. Предложена теоретическая модель механизма диффузии атомов в сапфире в составе газ-вакансионных комплексов 2Vᶦ-Mᶦ (Mᶦ - атом, Vᶦ - нейтральная вакансия). Согласно модели газ-вакансионных комплексы образуются в результате разрыва ионно-ковалентных связей в сапфире. Примесные и матричные атомы, продиффундировав к поверхности в составе комплексов, переходят в адсорбированное состояние, затем одна часть их десорбируется. Получены уравнения, описывающие диффузию и десорбцию, определены параметры диффузии и десорбции атомов и молекул. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140077 Effect of twin boundaries on scattering processes of normal and fluctuating carriers in YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals Obolensky, M.A.; Vovk, R.V.; Bondarenko, A.V. Effect of twin boundaries on the normal and fluctuating conductivity of YBaCuO single crystals has been studied. The temperature dependence of the excess conductivity has been shown to be described satisfactorily by the Lawrence-Doniach theoretical model. The twin boundaries are efficient scattering centers of normal and fluctuating carriers. The determined values of coherence length perpendicular to the ab plane εc(0) agree satisfactorily with those obtained from magnetic measurements for stoichiometric YBaCuO crystals.; Дослiджено вплив меж двiйникiв на нормальну i флуктуацiйну провiднiсть монокристалiв YBaCuO . Показано, що температурна залежнiсть надлишкової провiдностi задовiльно описується теоретичною моделлю Лоуренса-Донiаха. Двiйниковi границi є ефективними центрами розсiювання нормальних i флуктуацiйних носіїв. Одержанi значення довжини когерентностi перпендикулярно ab-площинi εc(0), задовiльно узгоджуються iз значеннями, одержаними з магнiтних дослiджень для монокристалiв YBaCuO стехiометричного складу.; Исследовано влияние границ двойникования на нормальную и флуктуационную проводимость монокристаллов YBaCuO . Показано, что температурная зависимость избыточной проводимости удовлетворительно описывается теоретической моделью Лоуренса-Дониаха. Двойниковые границы являются эффективными центрами рассеяния нормальных и флуктуационных носителей. Полученные значения длины когерентности перпендикулярно ab-плоскости εc(0), удовлетворительно согласуются со значениями, полученными из магнитных исследований для монокристаллов YBaCuO стехиометрического состава. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140070 Effect of pressure on intersystem transitions in aromatic amine molecules Skrishevsky, Yu.A.; Vakhnin, A.Yu.; Skrishevsky, V.A.; Gavrilchenko, I.V.; Tretyak, O.V. Luminescence spectra of carbazole, diphenylamine, tri-p-tolylamine and N,N'-diphenyl- N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-diphenyl)-4,4'-diamine solutions in toluene and various polymer matrices have been studied at 5 and 295 К. The probability of intersystem crossing from the first singlet excited state S₁ to the triplet one Т₁ has been found to depend on the molecule chemical nature, its spatial structure, and interaction with the environment and to increases as the polymer matrix density rises, under applied external uniaxial pressure as well as under influence of external heavy bromine atom.; Исследованы спектры люминесценции растворов карбазола, дифениламина, три-р- толиламина и N,N'-дифенил-N,N'-бис(3-метилфенил)-(1,1'-дифенил)-4,4'-диамина в толуоле и различных полимерных матрицах при 5 и 295 К. Установлено, что вероятность интеркомбинационной конверсии из первого синглетного возбужденного S₁ в триплетное состояние Т₁ зависит от химической природы молекулы, ее пространственного строения и взаимодействия с окружением и возрастает при увеличении плотности полимерной матрицы, при приложении внешнего одноосного давления, а также под влиянием внешнего тяжелого атома брома.; Дослiджено спектри люмiнесценцiї розчинiв карбазолу, дифенiламiну, три-n- толiламiну i N,N'-дифенiл-N,N'-бiс(3-метилфенiл)-(1,1'-дiфенiл)-4,4'-дiамiна у толуолi та рiзноманiтних полiмерних матрицях при 5 та 295 К. Встановлено, що iмовiрнiсть iнтеркомбiнацiйної конверсiї з першого синглетного збудженого стану S₁ у триплетний стан Т₁ залежить вiд хiмiчної природи молекули, її просторової конфiгурацiї та взаємодiї з оточенням i збiльшується iз збiльшенням густини полiмерної матрицi, при дiї зовнiшнього одновiсного тиску, а також пiд впливом зовнiшнього важкого атома брому. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140066 Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates Valakh, M.Ya.; Gamov, D.V.; Dzhagan, V.M.; Lytvyn, O.S.; Melnik, V.P.; Romanjuk, B.M.; Popov, V.G.; Yukhymchuk, V.O. The possibility to obtain a heterosystem consisting of the upper partially strained and lower relaxed layers by gradient in situ doping of SiGe layers with carbon is considered. The properties of the as-grown and annealed (600 to 1000℃) samples have been studied by Raman spectroscopy and atomic force microscopy. The strain relaxation degree in the as-grown layers as estimated from the Raman spectra amounts 50 % for Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ and 0 % for Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ. During the annealing, the strain has been found to be relaxed not homogeneously over the whole structure but in a layer-by-layer way. The segregation of carbon atoms is observed for both types of as-grown Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ layers in the near-substrate regions.; Розглянуто можливiсть отримання вiдрелаксованих sige шарiв на кремнiєвiй пiдкладцi, що градiєнтно in situ легувалися вуглецем у процесi епiтаксiї. Використовуючи спектроскопiю комбiнацiйного розсiювання свiтла (КРС) та атомну силову мiкроскопiю, дослiджено властивостi вихiдних зразкiв та зразкiв пiсля термiчних обробок у дiапазонi температур 600-1000℃. Iз спектрiв КРС оцiнено ступiнь пластичної релаксацiї у вихiдному Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) та Si₀.₉-yGe₀.₁Сʸ (0 %) шарах. Встановлено, що при вiдпалах релаксацiя напружень вiдбувається не однаково по всьому об'єму, а пошарово. В обох типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ шарiв на їх iнтерфейсах з Si пiдкладками вiдбувається сегрегацiя вуглецю.; Рассмотрена возможность получения отрелаксированных sige слоев на кремниевой подложке, градиентно in situ легированных углеродом в процессе эпитаксии. Используя спектроскопию комбинационного рассеяния света (КРС) и атомную силовую микроскопию, исследованы свойства исходных образцов и образцов после термических обработок в диапазоне температур 600-1000℃. Из спектров КРС оценена степень пластической релаксации в исходном Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) и Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ (0 %) слоях. Установлено, что релаксация напряжений при отжигах происходит не однородно по всему объему, а послойно. В обоих типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ слоев происходит сегрегация углерода на интерфейсах с Si подложками. 2006-01-01T00:00:00Z