http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132692 2026-04-20T19:49:45Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139325 Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts Feychuk, P.I.; Shcherbak, L.P.; Kopach, O.V. Thermal effects in the Cd₁-ₓZnₓТе (х = 0; 0.04; 0.1) melts at lowering under temperature gradient at a speed of 1 to 10 mm/h and at isothermal holding at certain temperatures have been monitored using the derivative thermal analysis method. The multistage character of the nucleation and the crystallization centers formation in the investigated melts has been discuss. That conclusion has been drawn basing on the presence of discrete temperature intervals where temperature oscillations occur in the cooling melt in the certain thermodynamics conditions.; Методом производного термического анализа проведен мониторинг тепловых эффектов в расплавах Cd₁-ₓZnₓТе (х = 0; 0.04; 0.1) при опускании в градиенте температур со скоростью 1-10 мм/ч и во время изотермической выдержки при определенных температурах. Обсуждается многостадийный характер формирования зародышей и центров кристаллизации в исследованных расплавах. Вывод о последнем основан на существовании дискретных интервалов температур, в которых при определенных термодинамических условиях охлаждения расплава происходят осцилляции температуры.; Методом похiдного термiчного аналiзу проведено монiторинг теплових ефектiв у розплавах Cd₁-ₓZnₓТе (х = 0; 0,04; 0,1) при опусканнi у градiєнтi температур та пiд час iзотермiчної витримки при певних температурах. Обговорюється багатостадiйний характер формувания зародкiв та центрiв кристалiзацiї у дослiджених розплавах. Такий висновок зроблено на пiдставi iснування дискретних iнтервалiв температур, в яких при певних термодинамiчних умовах охолодження розплаву вiдбуваються осциляцiї температури. 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139324 Preparation of non-uniform gradient structures on the basis of Ge₄₀S₆₀ alloys with modifiers Loya, V.Yu.; Lada, A.V.; Krafchyk, S.S.; Puga, P.P.; Puga, H.D. А comprehensive thermographic study of Ge₄₀S₆₀ combinations with modifiers (Рb, AI, Bi and Тe) has been carried out. It has been shown that under heating, the modifier interacts with the Ge₄₀S₆₀ alloy occurs forming new compounds, i.e. Ge₄₀S₆₀-modifier ones. The technological conditions of the production of non-uniform gradient thin-film structures have been developed and the transmission and reflection spectra of those structures have been investigated. The dispersion of the refractive indices of thin-film gradient structures in the transparency region has been studied.; Проведены термографические комплексные исследования системы Ge₄₀S₆₀ c модификаторaми (Рb, AI, Bi и Тe). Показано, что при нагревании происходит взаимодействие модификаторов и сплава Ge₄₀S₆₀ с образованием новых соединений Ge₄₀S₆₀-модификаторы. Разработаны технологические условия получения неоднородных градиентных тонкопленочных структур, исследованы их спектры пропускания и отражения. В области прозрачности исследована дисперсия показателей преломления полученных тонкопленочных градиентных структур.; Проведено термографiчнi комплекснi дослiдження системи Ge₄₀S₆₀-модифiкатори (РЬ, AI, Bi i Тe). Показано, що при їх нагрiваннi проходить взаємодiя модифiкаторiв iз сплавом Ge₄₀S₆₀ з утворенням нових сполук Ge₄₀S₆₀-модифiкатори. Розроблено технологiчнi умови одержання неоднорiдних градiєнтних тонкоплiвкових структур та дослiджено їхнi спектри пропускання i вiдбивання. В областi прозоростi дослiджено дисперсiю показникiв заломлення одержаних тонкоплiвкових градiєнтних структур. 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139323 Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching Kosyak, V.V.; Opanasyuk, A.S.; Protsenko, I.Yu. The ensemble of point defects in CdTе undoped single crystals has been modeled. Two extreme cases were calculated: full equilibrium and quenching. Dependences of the point defect and free carrier concentrations on technological parameters of growing, post-growth annealing in Cd vapor, and the sample examination temperature have been studied. The growth conditions of single crystals and n- and p-type conductivity CdTе films were defined. The results obtained have been compared with experimental data. This made it possible to make conclusions concerning validity of the studied models and to propose additional experiments to make final choice between them.; Проведено моделирование ансамбля точечных дефектов в нелегированных монокристаллах и пленках теллурида кадмия. Расчеты выполнены для двух крайних случаев - полного равновесия и закалки дефектов. Получены зависимости концентрации собственных дефектов, свободных носителей заряда от технологических параметров выращивания, послеростового отжига в парах кадмия и температуры исследования образцов. Определены условия изготовления монокристаллов и пленок CdTе n- и p-типа проводимости. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными, что позволило сделать выводы относительно обоснованности рассмотренных моделей и предложить дополнительные эксперименты, позволяющие сделать окончательный выбор между ними.; Проведено моделювання ансамблю точкових дефектiв у нелегованих монокристалах i плiвках телуриду кадмiю. Розрахунки виконано для двох крайнiх випадкiв - повної рiвноваги i загартування дефектiв. Одержано залежностi концентрацiї власних дефектiв, вiльних носiїв заряду вiд технологiчних параметрiв вирощування, пiсляростового вiдпалу у парах кадмiю i температури дослiдження зразкiв. Визначено умови виготовлення монокристалiв i плiвок CdTе n i p-типу провiдностi. Проведено порiвняння отриманих результатiв з експериментальними даними, що дозволило зробити висновки щодо обгрунтованостi розглянутих моделей i запропонувати додатковi експерименти, якi дозволяють зробити остаточний вибiр мiж ними. 2005-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139322 Influence of the growing conditions on thermochromic properties of [NH₂(C₂H₅)₂]₂CuₓZn₁-ₓCl₄ crystals Kapustianyk, V.; Korchak, Yu.; Rudyk, V.; Batiuk, A. The absorption spectra of [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄ crystals grown from ethanol solution as well as of [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄ ‧nН₂О, [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄ crystals grown from water solutions have been investigated in the visible spectral region. The influence of ionizing irradiation on these spectra has been studied as well. The [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄ crystal grown from the ethanol solution has been shown to undergo the thermochromic phase transition at a higher temperature (Тᴛ ʰ = 324.5 К) and to manifest a higher sensitivity to ionizing irradiation influence as compared to the similar crystal grown from water solution. 75 % substitution of copper ions by zinc at the Transition to [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄ solid solution results in the change of the thermochromic phase transition character from the discontinuous to continuous one. The high sensitivity of the exciton absorption band long-wave edge location to low doses of ionizing radiation in [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄‧nН₂О hydrated crystal has been revealed.; Исследованы спектры поглощения кристаллов [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄, выращенных из спиртового раствора, и [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄‧nН₂О, [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄ выращенных из водных растворов, в видимой области спектра, а также влияние на них ионизирующего облучения. Показано, что кристалл [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄, выращенный из спиртового раствора, претерпевает термохромный фазовый переход при более высокой температуре (Тᴛ ʰ = 324.5 К) в сравнении с аналогичным кристаллом, выращенным из водного раствора, а также имеет более высокую чувствительность к ионизирующему облучению. 75 %-ное замещение ионов меди ионами цинка при переходе к твердому раствору [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄ сопровождается изменением характера термохромного фазового перехода со скачкообразного на непрерывный. Обнаружено высокую чувствительность положения длинноволнового края экситонной полосы поглощения в кристаллогидрате [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄‧nН₂О к малым дозам ионизирующего излучения.; Дослiджено спектри поглинання кристалiв [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄, вирощених зi спиртового розчину, i [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄ ‧nН₂О, [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄, вирощених iз водних розчинiв, у видимiй областi спектра та вплив на них iонiзуючого опромiнення. Показано, що кристал [NН₂(C₂Н₅)₂]₂CuCI₄, вирощений зi спиртового розчину, зазнає термохромний фазовий перехiд при вищiй температурi (Тᴛ ʰ = 324.5 К) у порiвняннi з аналогiчним кристалом, вирощеним з водного розчину, а також має вищу чутливiсть до дiї iонiзуючого опромiнення. 75 %-не замiщення iонiв мiдi iонами цинку при переходi до твердого розчину [NН₂(C₂Н₅)₂]₂Cu₀.₂₅Zn₀.₇₅CI₄ супроводжується змiною характеру термохромного фазового переходу зi стрибкоподiбного на неперервний. Виявлено високу чутливiсть положення довгохвильового краю екситонної смуги поглинання у кристалогiдратi [NН₂(C₂Н₅)₂]₂ZnCI₄‧nН₂О до малих доз iонiзуючого випромiнювання. 2005-01-01T00:00:00Z